同步整流压降是多少，谁知道1N系列的整流管的压降是多少

本文目录一览

1，谁知道1N系列的整流管的压降是多少
2，整流二极管的工作降压是多少
3，整流二极管的压降是多少
4，同步整流管与其他整流管有什么不同
5，40HFR120整流二极管正向压降是多少伏
6，同步整流电流倒灌原理
7，IRF840可以做同步整流管用么 MOS管满足什么条件可以当做同步整
8，整流电路中负载电阻上的直流电压是交流电压的多少倍
9，请教220V电压经变压器降压为9V再经二极管桥式整流后输出的电
10，二极管的管压降硅管不是才07伏吗为什么用作整流桥时我们测到

1，谁知道1N系列的整流管的压降是多少

0.6V左右由于存在一定的离散性,实测时可能在0.55-0.7V之间

0.7V再看看别人怎么说的。

0.6-0.7之间。

谁知道1N系列的整流管的压降是多少

2，整流二极管的工作降压是多少

整流二极管的1N4000系列在1A导通压降为1V,10A时1.4V,0.01A时0.7V。最高工作频率MHz: 在相应的反向电压下高于最高频率，二极管失去开关特性。额定脉冲功率W500：瞬间通过的最大功率。

整流二极管的工作降压是多少

3，整流二极管的压降是多少

硅管0.7V左右，锗管0.3V左右

在0.3v≈0.7v左右。

硅管O.7v锗管0.3V

前二者中和就是

正向压降0.6-0.7V

整流二极管的压降是多少

4，同步整流管与其他整流管有什么不同

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管：耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

5，40HFR120整流二极管正向压降是多少伏

40HFR120是硅材料的整流二极管，硅管的压降是0.7V，锗管的压降是0.2V。

　參數說明　Description 　STD DIODE 逆向　Pins/Package 　DO-5(DO-203AB) 　Vrrm 　1200V 　IF (A) 　40A

0.65V

0.6V左右

40HFR120整流二极管正向压降最大是1.3V。

6，同步整流电流倒灌原理

目前发电机整流器主要使用硅二极管作为整流元件，硅二极管正向压降大约为0.3～1V，大电流时通态功耗很大。随着汽车的大量普及，由硅二极管整流带来的功耗不容忽视。同步整流技术(Synchronous Rectification，SR)采用低电压的功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)作为整流器件，利用其沟道通态电阻，可以很好的降低整流器模块的整体功耗。而采用同步整流技术的主要难度在于其整流管的栅极控制，如果流过整流管的电流极性突然发生变化，此时存在输入/输出端口到电池或地平面的电流通路，构成倒灌，可造成对整流器和控制电路的损坏。整流管的驱动主要采用脉冲宽度调制PWM方式，其实现较为复杂，需要建立空间矢量数学模型，进行复杂的变换求解，因此在电路组成上需要大量的逻辑处理，增加了技术难度和成本；而汽车发电机受汽车转速影响，更增加了控制算法的难度，应用成本太高，不利于同步整流技术的普及。技术实现要素：本发明的目的，就是针对目前同步整流技术中存在的技术难度大、成本高、功耗大的问题，提出一种控制电路，用于控制电机发电的整流电路，结构简单，电路功耗低，能够提高电机的整体效率，且能够防止电流倒灌，使得整流电路更加安全可靠。本发明的技术方案为：一种防止电流倒灌的同步整流控制电路，用于控制同步整流系统中的整流管，包括电压检测模块、逻辑控制模块和驱动模块，所述电压检测模块用于检测所述整流管的漏源电压并产生第一检测信号、第二检测信号、第三检测信号和第四检测信号；所述电压检测模块包括第四NDMOS管M4、第四比较器Comp4和第四电压源，第四比较器Comp4的同相输入端连接第四NDMOS管M4的源极，其反相输入端连接第四电压源的正向端，其输出端输出所述第四检测信号；第四NDMOS管M4的栅极连接电源电压，其漏极连接所述整流管的漏极；

7，IRF840可以做同步整流管用么 MOS管满足什么条件可以当做同步整

查了下参数不怎么合适。同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，IRF840导通电阻接近1Ω，电流8A，导通压降就有8V了，还不如使用二极管整流呢。同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。因此用于同步整流的MOS管至少要使导通时的管压降低于你能找到的所有适用的二极管，否则就没有应用的必要，当然你要是钱多非要用MOS管的体二极管去整流也能够实现整流功能，但那应该算二极管整流。在几百伏高压场合用普通二极管整流效率就很高了，是不需要使用同步整流的。

8，整流电路中负载电阻上的直流电压是交流电压的多少倍

在桥式整流并忽略整流管压降的条件下，输出直流电压与输入交流电压有效值的关系与不同的条件相关：无滤波电路或者电感式输入滤波电路，输出电压为0.9倍。电容滤波，负载空载时，为1.4倍。电容滤波，输出带额定负载时，为1.2倍左右，主要受电源内阻的影响。

【整流电路中，负载电阻上的直流电压是交流电压的多少倍】这个问题很难回答。1、单相与三相整流后的电压是不一样的。2、半波整流与全波整流得出的电压也是不一样的3、滤波与否、电压都是不一样的。4、使用硅普通管、快恢复二极管、肖特基二极管、mosfet同步整流得到的电压也是不一样的。5、不同频率整流后的电压都是不一样的....

0.9倍

9，请教220V电压经变压器降压为9V再经二极管桥式整流后输出的电

9V正弦波交流电压的峰值约为12.7V左右，桥式整流后损失两个PN结的正向导通电压，如果用普通整流管（例如1N4001），每支整流管的正向压降在0.7V~1.1V（视电流大小而变），如果用肖特基管压降还会低些。单是整流的话，整流后的单向脉动电压峰值如上所述，有效值为峰值的0.707倍；如果再加滤波的话，基本上输出接近单向脉动电压峰值的直流电压（带有很少量的交流纹波）。

220v是单相有效值，正弦波，峰值为380v。变压器降压后，9v应该也是有效值，经桥式整流，减去二极管的管压降，应该在7.6左右。

如果有滤波电容的话就会高于9v的没有的话就会等于或者小于9v的这要看你的整流管是桥式还是半波滴。