mos管开关时间是多少，mosfet管的tc时间是什么时间
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-18 06:59:19
1，mosfet管的tc时间是什么时间
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上
2，mos管开关
mos管和三极管都可以做开关管用，由于mos管导通电阻小，做开关用比三极管效果好。1-2A的电流对一般2、3元钱一个的MOS管简直就是小菜一碟。你要知道短路电流是很大的，而MOS管是有一定的缓冲能力。很多电路都是串保险管的。这点你尽可以放心
3，有关MOS管的技术问题
可以把驱动波形一并传上来不？ 下面是我前几天试验的，电路跟你的相同，参数：R21＝2k，R22＝10k，R28取消，三极管分别是8050和8550，MOS管为IRF840，用示波器上的1KHz方波驱动。 （图中：青色为PWM端，红色为MOS 管G极，蓝色为MOS管 D极（用灯泡做负载时） 感觉是Q3开通太慢，延迟达到3－4uS。 觉得你的PWM载频太高了，20K左右不行吗？ 这个电路肯定会产生时延， 另外对MOS管来说，G驱动上升时间达到1uS不知道可以不？如果你的目的是让led发光，那么这里mos的作用就是开关了，做开关导通的时候，mos工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明vds>vgs-vt，也许直接mos管把你准备用来给led的开启电压都用光了。。。当然了，还是得看整体电路。MOS有4种类型。。。。对增强型的MOS，正向电压大与开启电压即可。对耗尽型的MOS，正向电压不小于夹断电压即可。所谓正向电压可以理解为保证MOS正常工作的偏置电压。正向电压=VGS 栅和源间的电压。不知道你懂了没？
4，MOSFETMOS管中的开关时间可以改变电压的原理
看看晶闸管的相关知识，晶闸管的整流、调压电路知识大体来说就是通过控制MOS管的通断来削波(交流电是正弦波，比较220V的市电，电压从0值一直变化到最大值，让交流电通过MOS管，比如需要110V的电压输出，可以在交流电上升至110V时让MOS管断开，下次电压过0时再导通，再到110V时再断开，反复如此，可以得到110V交流电，使用整流电路可以变成直流电)学过这个东西，很久不用了，大概就是这么个原理我当时用的书是“半导体变流技术 第2版”，机械工业出版社出版，上海理工大学 莫正康 主编，主要介绍晶闸管的整流、逆变、调压、变频原理MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。MOSFET关闭的时候这些储能元件要么和原来的输入叠加形成升压电路，要么独自输出形成降压电路。（这里只是举例，还有升降压电路不讨论了。） 你可以理解为，MOSFET打开的时间越长，电感和电容中储存的能量越高，可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短，储能元件中能量约小，形成的输出也就越低。 这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路，都是最基本的。
5，请教MOS管做开关电路
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。G极电压根据MOS参数（开启电压），一般2-5V，要让管子起到开关作用，必须给G极开关信号。详情参考中国电子DIY之家详细分析■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极S、漏极 D和栅极（或叫控制极）G.工作原理是：在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。
6，什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间
绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。 作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压。 绝缘栅双极型晶体管的关断时间：是指该晶体管的关闭时间。 MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。检测绝缘栅极双极型晶体管（igbt）好坏的三大方法1、判断极性首先将万用表拨在r×1kω挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（g）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（c）；黑表笔接的为发射极（e）。 2、判断好坏将万用表拨在r×10kω挡，用黑表笔接igbt的集电极（c），红表笔接igbt的发射极（e），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（g）和集电极（c），这时igbt被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（g）和发射极（e），这时igbt被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断igbt是好的。 3、igbt模块任何指针式万用表皆可用于检测igbt。注意判断igbt好坏时，一定要将万用表拨在r×10kω挡，因r×1kω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt导通，而无法判断igbt的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（p-mosfet）的好坏。更多文章来自北京瑞田达
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