本文目录一览

1，最注重音质4寸屏幕以下续航长价格在500元上下个人台电的T

肯定是艾利和S100要更好啊，续航时间接近50小时，外形也更漂亮，当然牌子也更大

最注重音质4寸屏幕以下续航长价格在500元上下个人台电的T

2，另外数码的片子别管像素是几百万只看长边的像素数1200出5寸

没有啊 只是那个最适合 不是一定的
这个是按照冲印所需尺寸而定的 5寸是3.5×5 6寸是4×6 7寸是5×7 这三个尺寸是比较常用的，要更详细的可以去百度一下 所需要的象素自然是越高越好，你说的1200出5寸是按照240DPI出片 一般来说DPI越高照片细节越多，而冲印店的成本也越高 所以现在大多冲印店都将DPI控制在300以下 你可以看看国家地理之类的摄影杂志，他们的DPI是300，贺卡的DPI也是300 300DPI是印刷出版所需的最低DPI 目前主流是340DPI 解释一下DPI：象素每英寸

另外数码的片子别管像素是几百万只看长边的像素数1200出5寸

3，一2寸片蓝宝石衬底可以制造多少个LED芯片

2寸蓝宝石衬底是用于生长氮化镓LED结构，完成品叫做外延片LED芯片的尺寸差别很大，目前市场最小的有7*7mill，最大的功率照明芯片有45*45mill数量计算方法很简单，因为2寸是2英寸，mill是1/1000英寸由于外延片有所谓的"平边"，所以面积并没有实际的圆形那么大，所以不能用3.1415927*7mill数量=3*1000*1000/(7*7)=61224颗45*45mill数量=3*1000*1000/(45*45)=1481颗初步估计数字
这个行业不错啊，现在的led发展的很好，尤其是大功率的led，很受欢迎。但是蓝宝石衬底好像供应不足，上次报道蓝宝石衬底已经涨了50%，现在做芯片的越来越多，而且led得产品也多元化了，所以很有前景，但是你要调查蓝宝石衬底是不是也有很多厂家进入，不要盲目。谢谢。
具体需要看你说需要的芯片尺寸是多少，一般来说45*45能出1500-2000颗左右
1个

一2寸片蓝宝石衬底可以制造多少个LED芯片

4，是买iphone4好还是nokiaE7请从实用性手感可操控性可扩展

别的不清楚，但是用iphone4的人，不会说iphone4不好用
我很奇怪，为啥看上E7了……因为她多个键盘还是能接鼠标？都是鸡肋么。楼上的不知道能不能看懂，实用性，什么叫实用性？你能天天玩游戏么？不可能的事，你能一天充好几次电么，也不可能。手感的话诺基亚比较好。它的工业技术成熟一些。操控性苹果当然更好一些，但是日常你也用不着操控什么东西。扩展应用都差不多。关键看你需要什么，你要是想买个游戏机，苹果比较好，前提是你不怕充电。要是实用性，质量，还是诺基亚。看名气啥用没有。不懂得跟风的，瞎说的遍地都是。还得看自己，其实你可以买一个诺基亚配一个Itouch。这样就兼顾了
两个都不好，个人推荐HTC Derise HD 我先说为什么我两个都不推荐价格：两个价格都不便宜，LZ你也是知道的吧iphone4（5999左右） n8行（4500左右，水2800） 质量：iphone4在零下40度屏幕就会开裂，貌似高于35度也会，n8，诺基亚的质量我相信，，， 音质：iphoue，没听过，不做评价，不过苹果的mp3 mp4让我联想到他的手机也不会差到哪去。n8，我听过，不错，但可惜没听多久。。。 手感，由于屏幕都是3.5英寸，所以都不错。iphone4还有苹果皮，自然更舒适，不过n8是
我觉得智能机nokia的s60系统人性化。看看你是喜欢手写还是键盘了。但是不是很喜欢E7。
绝对是iphone4好 实用性：年青人的话iphone好较好 成年人的话NOKIA比较适合 手感：绝对是iphone好 可操控性： 可扩展：iphone 资金不宽裕的话可以买HTC desire hd之类的机 纯属个人意见。

5，电脑配置表和价钱电脑高手请进4核的玩游戏用4000到5000元左右

别买4核 不是CPU核心越多就越快 而且现在4核对游戏的支持不是很好 有很多不兼容的地方 要看频率 我高端单核 都能比你4核 运行单任务快 信不？ 给你个配置 CPU: Intel Core2 Dou E8200 内存:现在都标配4G 多了浪费 显卡: 既然高端CPU 就要高端的显卡了 强力推荐 9800GTx+ 主板: MSI P35 硬盘 ：不做说明 非常便宜 光驱: 120买个DVD的可以了 - - 不要看4核觉得很牛x 要用事实说话 频率高才是王道 所以你看很多老机器 的用户 情愿超频 不换机器 我给你的配置 性价比绝对高 基本秒杀现在市面所有游戏: 刺客信条 GTA4 鬼泣4 （全部高端效果）
CPU 　Intel Core 2 Quad Q8200散片＋散热器 1045+50 主板 　微星 P45 Neo3-F(PCB 1.1) 799 内存 　宇瞻 DDR2-800 2G *2 260 硬盘 　希捷 7200.12 1TB 32M 659 显卡 　影驰 GTS250骨灰上将版 899 光驱 　先锋 DVR-217CH 220 显示器 　宏碁 X233Hbd 1199 鼠标 　罗技 光电高手1000多媒体键鼠套装 139 机箱电源 　自选机箱+长城 双卡王500SE 500 整机 约5800元 这配置可以通吃现在所有的电脑游戏，开启全效都没问题
我建议你买一台笔记本吧， 我现在用的就是这台，刚买的。 华硕（ASUS）M50S64VN-SL 处理器 类型 酷睿 2 双核 Core 2 Duo 速度 T6400(2.0GHz) 系统总线 800MHz 二级缓存 2MB 芯片组 芯片组 移动版英特尔 PM45高速芯片组+ICH9M 内存 标配容量 2GB 速度 DDR2 插槽数量 2 x SO-DIMM 最大支持容量 4GB 硬盘 容量 320G 转速 5400转/分钟 接口类型 SATA 串行 显卡 类型 独立显卡 显示芯片 NVIDIA GeForce 9650M GT独立显示核心 显存容量 独立1GB 显示器 尺寸 15.4英寸 宽屏支持 是 物理分辨率 1440 x 900 类型 WXGA+ 光驱 类型 DVD刻录 界面 内置 规格 DVD Super Multi Double Layer 通信 局域网 10/100/1000Mbps 无线局域网 802.11N 端口 PC卡插槽 1 x Express扩展卡插槽 音频端口 1 x 麦克风接口; 1 x 音频接口 显示端口 1 x VGA接口/Mini D-sub 15-pin支持外接显示器，1 x HDMI接口，1XE-SATA接口 麦克风 支持 音效系统 扬声器 内建符合Azalia标准的声卡，支持全双工音效处理及3D立体音效 内建立体声喇叭和高品质麦克风 输入设备 键盘 标准86键18.2毫米键盘，具有Windows功能键 触摸板 有

6，推荐几款卡片相机要求有四防功能价格在2000左右

个人建议和观点供你参考: 1.相机上感光元器件芯片的尺寸大小,对最终的成像效果是最重要的,而不是看像数的多少,如A相机感光元器件芯片的尺寸为1/1.7英寸,800百像数,B相机感光元器件芯片的尺寸为1/2.3英寸,1000万像数,A相机的成像效果绝对要好于B相机. 2.光学变焦倍数是3-5倍或以上更好,高倍率的光学变焦,焦段涵盖面较大,数码变焦的大小无需考虑,(通俗点说,该变焦是以损失成像画质的前提下来达到变焦目的点,无实用价值). 3.有无丰富的手动拍摄功能,无此功能是全自动相机,在实际拍摄中,针对各种复杂多变的拍摄环境,无法通过手动调节光圈、快门等参数来获得精确的曝光,只能通过机内预式的各种拍摄模式来应付各种复杂多变的拍摄环境,特别是光线较差情况下,尤其是拍摄夜景时,成像效果会显得不怎么理想,有全面的手动拍摄功能,在拍摄时可以更多融入你自己想要的效果,拍摄的乐趣和空间会更大,尤其在拍摄纯夜景相片时,通过手动调节曝光、光圈、ISO等参数后,得到的相片画面效果清彻洁净无任何噪点,是全自动相机用类似夜景模式之类的所谓程序模式(俗称傻瓜模式)相机拍摄的成像效果无法相比的. 4.家用消费级DC上无需考虑ISO参数最大感光度是多少,实际拍摄中,一般ISO参数在320以下时,相片成像质量还可以,超过这个参数,相片上明显会出现红绿噪点,严重影响成像质量,(单反相机上要考虑ISO参数最大感光度). 5.采用光学防抖功能的相机优先考虑,实用价值高,实际拍摄中能显著改善因相机轻微抖动而造成的图象模糊,采用电子防抖、数字图象稳定器之类的防抖功能是无实用价值的,基本是忽悠人的玩意,无需考虑. 6.相机显示屏的大小和像数的多少无需太重视, 对实际的成像效果是丝毫无影响的,仅是在回看拍摄的相片时的养眼与否的区别,大尺寸的显示屏反而会消耗更多的相机有限电量. 7.家用消费级DC相机上,不要太在意广角的有无,有了广角,实际的成像效果绝没有想象中的那么好,没有了广角,实际的成像效果绝没有想象中的那么差. 佳能A2000IS、(佳能A2000IS有6倍的光学变焦) ,佳能IXUS80、85、870、980、索尼W150、W170、W300、尼康S710,其中佳能IXUS870和索尼W170、尼康S710有28mm的广角,价格在1300-2500元左右,都是采用伸缩式镜头的卡片机,成像效果要比采用潜望式镜头(如索尼T系列相机)的卡片机要稍好些, 佳能A2000IS、 佳能IXUS80、索尼W150的性价比较高. 佳能A2000IS、佳能IXUS80、85、870、索尼W150、W170是全自动相机,在实际拍摄中,针对各种复杂多变的拍摄环境,无法通过手动调节光圈、快门等参数来获得精确的曝光,只能通过机内预式的各种拍摄模式来应付各种复杂多变的拍摄环境,特别是光线较差情况下,尤其是拍摄夜景时,成像效果会显得不怎么理想,但一般家用完全能胜任. 其中索尼W300、佳能IXUS980、尼康S710性能更好,最主要的优势在感光芯片CCD尺寸比较大,为1/1.7英寸左右,大尺寸的感光芯片配合千万以上的高像数,能真正带来更高质量的成像效果,除机内预式的多种拍摄模式外,更具有全面的手动拍摄功能,在拍摄时可以更多融入你自己想要的效果,拍摄的乐趣和空间会更大,尤其在拍摄纯夜景相片时,通过手动调节曝光、光圈、ISO等参数后,得到的相片画面效果清彻洁净无任何噪点,是佳能A2000IS、佳能IXUS80、85、870、索尼W150、W170用类似夜景模式之类的所谓程序模式(俗称傻瓜模式)相机拍摄的成像效果无法相比的. 佳能A590IS、A650IS、A720IS,价格在1300-2000元左右,性能也较好,最主要的优势是和索尼W300、佳能IXUS980、尼康S710一样,具有全面的手动拍摄功能. 其中佳能A650IS更好,最主要的优势在感光芯片CCD尺寸比较大,为1/1.7英寸,大尺寸的感光芯片配合约1200百万以上的高像数,能真正带来更高质量的成像效果. 索尼H系列、佳能博秀系列长焦机,价格在1800-3000元左右,10倍以上的高倍率光学变焦,焦段涵盖面较大,基本可以一镜走天下,全面的手动拍摄功能,在拍摄时同样可以更多融入你自己想要的效果,拍摄的乐趣和空间会更大,但体积相对较大.

7，LED用蓝宝石衬底材料有哪几种

LED用衬底材料一般有蓝宝石衬底，碳化硅衬底及硅衬底三种，其中蓝宝石衬底应用最广泛，因为其加工方法以及加工成本等与其他两种相比较都有不小的优势。虽说在晶格匹配上面是氮化镓衬底砷化镓衬底最为匹配，但其生产加工方法要比碳化硅及硅等都更难上加难。当前用于GaN基LED的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底目前只有两种，即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离。 　　一、红黄光LED 　　红光LED以GaP(二元系)、AlGaAs(三元系)和AlGaInP(四元系)为主，主要采用GaP和GaAs作为衬底，未产业化的还有蓝宝石Al2O3和硅衬底。 　1、GaAs衬底：在使用LPE生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。外延层生长在GaAs衬底上，由于晶格匹配，容易生长出较好的材料，但缺点是其吸收这一波长的光子，布拉格反射镜或晶片键合技术被用于消除这种额外的技术问题。 　　2、GaP衬底：在使用LPE生长红黄光LED时，一般使用GaP外延层，波长范围较宽565-700nm;使用VPE生长红黄光LED时，生长GaAsP外延层，波长在630-650nm 之间;而使用MOCVD时，一般生长AlInGaP外延结构，这个结构很好的解决了GaAs衬底吸光的缺点，直接将LED结构生长在透明衬底上，但缺点是晶格失配，需要利用缓冲层来生长InGaP和AlGaInP结构。另外，GaP基的III-N-V材料系统也引起广泛的兴趣，这种材料结构不但可以改变带宽，还可以在只加入0.5 %氮的情况下，带隙的变化从间接到直接，并在红光区域具有很强的发光效应(650nm)。采用这样的结构制造LED，可以由GaNP 晶格匹配的异质结构，通过一步外延形成LED结构，并省去GaAs衬底去除和晶片键合透明衬底的复杂工艺。 　　二、蓝绿光LED 　　用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。 　　1、氮化镓衬底：用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延片膜的晶体品质，降低位元错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过HVPE方法在其他衬底(如Al2O3、SiC、LGO)上生长氮化镓厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显，即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位元错密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化镓薄膜的位元错密度要明显低;但价格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。　　2、蓝宝石Al2O3衬底：目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3，其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;不足方面虽然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服，导电性能差通过同侧P、N电极所克服，机械性能差不易切割通过雷射划片所克服，很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。但是，差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功率型器件大电流工作下问题十分突出。 　　3、SiC衬底：除了Al2O3衬底外，目前用于氮化镓生长衬底就是SiC，它在市场上的占有率位居第2，目前还未有第三种衬底用于氮化镓LED的商业化生产。它有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，但不足方面也很突出，如价格太高、晶体品质难以达到Al2O3和Si那麼好、机械加工性能比较差。 另外，SiC衬底吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下的紫外LED。由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能，不需要像Al2O3衬底上功率型氮化镓LED器件采用倒装焊技术解决散热问题，而是采用上下电极结构，可以比较好的解决功率型氮化镓LED器件的散热问题。目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。 　　4、Si衬底：在硅衬底上制备发光二极体是本领域中梦寐以求的一件事情，因为一旦技术获得突破，外延片生长成本和器件加工成本将大幅度下降。Si片作为GaN材料的衬底有许多优点，如晶体品质高，尺寸大，成本低，易加工，良好的导电性、导热性和热稳定性等。然而，由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。另外，由于硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。 　　5、ZnO衬底：之所以ZnO作为GaN外延片的候选衬底，是因为他们两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格失配度非常小，禁带宽度接近(能带不连续值小，接触势垒小)。但是，ZnO作为GaN外延衬底的致命的弱点是在GaN外延生长的温度和气氛中容易分解和被腐蚀。目前，ZnO半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件，主要是材料品质达不到器件水准和P型掺杂问题没有真正解决，适合ZnO基半导体材料生长的设备尚未研制成功。今后研发的重点是寻找合适的生长方法。但是，ZnO本身是一种有潜力的发光材料。 ZnO的禁带宽度为3.37 eV，属直接带隙，和GaN、SiC、金刚石等宽禁带半导体材料相比，它在380 nm附近紫光波段发展潜力最大，是高效紫光发光器件、低阈值紫光半导体雷射器的候选材料。ZnO材料的生长非常安全，可以采用没有任何毒性的水为氧源，用有机金属锌为锌源。 　　6、ZnSe衬底：有人使用MBE在ZnSe衬底上生长ZnCdSe/ZnSe等材料，用于蓝光和绿光LED器件，最先由住友公司推出，由于其不需要荧光粉就可以实现白光LED的目标，故可降低成品，同时电源回路构造简单，其操作电压也比GaN白光LED低。但是其并没有推广，这是因为由于使用MOCVD，p型参杂没有很好解决，试验中需要用到Sb来参杂，所以一般采用MBE生长，同时其发光效率较低，，而且由于自补偿效应的影响，使得其性能不稳定，器件寿命较短。 现在蓝宝石衬底是最为广泛应用的，晶体主要材料来自美国，俄罗斯，台湾，大陆也开始慢慢起来了

文章TAG：英寸4英寸蓝宝石衬底每万片能耗多少  最注重音质4寸屏幕以下续航长价格在500元上下个人台电的T  
下一篇