mos管饱和导通压降是多少，三极管的饱和管压降指的是
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-03-29 21:05:17
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1，三极管的饱和管压降指的是
三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。不是，ce极电压在0.3或者0.3v以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。。所以叫饱和电压。
2，MOS管饱和压降问题
MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。
3，mosfet的门极阀值电压是多少了
最小的有不足2V的，最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高，Vds低的管子门极阈值电压也低。（无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通，但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。）
4，MOS管的压降是指什么2N60跟4N60相比哪个的压降大
MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。
5，三极管的饱和导通压降
不是，ce极电压在0.3或者0.3v以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。。所以叫饱和电压。饱和压降锗管Uce取0.1V 硅管Uce取0..3V 导通锗管Ube可取0.3V 硅管Ube为0.6~0.7V仅供参考
6，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类似的三极
MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，严重了会直接烧坏。栅极驱动电路的作用就是使“电容”更快充电，使MOS管导通或关断速度更快。大功率三极管也需要电流驱动电路啊，提供三极管导通所需的基极电流。
7，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问
这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
8，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类
三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件，
也 就是说，前者是流控，后者是压控。一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管
9，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少
Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
10，一般接近开关的导通压降为多少
这个电路三极管工作在开关状态，要么给它足够的基极电流使它饱和导通，要么不提供基极电流使它截止。89C2051的P3.1是带上拉电阻的I/o口，这里显然是做输出用。P3.1输出高电平时靠内部上拉电阻可输出5V，但没有什么负载能力、低电平时最大0.5V，最大灌电流20mA。所以电路中1K电阻应该去掉，否则P3.1输出低电平时三极管不会截止。2K的上拉电阻应该根据三极管的负载电流和放大倍数计算，并保证P3.1灌电流不超过20mA。比如继电器电流为100mA、β=100时，R<(5-0.7)/(I/β)=4.3K ,用2K电阻可以保证三极管1、接近开关线圈数要根据你的磁头大小选择线径，尽量细一点的漆包线，大概绕个70匝就可以了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。2、导线长度确实会对继电器线包所加电压产生影响，低于85%额定电压就不能吸合了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。220V左右，分两线，三线制，大概是这样吧，不确定的话上百度贴吧区求助，很多大神在里面驱动电路是根据脉宽来调整的简单的说一下pwm ic根据输出电压的高低老控制输出脉宽的大小,而脉宽的大小来绝对驱动mos的导通和截止的时间,而这个时间直接影响到变压器储能的多少和释放能量的多少问题有点负载,不是一句话能说清楚的如果是直流接近开关，一般是24-36伏，导通后还有22或34伏。如果是交流220伏，那一般导通后还是220伏。一个接近开关，在导通时，（饱和时）要求压降越小，越好。在关断时，（截止时）压酱越大，越好 。由於使用材料和制造工艺目前我们把导通时的压降只能做到0.3～1.2伏左右。
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