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1，霍尔效应迁移率一般多大

霍尔效应迁移率RH=μ*ρ。根据查询相关资料信息在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH=RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。

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2，霍尔系数一般多大

霍尔系数一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH*IC*B/d（1）式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度,IC 为电流，B为磁场强度。简介通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔（Edwin Herbert Hall）发现。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。

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3，实验室中霍尔系数一般为多少

一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。霍尔元件应用的基本原理为霍尔效应。霍尔效应为一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为UH=RH/d*IC*B。霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。霍尔额定激励电流：当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。霍尔最大允许激励电流：以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。霍尔输入电阻：霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。扩展资料：霍尔效应（Hall effect）为指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔元件的电阻温度系数：在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。参考资料来源：百度百科-霍尔系数

实验室中霍尔系数一般为多少


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