mos管的管压降多少，用什么样的mos管控制电源正极压降最低 基极电压5vD极电压12vS
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-19 01:35:52
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1，用什么样的mos管控制电源正极压降最低 基极电压5vD极电压12vS
您好，用大功率PNP型三极管担任调整管制作串联调整式稳压电源，调整管压降比较小
2，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问
这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
3，请教各位如图所示的电路工作后MOS管压降达4V之多发热非常
上面是对的啊， 下面拷贝上面的，再加个三极管反相一下， 或者你用低压驱动mos这个结果不意外。你的1n4743是稳压为13v的稳压管，现在电源都只有12v，所以d2其实并不起作用。q1的状态其实是截止，q1的集电极输出电压接近电源电压12v，g的电压是12v，但问题是ugs是多少呢？mos管的状态是ugs决定的。mos管导通确实只要2-4v，但问题是，mos管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，mos管只是在恒流区，除非ugs>10v，导通状态才比较好（开关状态），而且uds的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
4，开关电源MOS管的问题
MOS管驱动上有个台阶是因为MOS管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是MOS管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。mos管是一个通过改变电压来控制电流的器件，有时候也被称为绝缘栅场效应管。近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率mos管作为开关管，之所以采用mos管是基于以下几方面的优势：1.输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。使用mos管做开关管，其输入阻抗高达100mω，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。2.开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100khz以上。普通三极管由于载流子的存储效应，其开关总会存在滞后现象，进而影响开关速度。3.不存在二次击穿。
5，二极管的管压降硅管不是才07伏吗为什么用作整流桥时我们测到
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管： 耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。 上图是桥式整流的电路图，图中的整流二极管采用4007就可以应付一般的负载了，如果负载的电流较大，就要选择大电流的整流二极管。
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