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1，PMOS开关电路一直导通

你是b悬空量的吧，在b点接10k左右的电阻试试。
同志你的电压有点大啊！这个管子VDS是-20V。

PMOS开关电路一直导通

2，Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

建议把R6改小点。
这个电路就可以实现你的要求。
R6可以不用，这样MOS导通快速
这个三极管可以不用

Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

3，关于PMOS栅源电压

你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此
vds是漏源电压，不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v，表示漏极与源极之间耐压为30v，前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的（与n沟道相比）。

关于PMOS栅源电压

4，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。
这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

5，在MOS门电路中欲使PMOS管导通可靠栅极所加电压应 开

显然应该填写“大于”。
题目说的不清楚，首先要知道基底接在什么 地方，总的来说就是栅极的电压比基底的电压小，如果基底接的是地，那就是小于UTP
认真审题后：题目已经提示了管子是P型MOS管，开启电压UTP<0的，所以开启电压的绝对值要大的话，电压就要低于UTP，应该填“小于”。
N－MOS大于，P－MOS小于
小于

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