51单片机rom有多少个页，8051单片机有几个存储区是如何分布的
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-03-19 23:42:01
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1，8051单片机有几个存储区是如何分布的
内部RAM（00H~7FH或00H~FFH）特殊功能寄存器80H~FFH扩展RAM0000H~FFFFHROM区0000H~FFFFH详见具体的数据手册。现在的51单片机具体的规格型号太多了，在存储区分配方面是有差异的。不同厂家品牌和规格的产品，在rom、ram和寄存器方面，配置可能是不同的。
2，51单片机的ROM有多大
51单片机的ROM到底有多大这要分两个情况：第一，内部ROM，无论是EPROM、EEPROM、FLASH等等，随型号是不同的，从1K到64K都有。第二，51单片机的整个ROM空间是64K，因为51的地址有16位，所以不采取其他措施，只能访问64K的ROM空间。
3，MCS51 内部RAM一共多少个单元
但是某些型号的可能要多毕竟不是一家在生产 补充： 关于MCS-51 单片机的存储器地址空间，讲起来，要用几页的篇幅。简单介绍如下：MCS-51的存储器有片内RAM、片外RAM 和 ROM 三个空间。－－－－－－－－片内RAM：地址范围是00H到7FH （52系列延伸到FFH）。其中00H到1FH，共32字节，分成四个工作寄存器区，每区有寄存器 R0~R7。对此区域，可以使用 R0~R7 来操作，代码短捷，但是，只有一个当前工作区是可以这样读写的。对此区域，也可以使用字节地址，来读写。－－20H-2FH，共16字节，是位寻址区，共有128个“位”，位地址：00~7FH。此区域，也可按照字节寻址，来读写。－－80H-FFH，共有128个地址号码，其中离散的分布着21个特殊功能寄存器，必须直接寻址才能读写。（52系列，在此范围，还有128字节的 RAM，必须间接寻址才能读写）。对上述空间读写，必须使用 MOV 指令。－－－－－－－－片外RAM：片外RAM的地址范围是0000H到FFFFH，容量即为64KB。对片外RAM读写，必须使用 MOVX 指令。－－－－－－－－ROM：ROM的地址范围是0000H到FFFFH，容量即为64KB。其中0000~0FFFH，即4K，在片内，其它在片外。（对于8031，这64K的ROM，都在片外。）对ROM读出，必须使用 MOVC 指令。 追问： 片内低128单元和片内高128单元能和到一起来说是256个单元吗？ 回答： 高128不是都有的，只有几个特殊的存在的。内部的低64字节是直接寻址高64字节是间接寻址，因为高64为地址被特殊寄存器占了
4，8051单片机内的ROM容量有多大有哪几个特殊的程序入口地址
存储容量是4KB，表示有4096个存储单元，每个单元存放8位数，就是一个字节，就是一个Byte，缩写为B。是从0000H~0FFFH，这是存储器的地址范围。每一个单元都要有一个地址，这些地址就是4096个，对应上面说的4096个存储单元。每个单元，就好比一个教室，而每一个教室都要有一个编号吧，这个编号就是单元地址。
5，51单片机扩展ROM
有专门的工具，叫做“编程器”，通常可以烧写PROM、EPROM、GAL、PAL以及各种单片机等等。用通用编程器即可。不过，我觉得没什么必要扩展外部ROM,选内部ROM大一些的51就可以了。要让51外扩展的ram起作用,关键是要确保在mcu相关引脚上产生正确的外部读写时序(我这里默认你硬件连接全部正确).首先很关键的一步是要仔细看你使用的mcu的资料,下面我仅对c语言需要注意的地方讲解（汇编这里就略了，因为对于新手来说，讲的复杂并不是好事）1、对于atmel、winbond等mcu，可以在c里，直接用xdata保留关键字来对变量进行声明，这样在访问这些变量时就能直接产生外部读写信号。2、对于stc的mcu（比较新的mcu类，我这里就列举目前的stc类mcu内部用1024个字节ram扩展），这里有更多的功能选择，位于内部8eh地址上的auxr是ram的扩展管理寄存器，其中的extram位（位1）：0：内部扩展的ext_ram可以存取rd+系列单片机：在00h到3ffh单元(1024字节),使用movx@dptr指令访问,超过400h的地址空间总是访问外部数据存储器（含400h单元），movx@ri只能访问00h到ffh单元。rc系列单片机：在00h到ffh单元(256字节),使用movx@dptr指令访问,超过100h的地址空间总是访问外部数据存储器（含100h单元），movx@ri只能访问00h到ffh单元。1:externaldatamemoryaccess.外部数据存储器存取,禁止访问内部扩展ram，此时movx@dptr/movx@ri的使用同普通8052单片机下面是对于stcrd+的c语言简单举例子：unsignedcharxdatasum;sum=20;这里在extram为0的情况下，如果sum的地址超过400h（含400h），那么就能产生外部ram的读写时序，如果sum的地址小于400h，那么只能访问内部扩展的ram，但不会产生外部ram的读写时序。这里在extram为1的情况下，那么就直接产生外部ram的读写时序。好了，就讲这样简单吧，总之，在使用mcu硬件前，必须先对该硬件资料熟悉，使用的时候，才能游刃有余。
6，mcs51单片机数据存储器RAM分布情况说明片内和片外如何区分
51单片机有以下几个内存模块组成：1】ROM或者Flash，叫程序存储区，你写的程序是存在这里面的，上电后从这里面执行。 程序存储区也分为片内和片外，一般来说，现在的51很多已经做到了64K，所以很少有外扩 片外Flash或者片外的Rom了，Flash或者Rom不管是片内还是片外的，只能用来定义常量，是用code来修饰，也就是说，用code来修饰的东西，在程序运行过程中，不能修改；2】RAM有------内部RAM的低128位（00-7F)，对应C语言就是data,比如我定义一个变量， data unsigned char Var = 0; 那么，这个 Var变量就是放在内部的低128位Ram中 -------内部RAM的高128位（80-FF)，对应C语言就是idata,比如我定义一个变量， idata unsigned char Var = 0; 那么，这个 Var变量就是放在内部的高128位Ram中 -------特殊功能寄存器（SFR）（80-FF)，对应C语言就是Sfr比如我定义一个变量， Sfr unsigned char Var = 0x90; 那么，这个 Var变量就是放在内部的特殊功能寄存器中,这是你对Var操作，相当于操作一个特殊的寄存器，但是小心，不能随便定义Sfr变量，很危险 ------外部RAM 64K（0000-FFFF） 外部的RAM可以扩展到65536个，但是前256个算是一页，这一页比较特殊，是用 pdata来修饰的，当然，也可以用xdata来修饰。 除了第一页的256个以外的其他65280个空间，只能用xdata来修饰； 回过头来讨论pdata和xdata，这两个都能修饰外部Ram的第一页，但是，Pdata只能修饰第一页，即最前面的256个外部Ram,那么，这最前面的256个到底用Pdata还是Xdata好的呢？答案是Pdata，因为Xdata修饰的变量，用的是DPTR寻址，Pdata用的是R0和R1.DPTR因为是16位的，所以可以覆盖整个的64K外部Ram，R0和R1是8位，所以只能寻址最前面的256个，也就是外部Ram的第一页，但是，用R0寻址，比DPTR快一倍，代码也小的很多楼主又疑惑了，好多地址是重复的，比如，我向80H地址写一个数值，单片机怎么知道读的是内部的高128位RAM？还是SFR？还是外部64K的RAM呢？答案是用指令，如果是直接寻址，那么访问的就是SFR，如果是R0或者R1间接寻址，就是内部高128位RAM，如果是DPTR或者是R0，R1间接寻址，且配合的是MovX指令，那么就是访问外部64KRAM中的第80H个地址。概括一下来说，51的内存由以下组成：1----程序存储器（包括片内Flash或Rom,也包括片外Flash或Rom，C语言用Code定义）2----内部低128位Ram,C语言用data定义3---内部高128位Ram,C语言用idata定义4---内部SFR，C语言用Sfr定义5---外部65536个Ram（通常，很多单片机厂家不会给你扩展那么多的，一般来说扩展256个字节或者1024个字节就差不多了，最近宏晶的出了个扩展4096字节的。这65536字节的Ram，前256个可以用Pdata修饰，也可以用Xdata修饰，超过256个之后的，只能用Xdata修饰）以上所说的只是针对51内核的单片机，其他内核的，像ARM之类的，不是这种结构的。
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