mos死区时间多少合适，移相软开关电源死区时间一般设置多少
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-24 00:40:30
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1，移相软开关电源死区时间一般设置多少
这属于硬件加死区。将一路信号分成两路。1和2.1路先通过7404取非。之后的电路1和2是一样的。先通过（电阻和二极管并联）电阻与二极管正级公共端接103电容接地。形成 RC加死区。
2，逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管 死区时间一般是多少
3，关于DSP2812的死区时间问题
是这样的，设满了也就是时钟周期*32，这个时钟周期应该是HSPCLK的周期。1、adc采样率最大25mhz，详细的可以看书《tms320f2812原理及其c语言程序开发 》或者文档spru0602、用q格式
4，电机调试中的死区时间设置多少比较合适
那要看电机的容量是不是很大，还有负载与电机的比率，如果比率大的话启动时间长一点，如果比率小的话启动时间短一点。
5，单片机中如何调节占空比的占空比多少才是最好的还有它的死区时
你说的是用单片机产生PWM波行吧，最近我也在看这个。 这个占空比是通的计算得到的，具体的要根据所要模拟的模拟电路波形。楼上不要误导,51只有下降沿或低电平触发外中断,没有上升沿或高电平哦.用外部中断只能测频率而不能测占空比.
6，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好
不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。
7，新人求助关于pwm死区时间
具体什么问题？死区时间就是上下桥mos同时关闭的那段时间。tdts tim->cr1 ckd[1:0]: 时钟分频因子 这2位定义在定时器时钟(ck_int)频率、死区时间和由死区发生器与数字滤波器(etr,tix)所用的采样时钟之间的分频比例。 00：tdts = tck_int 01：tdts = 2 x tck_int 10：tdts = 4 x tck_int 11：保留，不要使用这个配置 就是根据tdts来计算死区时间 tim_timebasestructure.tim_clockdivision = 0; //72mhz 运与计算死区时间 我没分频 那tdts 就是72mhz 算了？
8，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好
不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。
9，死区时间到底是如何算得的求助非常感谢
呃 这个我不清楚呢 我还没用过 就是针对你的第一个问题翻了翻书 呵呵你这个上面说的：DBTCONA的第2-4位是定时器频率设置 000 cpu频率/1 001 cpu频率/2 。。。。110 cpu频率/32假如2-4位设置为100，那么定时频率就是150/16M。而在第七课EV模块中讲的：不是CPU 的时钟频率，而已HSPCLK的值啊!!!我糊涂了。。。您好！谢谢你。我想问一下，在编SPWM波的是，我们设定的PWM波的周期就是我们要实现的调制波即正弦波的周期么？DBTCONA的第2-4位是定时器频率设置 000 cpu频率/1 001 cpu频率/2 。。。。110 cpu频率/32假如2-4位设置为100，那么定时频率就是150/16M。所需要的死区时间是1.6us，那么150/16*1.6=15 就是你要设置的定时周期，也就是DBTCONA的第8-11位。所以DBTCONA可以设置为：0x0ef0也就是说，我用三角波做载波，那么DSP所产生的PWM波的周期是三角波的周期？它等于正弦波周期的N倍？不是的，PWM波的周期是载波的周期，是调制波正弦波周期的N倍(N为载波比）
10，如何正确计算并最大限度减小的死区时间
如何计算IGBT模块所需最小死区时间？1 引言在现代工业中，IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了确保可靠地使用IGBT，必须避免出现桥臂直通现象。桥臂直通会产生额外的不必要功耗甚至热失控，可能会导致IGBT甚至整个逆变器出现故障。IGBT桥臂直通的原因典型的IGBT一个桥臂拓扑电路如下图所示，正常工作时，两个IGBT交替开通和关断，如果将两个IGBT管同一时间导通将会导致电流的上升，该电流仅受限于IGBT DC-link的杂散电感。Figure 1 Typical configuration of a voltage source inverter当然，没有人会故意将两个IGBT同时开通，但由于IGBT并不是一个理想的开关，开通和关断时间并不是严格相同。为了避免桥臂直通，总是推荐添加一个所谓的“互锁延迟时间”或称为“死区时间”到控制机制。这样，一个IGBT总会先关断，另一个在经过期望的死区时间后被开通。因此，可以避免由于不对称的开通和关断时间造成的桥臂直通现象。死区时间对逆变器工作的影响死区时间一般有两种，一是控制死区时间，二是有效死区时间。控制死区时间是在控制算法里执行的死区时间，是为了获得器件端合适的有效死区时间，设置控制死区时间的目标是为了确保有效死区时间总是正值。由于实际计算的控制死区时间总是基于最坏的情况，有效死区时间是控制死区时间的重要部分。死区时间一方面可以避免桥臂直通，另一方面也会带来不利影响。为了阐明死区时间的影响，我们考虑电压源逆变器的一个桥臂，如图2所示。假设首先输出电流的方向如图所示，IGBT管T1从开到关，IGBT管T2经过微弱的死区时间后从关到开。在有效死区时间内，两个管子都在断态，续流二极管D2传导输出电流。因而负边DC link电压施加到输出端，这种转换是被期望的。另一种情况，IGBT管T1从关到开，T2管从开到关，然后，D2仍然在死区时间内传输相同方向的电流。因此输出电压也是负边DC link电压，这种情况是不期望的。结论可概括如下：在有效死区时间内，输出电压由输出电流的方向决定，而不是控制信号。如果我们考虑图2中相反的电流方向，当T1从开到关，T2从关到开时，将会获得一个电压。所以，应用死区时间通常会使电压和电流产生扭曲。如果我们选择了一个不合适的较大的死区时间，会使感应电机系统变得不稳定，可能会造成一些破坏的情况。因此选择死区时间的过程是非常重要的，应仔细计算。Figure 2 One leg of voltage source inverter本文将解释如何测量IGBT实践中的延迟时间，和如何在测量的基础上正确地计算控制死区时间。
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