1，PMOS管的漏极电压和源极电压那个大

PMOS管的源极电压大于漏极电压。与NMOS管正好相反。

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2，si2301 mos管压降多少

si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。

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3，哪个型号的pmos管导通压降比较低求谢谢各位了

IRF9140 Vgs=10V Id=-11A时,导通电阻只有0.2欧.即压降为2.2V.所以Id如果比较小,比如1A,压降就只有0.2V了.还有其他型号,可以参考数据手册:IRF9540,IRF9542等等
我是来看评论的

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4，一般MOS管的反向压降是多少伏

MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～1.5V。

5，关于PMOS栅源电压

你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此
vds是漏源电压，不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v，表示漏极与源极之间耐压为30v，前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的（与n沟道相比）。

6，哪个型号的pmos管导通压降比较低求谢谢各位了

IRF9140 Vgs=10V Id=-11A时,导通电阻只有0.2欧.即压降为2.2V.所以Id如果比较小,比如1A,压降就只有0.2V了.还有其他型号,可以参考数据手册:IRF9540,IRF9542等等

7，压降的概念是什么和电压有什么关系他们之间怎么计算

电压：是指电路中某点对参考点电位的高低，用“电压”来表示，电压的基本单位：V（伏特）。比如以电池负极为参考点，电池两端的电压1.5V，是指电池正极对电池负极的电位为1.5V。那么，以电池正极为参考点，电池两端的电压就为-1.5V，是指电池负极对电池正极的电位为-1.5V。 压降：是指电流流过负载后，负载两端电压的高低。比如在直流电路中，1Ω的负载流过1A的电流，在负载两端的压降就为1V.。U=IR 因此，同样大小的电流，流过负载（也可以是电器）两端的压降越大，就意味着负载（也可以是电器）消耗的电能越多！

8，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
你好！用AO4407试试如有疑问，请追问。

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