1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。 开启的阈值电压4-5V。 关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，用什么样的mos管控制电源正极压降最低 基极电压5vD极电压12vS

您好，用大功率PNP型三极管担任调整管制作串联调整式稳压电源，调整管压降比较小
mos不会有压降的.是栅极不够电

用什么样的mos管控制电源正极压降最低 基极电压5vD极电压12vS

3，硅管的管压降是多大众说纷纭

硅管结电压（压降）为0.7V左右，较大电流（几十安上百安）的为1V左右。这不是权威答案，但可信。
硅管不是线性元件,一般说在一定的电流范围二极管的正向压降保持在0.5至0.7v之间!

硅管的管压降是多大众说纷纭

4，mosfet的门极阀值电压是多少了

最小的有不足2V的，最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高，Vds低的管子门极阈值电压也低。（无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通，但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。）
期待看到有用的回答！

5，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
你好！用AO4407试试如有疑问，请追问。

6，50a mos管 三极管的也可以但是管压降越低越好用在5v40a开

管压降最低、简单、容易控制、通过的电流大、便宜……满足这些要求，如果是普通开关电路，为什么不使用小型功率继电器呢，不超过10块，还不容易烧，用8050驱动就可以了。去你最近的电子市场的继电器柜台找就可以了。如果是高速开关电路，可以考虑使用：2SK2987、2SK3125、BUK466-60H、BUK566-60H、BUZ111S、BUZ342、FDP7030、HRF3205、HUF75343、IRF1010、IRF2807、IRF3205等等，很多的，不过价钱各地不好说。
1，MOS管损耗比三极管小 2，MOS管为电压驱动型，驱动电路比较简单，三极管为电流驱动型 3，MOS管的温度特性要比三极管好 MOS管比三极管最大的优点
只要功率，耐压，电流这三大特性能达到或超过原三极管的是可以的，只是有些要在线路上改动一下。因它的g极电压要求的比一般三极管高。现的成规开关电源产品大量的就用它了。

7，二极管的管压降硅管不是才07伏吗为什么用作整流桥时我们测到

上图是桥式整流的电路图，图中的整流二极管采用4007就可以应付一般的负载了，如果负载的电流较大，就要选择大电流的整流二极管。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管： 耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

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