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1，谁有SS34二极管的特性参数跟曲线图要中文的10分

3A 40V肖特基二极管

谁有SS34二极管的特性参数跟曲线图要中文的10分

2，ss34二极管速度快吗压降多大能不能自恢复求各位大神解答百度

这是个肖特基管，速度当然快，耐压10V。正向压降和电流有关，在0.28~0.6V之间，电流越大压降就越大，这不是自恢复保险，击穿就挂了。

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3，ss34二极管正向耐压多少呢参数是什么呢正向峰值电压是多少

SS34是正向3A 反压耐压40V的肖特基二极管。

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4，SS34串在主电源电路中防反接电路正常工作时主电路电流实测16A SS3

SS34的肖特基二极管，压降就按照0.3V来计算的话，1.6A的电流，其耗散功率就有0.3×1.6=0.48W了，对于一个贴片元件来说，这个耗散功率已经相当大了，温度很高也是可以理解的。

5，ss34二极管速度快吗压降多大能不能自恢复求各位大神解答

这是个肖特基管，速度当然快，耐压10V。正向压降和电流有关，在0.28~0.6V之间，电流越大压降就越大，这不是自恢复保险，击穿就挂了。

6，ss34二极管速度快吗压降多大能不能自恢复求各位大神解答百度

　　SS34为贴片肖特基二极管，常用在小电流的（模型）电调上用，用于电路瞬间整流。　　基本参数：　　型：SS34　　商：FairchildSemiconductor　　电压：-肖特基　　电压：-40　　电流：-3A　　电流：--　　二极管型：m@3A　　速度快速恢复：=mA(Io)　　反向恢复：-　　电容：@&#;A@40　　安装类型：-　　封装/外：-　　供应商设表面贴装：　　包装：DO-AB,C硬之城上面应该有这个，可以去看看有没有教程之类的，因为毕竟上面的技术资料型号等都很全面也是最新的，所以能解决很多问题。

7，用数字万用表测量二极管好坏是时正常管压降应当是多少

硅管0.7V左右，锗管0.3V左右 只是理论值 实际上时硅管0.5几伏左右 也 不知道是不是我的表有问题
不知道啊

8，这种二极管可以降压多少

还是用降压模块稳妥，二极管降压误差大。有的降0.7v有的降0.5V，各不同。
我记得是0.6到0.8之间吧
我记得是0.6到0.8之间吧好像
硅管一般在0.7V左右

9，二极管压降问题

举例来说1N4007，反向耐压就是1000V，正向导通电压压降就是0.7V，这有什么疑问吗？除非是高压包管堆那是0.7V*N个。
普通二极管压降只有两种情况:1,如果是硅材料二极管,压降是0.7v2,如果是锗材料二极管,压降是0.2v二极管压降是有材料决定的,与型号,大小无管.如果是发光二极管,由于是复合结构,压降一般在2.5v左右
硅整流管的正向导通压降在测试电流下大约是0.7V,但是二极管正向导通压降是一条指数型曲线，因此不同的电流下它的正向导通压降是不同的，而且还跟温度有关。你说的1000V场合用的是什么型号的二极管，工作条件是什么，具体的还要查手册才能确定。或者你直接在工作场合用示波器确定。
一般说来，二级管导通压降0.7V的说法有几个限制条件：常温下，硅材料，导通电流mA量级。对于特殊应用，上述条件未必满足，0.7V这个说法就未必成立。例如，大正向电流时，一般指1A以上，导通压降就可能达到1V；而uA级导通电流时，导通压降可能只有0.45V。具体如何要根据电路参数和实际应用环境来确认，万万不可机械地认为就是0.7V。

10，一般二极管的耐压是多少

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。　　发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。　　二极管特性：　　正向性　　外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。　　反向性　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。　　击穿　　外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
1N5817 20V1N5818 30V1N5819 40V
一般二极管的耐压是多少？这个比较笼统哦，不同型号的二极管相差很大，但可能外观相同。比如：1N4001 50V1N4002 100V1N4003 200V1N4004 400V1N4005 600V1N4006 800V1N4007 1000V这些二极管外观完全相同，但是耐压却从50V到1000V，区别巨大。电子元器件一定要注意型号，否则谬以千里。
这个很难说。因为不同的二极管有不同的参数。
二极管rl207的耐压是1000v。rl207参数： 最大重复峰值反向电压：1000v 最大正向平均整流电流：2a 正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波：70a 最大正向电压@ta=25℃：v:1;a:2 最大反向电流@vrrmta=25℃：5.0μa 最大反向恢复时间：50 封装形式：do-15整流二极管代换： 整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

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