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1，用STM32读写TF卡 可以连续读写多少次呢

对SD卡连续读写操作会破坏FAT32的数据吗？
几十W次吧；具体要看厂家的参数；

用STM32读写TF卡 可以连续读写多少次呢

2，STM32F407的FLash的擦写次数是多少次

官方写的10K Cycles，一般来说至少10W次，烧坏之前肯定够。

STM32F407的FLash的擦写次数是多少次

3，stm32的flash能擦写多少次

10,000次超过擦写次数就是坏了。坏了的话结果就是不可预测的，可能能写，但下一次就写不进去了；可能能写一半，后一半写不进去。擦除读什么的都一样没有规律。
datasheet上有说明，100w次

stm32的flash能擦写多少次

4，stm32内部iic读写eeprom有问题吗

可以这么肯定的说，如果你的项目不是很特殊的情况下，那就不是问题。怎么说呢，官方承认在某种情况下，硬件I2C是存在不足的地方，但是官方给出了解决方法。STM32F10x_硬件I2C读写EEPROM(标准外设库版本)：http://blog.csdn.net/ybhuangfugui/article/details/52175621

5，用STM32读写TF卡 可以连续读写多少次

连续读写是按扇区的话会破坏FAT32。要想兼容mcu要用兼容fat32的文件系统。TF卡读不影响寿命，写之前要擦除，擦除才影响寿命。有人实际测试几千次就挂了。
对sd卡连续读写操作会破坏fat32的数据吗？

6，stm32f429能烧录多少次

10次。根据数据手册上面的标识，最大可以支持10次的烧写，不过这是理论的数据，实际是达不到的。STM32F427xx和STM32F429xx设备基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。

7，stm32片内Flash擦写次数有多少

一般是10k，规格书都有写的
基本上保证上万次，因为单片机对flash擦写次数并不是很高，所以也没有谁真正测试过具体能擦写多少次。只是用来擦写程序的话是完全可以满足需要的。但你用来像硬盘一样来存数据，绝对会出问题。

8，stm32f030f4的FLASH能用来做eeprom吗可用多少

STM32F的NRST是异步复位脚。\r\n当NRST输入低电平的时候，MCU处于复位状态，重设所有的内部寄存器，及片内几十KB的SRAM。\r\n当NRST从低电平变高时，PC指针从0地址开始。\r\n但是复位的时候不会将STM32F片内RTC的寄存器以及后备存储器重置，因为...
EEPROM 芯片和flash的特点都是断电数据保留，可以存放不同的数据。 EEPROM芯片容量小，芯片贵，但是在写入时不需要擦除，最小可写一个字节，读写的速度比较慢，但因为写起来方便，适用于常常修改的数据。 而flash芯片容量大，但是在写入时需要擦...
模拟EEPROM，就是你的数据需要更换，但不是很频繁更换的那种。就可以。如果是经常更换，每天更换几百几千次，那就还是用EEPROM。

9，STM32L152 求助其内置的eeprom如何使用

STM32L152 求助其内置的eeprom如何使用先要了解stm32内部flash的使用过程，需要解锁，擦除页，再确定flash地址，向这一地址写入需要保存的数据，写好后再上锁就可以了。建议找些例程看看，部分代码（擦除页时要关闭中断）：/* 解锁flash控制块 */FLASH_Unlock（）；/* 清除一些标志位 */FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR）；/* 擦除起始地址为start_add 的 FLASH 页 */FLASH_ErasePage（（u32）0x08019000）；/* 写入数据 */FLASH_ProgramHalfWord（（u32）0x08019000, （u16）*p）；/* 锁定 FLASH 控制块*/FLASH_Lock（）；

10，请问下STM32F107单片机烧写次数

正常情况下，（指的按照数据手册操作的情况下）Flash烧写次数都是有限制的，一般是10万次以上。EEPROM烧写次数也是有限的一般是100万次以上。RAM烧写次数是无限的。但是断电后Flash和EEPROM中的数据不会消失。RAM中的数据会消失的。对于单片机而言，一般程序是储存在Flash中的。 所以你问的STM32F107烧写次数是有限的，一般就是指Flash的烧写数。 >=10万次。如果你在正常情况下能把芯片的Flash次数烧写到极限的话，那么估计你这个芯片应该搞得非常熟悉了。（至少我没有碰到过单片机Flash烧写次数到极限的情况，这个只是数据手册上说的） 但是EEPROM读写因为是程序里的指令来读或者写EEPROM。所以尽量不要用循环程序来读写EEPROM。因为这样倒是有可能照常单片机的EEPROM烧写次数到极限的。
是的，是stm32f1系列的单片机；可以下载他的库文件对该单片机进行开发
这是有限制的 一般1万-100万次不等 多在10万左右如果说你是下载程序调试 再下载再调试 这样完全可以忽略寿命 因为现在都是FLASH技术 这个损耗完全可以忽略 如果你真的吧单片机烧到10K次 我想这个片子你也就滚瓜烂熟了~如果你用自编程来记录数据 那你就要注意了 主要同一个扇区的FLASH次数不要太多 一般都采用轮流记录数据来提高总可写次数 如果 记录数据实在过于频繁 建议外接存储芯片……片内的FLASH一般都是保存一些不经常修改的配置信息的

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