stm32一个扇区多少页，F205ZE只能擦除扇区一个扇区128K怎么处理啊
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-09-23 08:48:12
1，F205ZE只能擦除扇区一个扇区128K怎么处理啊
2，stm32的flash扇区可以任意使用吗
理论上是可以，但是你不能随便修改你程序占用的地方，我用都是从他的最后一页开始往前用
3，硬盘一个扇区多少字节
看你怎么分区了以前是512字节一个扇区。现在新硬盘都是4K一个扇区
4，IC卡的扇区块页都是什么关系一个扇区里分几页呢现在我的程
现在国内用的最多的非接触式ic卡-m1卡，有16个扇区，包括1个公共区和15个数据区。并不是所有页都可以写，有写页是特权，这个和密码检验没有关系。我只知道，一个扇区可以代表一种功能，具体分多少页或者多少块，这个我真的不知道，我不是开发人员，对于这个并不是专业人士，我所知道的有限的，你说的是软件开发的深层次问题，我这个不是很懂
5，stm32写flash一定要擦除一页吗
STM32内部FLASH和外部FLASH芯片类似，都是以页（或块）为最小擦除单元。因此，你要擦除FLASH数据，就是需要最小单元（1K 2K不等）。flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1。所以如果原来的地址有数据了，意味着有一些位为0，这些位就相当于无效了。所以必须写之前确保他们都为1，只有擦除才可以。另外每次擦除都必须擦除一个4k大小的扇区，这是flash的特性所决定的。
6，为什么用STM32读写SD卡打印出的存储大小是负数
估计是读写太频繁了吧，或者有其他线程访问了SD卡，导致文件系统损坏了吧。 SD卡的核心是Flash ROM，256或者512字节为一个扇区，如果一次写满一个扇区，那到好。如果不是，比如一次写几十字节，那一个扇区要重复写很多次，ROM的寿命就降低了。如果采用dma方式操作sd卡的话,可以达到与linux嵌入式系统相当的水平.但对于高速sd卡,瓶劲在于stm32的clk高不上去,即使高上去了,stm32自己程序上也是处理不过来的.
7，学习51单片机stm32 的一些问题
其实对单片机的学习主要是对单片机运行过程的理解和一些基本概念的理解，51是最简单的单片机，但是麻雀虽小，五脏俱全，它的CPU、外设、存储等都是非常典型且易于理解的，所以拿他入门最合适不过了。说到底STM32和51本质区别很小，只不过STM32功能更强大。你这种方式也是可以的，可以两者一起进行，在STM32上遇到不理解的地方，可以参考下51上有没有类似的。现在STM32都有现成的库函数，且例程丰富，所以运行起来很简单，但要深刻理解，建议你用到的库函数你都进去看一遍，直到最底层的操作，在结合STM32的 reference manual ，相信你会很有收获的。还有一点，手册最好看英文的，中文版很多翻译不是很确切，当然刚开始看肯定很多单词不认识，没关系，有道词典会是个非常靠得住的帮手。当你一个STM32的参考手册从头到尾完完整整看完且理解完3次后，你以后再看任何器件的手册即使有说不上中文意思的单词你也能理解他的意思的，我当年就是完整的研究了3遍一个单片机的两本手册，一共有1千多页啊。你犯了一个习惯性错误.即认为电容越大,滤波效果越好.其实这是错误的,原理上讲是对的,但是实际电路中,电容相当于一个一个理想电阻串联一个理想电感串联一个理想电容,理想电容又并联(一个理想电感和一个理想电阻组成的电路).所以,实际电路中,还是电容选的越大越好,要看你电路中的频率,干扰的信号的频率以及电源纹波的频率.通常,在不是很高的频率下,比如你的2576只有几十k的频率,不用过多考虑,只需要考虑电容及整个电源电路的esr,esl就可以了,这方面的理论比较复杂,我就不多讲了,给你以下几个定理,你按照修改:1 一个电电容的滤波能力 小于 由n个小电容并联组成的等电容值的电容2 铝电解电容的esr和esl最高,钽电容的esr最低,瓷片电容的esl最低3 同样容值不同封装的电容并联,对于某一频率的滤波效果会更好4 同样封装不同容值的电容并联,对于某一频率的滤波效果没有影响5 不同容值,不同封装的电容并联,能够拓宽滤波的频段.6 对于热插拔的电容,如果是钽电容,必须保证耐压值是工作电压值的3倍以上7 对于其他电容,耐压值必须是工作电压值的至少1.67倍速以上.鉴于以上定理,我建议你:用0603 103,00805 104 钽电容:a3216 22uf/10v c6032 100uf/10v 的几个电容并联在电源输出端,保证效果会比你单单联一个大的2200uf电解电容好的多.
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