mosfet频率多少，pmsm控制开关管频率大约是多少
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-09-12 12:27:54
1，pmsm控制开关管频率大约是多少
2，GTOGTR电力 MOSFET 和 IGBT 分别按大耐压大电流高 开
要将就teach tier电力MOSFET他还的。爱去bt，分别按耐哒嗯哒内压大电流一次够开关频率和驱动功率大小进行排序。
3，SCRGTRGTOVMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中按开
这个只能比较大多数情况， IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。 所以：SCR
4，GTO GTR IGBT MOSFET 频率范围分别为多少
GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的结果。
5，关于电焊机的一些问题
IGBT一般是逆变弧直流电焊机才用的。IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件。
它既有 MOSFET 易驱动的特点 , 又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOS2FET 与功率晶体管间 , 可正常工作在几十 kHz 频率范围内 , 故在较高频率的大、中功率应用中占据主要地位。
IGBT 是电压控制型器件 , 在它的栅——射极间施加十几伏直流电压时 , 只会有微安级的漏电流流过 , 基本上不消耗功率。但 IGBT 的栅——射极间存在着较大的电容量 ( 几千至上万 pF), 在驱动脉冲电压的上升沿及下降沿需提供数安培的充放电电流 , 才能满足它开通和关断的动态要求 , 使得它的驱动电路也必需输出一定的峰值电流。
IGBT 的开关作用是通过施加正向栅极电压形成沟道 , 给 PNP 晶体管提供基极电流 , 使 IGBT 导通。反之 , 加反向门极电压消除沟道 , 流过反向基极电流 , 使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同 , 只需控制输入极 N 沟道 MOSFET, 所以具有高输入阻抗特性。
当 MOSFET 的沟道形成后 , 从 P+ 基极注入到 N- 层的空穴 ( 少子 ), 对 N- 层进行电导调制 , 减小 N- 层的电阻 , 使 IGBT 在高电压时 , 也具有低的通态电压。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT 处于导通态时 , 由于它的 PNP 晶体管为宽基区晶体管 , 所以其 B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构 , 但流过 MOSFET 的电流成为 IGBT 总电流的主要部分。
6，为什么MOS管开关频率越高电流反越小啊
因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。这一现象明显说明变压器的初级电感很大，开关变压器的工作频率通常工作在20KHz以上，使用PWM调制控制输出电压，而非频率控制，现代开关技术可以控制实现跳频控制，但实际上并非频率控制。扩展资料：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层。成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。参考资料来源：百度百科-mos管MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。看懂了吧别的牌子不清楚，但东芝肯定有。mos管本来就以开关频率高见长，所以你还要给出另一个参数，电压要求是多少呢？600v? 900v?“每秒开关5次灯泡很亮的，如果调整每秒50次灯泡只有一点红”这一现象明显说明变压器的初级电感很大，开关变压器的工作频率通常工作在20KHz以上，使用PWM调制控制输出电压，而非频率控制，现代开关技术可以控制实现跳频控制，但实际上并非频率控制。你说描述的问题，需要提供具体的参数以便分析，如工作频率，线圈电感等参数。
7，MOSFET场效应管高手进来你们绝对懂的
从应用结构上看，由于MOSFET在可携式产品、LCD TV等消费性电子产品中的广泛应用，使得消费性电子成为MOSFET最大的应用市场；而凭借着在主机板中的大量应用，计算机领域居次，工业控制则是第三大应用领域。赛迪顾问预测，未来受到Netbook与山寨笔记型计算机的带动，主机板仍将成为中国MOSFET市场快速发展的主要推动力。 而受到金融危机的影响，中国手机产量成长率在2008年出现大幅下降，2009年甚至将出现负成长，由于MOSFET在手机中主要用在手机充电保护，手机产量成长速度趋缓将在一定程度上影响该领域对于MOSFET的需求。从市场需求量上看，主机板、Light ballast、笔记型计算机是排名前三大的MOSFET终端应用产品。 从电压结构上看，由于小于200V的低压MOSFET主要用在主机板、笔记型计算机以及大量可携式产品中，使用范围最为广泛，市场需求量最大，这其中小于50V的MOSFET市场需求量位于各电压等级之首，2008年市场需求量为110.4亿颗。 而在大于200V的高压MOSFET市场中，用于AC/DC的600~800V MOSFET产品需求量最大，2008年市场需求量达到34.9亿颗。未来，在主机板、笔记型计算机、液晶电视以及可携式产品的带动下，低压MOSFET将具有更大的发展空间，也成为厂商竞争的重点。 从封装结构上看，TO-220、SOT-23/TO-92/SC-70/SC-75、SO-8、DPAK是销售量前四名的MOSFET封装形式。其中TO-220主要应用在AC/DC中，而SOT-23/TO-92/SC-70/SC-75、SO-8由于其封装尺寸比较小，主要应用在消费性电子领域以及笔记型计算机计算机整机产品中。在主机板产品中则主要采用了DPAK、LFPAK封装形式的MOSFET产品。 赛迪顾问预测，未来随着终端产品对于体积、能效等要求的不断提升，MOSFET封装将向着小型化、良好的散热性以及更高的功率密度方向发展，更多的新型封装产品将会陆续出现。 从电流结构上看，电流小于10A的产品占据市场主流位置，这其中又以电流小于5A的产品占据最大比例，2008年电流小于5A的MOSFET需求量为100.6亿个。而笔记型计算机产量的持续快速增加则带动了电流在20~100A MOSFET的市场需求。 未来随着CPU供电等级的逐步降低，将会对MOSFET输出电流提出更高的要求，如何最大程度地降低导通电阻、提升输出电流能力，将成为MOSFET供货商的努力目标。中国本土MOSFET业者快速崛起 目前在中国MOSFET市场竞争中依旧以欧美厂商占据优势地位；根据赛迪顾问统计，2008年排名前10大的MOSFET供货商中，欧美厂商占据八席。凭借着在低压和高压MOSFET领域的良好表现，2008年，Fairchild以26.8亿元人民币占据市场首位元，ST以0.8亿元之差名列第二。 Vishay则凭借着传统低压MOSFET的优势地位和高压产品的陆续导入，市场占有率有所提升，2008年名列市场第三，销售额达到17.7亿元。IR则由于缺少了高压MOSFET部份，市场占有率有所下滑，名列第五。 除欧美企业外，台湾和韩国业者也在中国市场占据一定的比例；在台湾业者中，茂达、富鼎都具有一定的竞争实力，与欧美企业从事产品制造生产不同，台湾业者多以设计业的形式出现。从市场定位上看，台湾业者也更专注于消费性领域和主机板用MOSFET，良好的产品性价比是台湾企业取胜的关键。 而在韩国企业中，AUK、KEC、semiHOW、pdsemi是代表企业，在中国占有一定的市场比例；其中AUK最具产品性价比，也是在中国出货量比较大的韩国企业；semiHOW技术实力则最强。但近年来，在台湾业者的竞争下，韩国厂商在中国市场发展趋缓。 相对于台湾业者的快速发展和韩国业者在中国市场的发展趋缓，近年来中国本土业者在MOSFET产品上正逐步发力，并且由代工服务向自主设计、自主研发转变。早期，我国从事MOSFET产品代工服务的主要企业包括华虹NEC、无锡华润上华以及吉林华微，其中华虹NEC为AOS代工、华润上华、吉林华微则主要为Fairchild代工。 赛迪顾问表示，考虑到技术流失的问题，国外大厂在中国国内进行代工服务十分谨慎，其产品主要以低阶MOSFET为主，如Fairchild在中国代工的产品全部为低阶平面式MOSFET，产品技术保密性要求已经非常低。 而随着市场的逐步发展，在原有代工服务的基础上，近年来中国陆续涌现一批MOSFET设计企业，而一些有实力的中国本土离散组件制造商，为了摆脱现有低阶产品价格竞争激烈、利润率低的现状，正逐步提升自身产品结构导入利润率更高的MOSFET产品。 2008年11月，吉林华微投资兴建的6代线建成投产，该生产线将主要从事MOSFET自主产品的生产。除吉林华微外，比亚迪也已成功开发并量产了多款MOSFET产品。 从现在的发展情况上看，虽然中国企业还处于起步阶段，但发展态势迅猛；赛迪顾问表示，由于本土企业在价格上的突出优势，在一些领域中，中国MOSFET产品可望快速切入。而中国本土企业的产品放量必定会带动此类产品市场价格的快速下滑，届时现有MOSFET大厂必定将面临极大的竞争压力，在中国业者的冲击下，市场竞争格局极有可能将重新洗牌。功率场效应管开关电路图：向左转|向右转 场效应管导通时，漏沟道电阻有几千mω。所以，场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增大了响应时间，限制了最高工作频率。 功率mos场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的mos型（metal oxide semiconductor fet），简称功率mosfet（power mosfet）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（static induction transistor——sit）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于gtr，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kw的电力电子装置。
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