等长线长度控制在多少，工程制图中单点长线线段长多少毫米
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-03-24 11:27:03
1，工程制图中单点长线线段长多少毫米
在建筑制图中起止符号只能使用短斜线 3.在移出断面图中，断面轮廓线应采用(土建工程图样上标注的尺寸数字，是物体的实际尺寸，它与绘图所用的比例无关
2，1g差分信号允许不等长多少
看速率，一般125M的速率可以不等长。但是也不要误差太大，比如超过2-3mm，300多M的速率到1G或更高速率需要严格等长，5-10mil以内，速率越高，要求越严。看你差分信号上的频率是多少了，一般的USB2.0的，长度误差在20nmil内就可以了，如果是SATA的，最是5mil的。最好是等长走线。这个不是必需的。长度差大一点没有关系。比如80mil都没有关系的。等长差距最好控制在2mm以下，由于同组差分正负线间距相同，一般可以2mm以内，不同组差分就要走蛇形线。
3，急求股票做长线的指标
股票长线指标公式其实是现成的，macd的趋势指标就是投资股票的、比较好的长线专用技术指标公式的。一般说来换手到8%上，市盈率在20%下算是好股票可中国的股市，谁知道呢
4，emmc等长要求
1，数据线DATA[0-7]走线要（基本）等长（含芯片内部线长），线要短，线间距控制3W原则，参考面要完整（参考面下面最好不要走其它高速信号线），阻抗要控制50欧姆（不可小于10%）。2，时钟线EMMC_CLK（基本）要和数据线等长，要包地处理，参考面要完整（参考面下面最好不要走其它高速信号线），阻抗要控制50欧姆（不可小于10%）。3，控制线EMMC_RST,EMMC_CMD,EMMC_DQS信号线（基本）要和数据线等长，线要短，线间距控制3W原则，参考面要完整（参考面下面最好不要走其它高速信号线），阻抗要控制50欧姆（不可小于10%）。4，此点要牢记：：A, EMMC的型号版本有区别，要确认好自已使用的版本，要确认好原理图的封装和PCB的封装的PIN管脚编号和管脚定义要一一对应。B, EMCC的所有信号线不可走在 RFU & VFS的管脚上，且RFU & VFS的管脚最好加上测试点。若按以上要求来处理EMMC Flash走线，基本不会出线异常。
5，数控车如何控制长度
数控车的长度还不容易控制吗？如果仅是长度的话你可以编程从端面加工，这样长度不就可以控制了吗？问题太不详细，这个问题好像不是数控车的问题。 按你说的应该是切断工件保留90长，这应该是夹具定位问题。切刀平端面后退出，在MDI方式下让车刀移动90+刀宽，下刀切就行如果光是控制长度的话简单~问题是你写了个90~公差是多少？ 自由公差的话还不好控制么？
6，10Gbps pcb 走线等长要求
10Gbps pcb 走线等长要求确认同组线与线之间的间距要求，高速的DDR要求3W间距绕线的方式。常规走线线宽≥4mil（0.1016mm） (特殊情况可用3.5mil，即0.0889mm)；小于这个值会极大挑战工厂生产能力，报废率提高。走线不能出线任意角度走线挑战厂商生产能力，很多蚀刻铜线时候出现问题，推荐45°或135°走线。等长要求需要提前确认的事项：1、检查线有没有布完，检查是否有漏线。2、信号线是否有优化好，间距规则有没有设并已清完相关DRC。3、布线是否满足要求，如同组走同层，线宽是否正确。4、绕线时需要注意所做的部分对周边布局布线是否造成影响。5、是否明确绕线规则，如几倍线宽或间距进行绕线与线与线之间的相互约束关系。6、对于中间有串阻的颗粒，明确前后两端是否有信号线长度限制要求。7、参考平面是否确认，注意等长时不要跨参考平面布线。8、绕线策略为：先做Address的等长，再往两边扩展做data的等长。9、在组内绕线时一定要找出组内最长的信号线，并尽可能缩短，再以其为基准进行绕线。
7，Altium Designer 里面怎么画等长线
altium designer 里面怎么画等长线（1）一般是将走线布完后，新建一个class。 design -> classes如上图添加完后可以点击close。（2）快捷键 t + r； 或者 点击tools 下拉中的interactive length tuning 。 点击class中的一条net，然后tab键设置属性。一般选最长的net线做参考。如上图tdr5。依次设置蛇形走线规则。（3） t+r点击class里面的net逐次调整为蛇形等长线。如下图等长线走线完毕，以上例子紧为参考。估计你是想画总线吧！！ 按P键后如图所示 向左转|向右转 前提是你要设计好规则 如果只是画一条线和之前的线一样长，那你还是复制来得快 CAD也可以直接设定长度再画，
8，PADS里根据怎么来算等长的具体长度呢
给你看个例子1. 所有信号的容性负载为15pF@166MHz, 1.8V。所以所有的电容包括电路板的寄生电容要小于15PF；2. 走线阻抗控制为45Ω-55Ω；3. 走线分支尽量短；4. 最长走线长度45mm；5. 信号走线必需有参考层（GND或PWR平面）；6. 走线尽量在内层；7. 尽量加强电源走线，去耦电容紧靠电源脚；8. DRAM芯片每个电源网络至少两个去耦电容；9. 使用完整的地平面和电源平面为信号提供参考面。● Xm1DQS and Xm1DATA, Xm1DQM信号Xm1DQS0 & Xm1DATA[7:0], Xm1DQM0一组，Xm1DQS1 & Xm1DATA[15:8], Xm1DQM1一组，Xm1DQS2 & Xm1DATA[23:16], Xm1DQM2一组，Xm1DQS3 & Xm1DATA[31:24], Xm1DQM3一组，每组之间布线长度偏差± 5.0mm。如果是DDR2内存偏差为± 1.0mm。● Xm1SCLK and Xm1SCLKn信号1. 推荐使用星形拓扑；2. 推荐差分阻抗为100Ω；3. Xm1SCLK & Xm1SCLKn布线长度偏差±1.0mm；4. Xm1SCLK(n) & Xm1DQS[3:0] 布线长度偏差± 10mm；● 其它控制信号1. Xm1SCLK(n) & Xm1ADDR[15:0], Xm1CASn, Xm1RASn, Xm1CKE[1:0], Xm1WEn布线长度偏差± 10mm；2. 地址信号(Xm1CKE[1:0], Xm1CSn[1:0], Xm1ADDR[15:0], Xm1RASn, Xm1CASn, Xm1WEn)推荐使用T形拓扑；3. 不要靠近高速信号(Xm1SCLK, Xm1SCLKn, Xm1DQS(n)[3:0] and Xm1DATA)，与其保持至少3W线距；
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等长线长度控制在多少长线 长度 控制
