pmos的cox值是多少，orcad软件在电路分析及设计过程中起什么作用

1，orcad软件在电路分析及设计过程中起什么作用

提取gm/Id、IC0与Von的关系 1、新建工程，绘制电路图 2、查看NMOS模型的相关参数。点击NMOS，右键选择Edit Pspice Model，了解NMOS的u0、Tox、Vth0 3、设置全局变量。双击PARAMETERS,点击New Column，输入参数名和值，点击OK；选中L,点击display，选择Name and Value。 4、设置电路中电源电压，及MOS管的宽长比。V5电源电压设置为NMOS的Vth0，宽长比自行设定 5、创建新的仿真，进行仿真。 6、进行直流仿真，选择DC Sweep。扫描电压V6，V6的变化范围从0到500mV，步长为1mV。 7、点击run图标进行仿真，出现Probe模块 8、点击Trace/Add Trace 或者直接点击Add Trace图标，在Trace Expression中填写函数表达式，确定显示波形的函数。 9、首先，显示IC0与Von的关系。根据IC0=Id/[I0*（W/L）]，又因为I0=2n0*u0*Cox*Vt?，n0取1.4，计算得出I0等于300nA，宽长比我这里设置的是20，所以IC0的表达式是ID(MN5) /6uA，点击Ok出现相应的绿色曲线。 10、接着，显示gm/Id与Von的关系。根据gm等于Id对Vgs的求导即对Von的求导，可以得出gm/Id的表达式D(ID(MN5))/ID(MN5)，点击Ok出现相应的红色曲线。 11、两条曲线同时出现在图中，在以后的MOSFET手工估算中，就可以快速查询gm/Id、Von、IC0三者之间的对应关系了，如图为查找IC0=15时对应的gm/Id的值以上就是专题栏小编带来的orcad教程，更多教程请看“/zt/orcad/”

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2，谁知道hspice035工艺中nmos和pmos的参数 UnCox和UpCox

.35的应该是100u和50u左右吧。实在确定不了就在cadence仿真里的DC operating point查看id，Vod,手算下。

谁知道hspice035工艺中nmos和pmos的参数 UnCox和UpCox

3，orcad软件在电路分析及设计过程中起什么作用

提取gm/id、ic0与von的关系 1、新建工程，绘制电路图 2、查看nmos模型的相关参数。点击nmos，右键选择edit pspice model，了解nmos的u0、tox、vth0 3、设置全局变量。双击parameters,点击new column，输入参数名和值，点击ok；选中l,点击display，选择name and value。 4、设置电路中电源电压，及mos管的宽长比。v5电源电压设置为nmos的vth0，宽长比自行设定 5、创建新的仿真，进行仿真。 6、进行直流仿真，选择dc sweep。扫描电压v6，v6的变化范围从0到500mv，步长为1mv。 7、点击run图标进行仿真，出现probe模块 8、点击trace/add trace 或者直接点击add trace图标，在trace expression中填写函数表达式，确定显示波形的函数。 9、首先，显示ic0与von的关系。根据ic0=id/[i0*（w/l）]，又因为i0=2n0*u0*cox*vt?，n0取1.4，计算得出i0等于300na，宽长比我这里设置的是20，所以ic0的表达式是id(mn5) /6ua，点击ok出现相应的绿色曲线。 10、接着，显示gm/id与von的关系。根据gm等于id对vgs的求导即对von的求导，可以得出gm/id的表达式d(id(mn5))/id(mn5)...提取gm/id、ic0与von的关系 1、新建工程，绘制电路图 2、查看nmos模型的相关参数。点击nmos，右键选择edit pspice model，了解nmos的u0、tox、vth0 3、设置全局变量。双击parameters,点击new column，输入参数名和值，点击ok；选中l,点击display，选择name and value。 4、设置电路中电源电压，及mos管的宽长比。v5电源电压设置为nmos的vth0，宽长比自行设定 5、创建新的仿真，进行仿真。 6、进行直流仿真，选择dc sweep。扫描电压v6，v6的变化范围从0到500mv，步长为1mv。 7、点击run图标进行仿真，出现probe模块 8、点击trace/add trace 或者直接点击add trace图标，在trace expression中填写函数表达式，确定显示波形的函数。 9、首先，显示ic0与von的关系。根据ic0=id/[i0*（w/l）]，又因为i0=2n0*u0*cox*vt?，n0取1.4，计算得出i0等于300na，宽长比我这里设置的是20，所以ic0的表达式是id(mn5) /6ua，点击ok出现相应的绿色曲线。 10、接着，显示gm/id与von的关系。根据gm等于id对vgs的求导即对von的求导，可以得出gm/id的表达式d(id(mn5))/id(mn5)，点击ok出现相应的红色曲线。 11、两条曲线同时出现在图中，在以后的mosfet手工估算中，就可以快速查询gm/id、von、ic0三者之间的对应关系了，如图为查找ic0=15时对应的gm/id的值以上就是专题栏小编带来的orcad教程，更多教程请看“/zt/orcad/”

方法/步骤 1、设置静态电压。 ∵摆幅为0.3V~2.7V ∴静态输出电压应为（0.3V+2.7V）/2=1.5V 又∵设PMOS和NMOS饱和时的Von=0.2V ∴Vb=Vcc-(Von+Vthp)=3V-（0.2V+0.67V）=2.13V Vin=Von+Vthn=0.2V+0.4547V=0.6547V 2、设置变量w。 3、直流仿真。进行DC sweep 直流仿真，设置好仿真的参数。在NMOS的三端电压固定的情况下，扫描NMOS的宽长比，使NMOS的漏电流Id=100uA。 4、扫描结果如图，找到Id=100uA的点，此时的w=69.756u 5、同样的方式，扫描PMOS的宽长比，扫描结果如图。PMOS的w=117.805u 6、进行静态仿真。进行biaspoint 仿真检验，这一步很重要。当所有的偏置电压和MOSFET的宽长比都设置好的时候，要去掉我们自己强加的静态输出电压，进行静态仿真，以确定我们现在的静态值是否满足了我们应有的值。 7、进行交流仿真。进行AC sweep仿真，这样就可以看MOSFET的宽长比、偏置电压确定时，CS放大器的放大倍数了。图中选择用dB表示输出电压，就是通常说的波特图。以上就是专题栏小编带来的orcad教程，更多教程请看“/zt/orcad/”

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4，mos管氧化层厚度公式

(1)、根据供电电压为士Vdd测量MOS管栅极氧化层的电容值Cox ； (2)、根据电容值Cox计算MOS管栅极氧化层的积累厚度。其中NMOS管为+Vdd，PMOS管为-Vdd。栅极氧化层的积累厚度Tox的计算公式为Tox= ε X εΟΧΑ/Cox，其中，Cox为栅极氧化层的电容值，ε为真空介电常数，ε O为Si02的介电常数，A为电容面积。此种方法，对厚度较厚的MOS管栅极氧化层测量其电容值时，MOS管在供电电压士Vdd的作用下进入饱和状态，则电容值的测量就会很精确

5，求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，算的时候注意单位统一，需要指出的是，你那单位面积的电容算错了，单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级，氧化层厚度算20nm的话，那这个电容应该就在0.01F/m^2的数量级，电子迁移率0.135m^2/(V·s)都算高的，实际MOS管中因为表面态的影响，还不到这个值，经验值是减半，大概是0.07吧，乘以电容也就是10^-4数量级了，如果MOS管宽长比算单位1的话，乘上个电压，电流数量级也就在十的负三负四次方的级别，主要就是你的电容数量级算错了

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