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1，ARM连接DDR2阻抗控制问题

走线别太长，尽量两个芯片等距，就没事。
arm指的是cpu类型，运行内存1g，是ddr3的

ARM连接DDR2阻抗控制问题

2，请问DDR3器件信号线单端差分的阻抗控制值是多少

器件不同，单端一般50差分90-100直接，由器件定

请问DDR3器件信号线单端差分的阻抗控制值是多少

3，ddr3的具体参数

频率1066~1600MHz
内存容量 2GB 工作频率(MHz) 1333MHz 接口类型 240 PIN 不同品牌内存的芯片是不同的。

ddr3的具体参数

4，DDR3的匹配电阻是必须的吗

是的，我就没采用过那种方法，直接在走线上设计阻抗，通过叠层、走线宽度和铜箔厚度来共同达到阻抗，一般控制50OHM左右，线和数据线等长设计。注意时序。

5，ddr3做嵌入式设计在信号线控制线上是否可以不串联2030欧的匹

是的，我就没采用过那种方法，直接在走线上设计阻抗，通过叠层、走线宽度和铜箔厚度来共同达到阻抗，一般控制50OHM左右，地址线和数据线等长设计。注意时序。
应该不是吧。

6，大家是怎么进行DDR3的PCB布线

观看此视频后，您将获得最重要的信息，这将帮助您模拟自己的PCB布局。 我们将使用Cadence Sigrity，SystemSI，SPEED2000和Allegro。 00:00 / 01:28:0370% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

7，allegro关于阻抗控制差分阻抗控制一些问题

我之前时间刚做过DDR3这方面的设计，针对DDR3布线阻抗控制这方面，楼主说的没错，顶层跟底层是微带线，跟内层带状线在阻抗上是有区别，这时候，在内层的差分间距与线宽与外层须不一样，这时候坚持的原则是走线阻抗不变原则，具体在设置差分对的时候，对其设置线宽，线距可以对不同层进行设置，这样就可以实现阻抗不变。希望对楼主有用！
cadence的层叠的gnd层，要设置成平面层，而不是conductor。要告诉cadence这是一个大平面，而不是走线层。
阻抗。
你用polar大概模拟计算下，然后把需要管控的部分告知制板厂，让他们按照阻抗要求，进行管控

8，GDD5 GDD3什么意思

GDDR3,GDDR5都是是用于高性能显卡的专用图形储存器。 与DDR2比，GDDR3的架构更接近于DDR2，也是由DDR2开发而来，作为显卡的专用显存。从速度上讲，GDDR3更接近于DDR2，与较新的DDR3有一定差距。且GDDR3与DDR3是完全 不同的两代产品。与GDDR相比，GDDR3的主要创新表现为：工作电压从2.5V下降到1.8V；片内信号端接取代了GDDR中末端接的信号线；动态控制阻抗的输出驱动器；4位预取和单向单端数据选通。所有这些特性的综合效果就是更高的数据速率、更好的信号完整性和更低的功耗。由于这些变化，GDDR3存储器可以获得比GDDR和DDR2标准高得多的数据速率。 GDDR5的最大亮点就是带宽更高了，从16GB/s升至20GB/s，同时虽然电压还是保持在1.5V，但功耗会更低，因为GDDR5会自动降低空闲显存的频率，并支持错误纠正、适应性界面计时等多种新技术。按照奇梦达的说法，GDDR5的性能可达GDDR3 GDDR5的功耗会非常低，但性能更高，相当于目前800MHz GDDR3的三倍之多,同时可以提供两倍于GDDR4的容量，显存采用了新的频率架构，拥有更佳的容错性能。NVIDIA和ATI现在都已经为GDDR5在其未来的高端显卡上的应用做好了准备。除了用于桌面PC和笔记本显卡，GDDR5同样也会出现在未来的游戏主机中。据称，Intel的独立显卡也有可能采用GDDR5。

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