n沟道mos管GS两端电压最大是多少，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

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这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

2-4V就开始导通，D、S极间最大电压不能超过100V。如图所示。

的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通最大能加到多大的电压才不

一般在3.3~4v时可以导通，10v是内阻达到最小，不要超过10v使用

实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。

MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件，也就是说，前者是流控，后者是压控。

一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

如果我们记源栅漏对地（0点位参考点）的电位分别为Vs,Vg,Vd.则Vgs=Vg-Vs,Vds=Vd-vs那么Vgd=Vg-Vd=(Vg-Vs)-(Vd-vs)=Vgs-Vds这个问题不要去考虑那个实际，只考虑数学上的问题。

在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。并且Vsd越高，Isd也就越高。再看看别人怎么说的。

做个比喻,Vgs好比河里的水,而Vds好比这条河的落差.如果河里没水,落差再大也没用(即不导通),如果没有落差,有水也不流淌(还是不导通),只有二者同时满足一定条件才可以.希望你能明白