晶体管饱和压降是多少，饱和管压降什么饱和

1，饱和管压降什么饱和

集电结处于正向偏置时，晶体管工作于饱和状态，这个饱和状态值的是电流饱和，因为当集电结处于正向偏置时，导通，管压降也就是他导通时的电压降

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2，晶体管饱和管压降CE是多少谢谢

硅晶体管饱和管压降0.6-0.7V。

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3，三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

数电答法？三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。具体的深度饱和电压与具体的型号有关，一般0.3v（功放类的大一些为1点多伏）

三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

4，三极管饱和导通时的压降是多少啊

三极管导通饱和压降是多少？ 00:00 / 03:4270% 快捷键说明空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽不再出现可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

5，三极管的饱和管压降指的是

三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。

不是，ce极电压在0.3或者0.3v以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。。所以叫饱和电压。

6，三极管中什么是饱和压降

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.三极管的集电极电阻越大，越容易达到饱和状态。3.饱和区的现象分为两种：二个PN结均正偏，IC不受IB的控制。4.判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流。拓展资料：饱和状态在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.晶体管的工作状态（或工作模式）包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种。百度百科_饱和状态

7，晶体管的50UBE饱和管压降UCES01V稳压管的稳定

问什么呢？现在看此电路不能正常放大，做整形或波形变换还可以。

经计算,该电路在u1=-2.58v时处于临界饱和状态,现u1=-5v＜-2.58v,所以处于饱和状态,于是：u。=-0.1v(即饱和压降)。稳压管的作用是限制u。≮-5v,现u。=-o.1v＞-0.5v且u。＜5v,所以它处于非工作状态,即不产生影响。(你的问题中字母u未分大小写,严格的说,变量用小写,常量用大写)。

8，有关晶体管饱和管压降的问题

书上说的是对的呀，你说的uce小于0.7只是一个范围，范围比较大，它只是相对发射结导通压降而言的，只有这样两结才能同时正偏，实际上你测试的话就在书上说的范围内

晶体管的饱和压降也就是两个pn结正偏时、c-e之间的电压，即等于两个pn结正向电压的差，因此，对于理想晶体管，饱和压降与pn结的导通压降，严格来说，是有一定的关系。但是，实际上晶体管饱和压降与pn结的导通压降关系不大，因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻；而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系，另外也与电极接触电阻有关。想要详细了解的话，请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

9，如何计算三极管饱和压降

饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。

三极管的饱和压降一般是常数，硅管约为0.3V，锗管约为0.·1V

测试三极管饱和压降vce(sat)，顾名思义就是测试三极管在饱和状态时vce的数值。具体到某一个型号的三极管，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2sc3852是一个低饱和压降的三极管。它的测试条件中规定了要在ic=2a,ib=50ma条件下测试vce的数值。

10，小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v有人能解释清楚吗

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。扩展资料：常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。参考资料来源：百度百科-三极管

硅管0.3不通导，锗三极管0.3通导，应该是书写错了，锗三极管早就停产，可能是老教材

8050npn三极管小电流饱和Vce好像只有0.01v左右，不到0.1v

对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue)，集电结正偏(Ub>Uc)，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0.7V的，否则就不能满足饱和的条件了。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？你们书写错了，饱和时的VCE不可能是0.7V，而是0.3V！

3楼说的不错，我补充一点，小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。

在管子饱和导通时，二个结正向偏置，Vbe约0.7V，Vbc=0.3--0.4V（不为0）；故Vce=Vbe-Vbc=0.3V左右。不知道这样的解释使你满意吗？呵呵！再看看别人怎么说的。

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