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1，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

2，一般MOS管的反向压降是多少伏

MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～1.5V。

一般MOS管的反向压降是多少伏

3，用什么样的mos管控制电源正极压降最低 基极电压5vD极电压12vS

您好，用大功率PNP型三极管担任调整管制作串联调整式稳压电源，调整管压降比较小
mos不会有压降的.是栅极不够电

用什么样的mos管控制电源正极压降最低 基极电压5vD极电压12vS

4，mosfet的Vds的压差怎么理解从漏极到源极的压降是多少

MOSFET的VDS-sat 一般0.2-4V。（同样的管子ID电流越大VDSsat越大，同样的管子驱动电压越高VDSsat越小）

5，tlp5211接收侧的压降多少

数据手册上有这个参数，10ma电流时约为1.0 - 1.3V
目前没有,可以用mos管代替开关, 饱和压降是0.2-0.4v,一般取0.3v 电流可以最大50ma,建议用到20ma

6，MOS管饱和压降问题

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

7，请问在提供电源只有3V的情况下能不能使用MOSFET管拜托各位

谢谢在这里我要用到的是MOSFET的开关特性在我的设计中我需要用到PMOSFET，可是一般的话MOS管都用在大电压的情况下其中流过的电流只有17MA多一点点请问能用MOS管吗 查看原帖>>
应该不能吧。

8，mosfet的门极阀值电压是多少了

最小的有不足2V的，最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高，Vds低的管子门极阈值电压也低。（无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通，但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。）
期待看到有用的回答！

9，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。
你好！用AO4407试试如有疑问，请追问。

10，请教各位如图所示的电路工作后MOS管压降达4V之多发热非常

上面是对的啊， 下面拷贝上面的，再加个三极管反相一下， 或者你用低压驱动mos
这个结果不意外。你的1n4743是稳压为13v的稳压管，现在电源都只有12v，所以d2其实并不起作用。q1的状态其实是截止，q1的集电极输出电压接近电源电压12v，g的电压是12v，但问题是ugs是多少呢？mos管的状态是ugs决定的。mos管导通确实只要2-4v，但问题是，mos管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，mos管只是在恒流区，除非ugs>10v，导通状态才比较好（开关状态），而且uds的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。

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