雪崩二极管一般击穿电压是多少，二极管的击穿

1，二极管的击穿

1，电压击穿:反向电压超过它的耐压值。2，电流击穿:工作电流超过它的额定最大电流，发热击穿。3，齐纳击穿:内部共价键晶状结构破坏，又称“雪崩击穿。”

这种情况二极管没有被击穿，是正常的工作状态。因为负6.3v电压比负7v电压高，电流的确是从b点流向a点，其中有二极管的0.7v管压降电压，所以是正常工作情况

二极管的击穿

2，雪崩二极管加正向击穿电压多少伏

雪崩二极管加正向击穿电压1600伏。BJT（双极型晶体管）的穿通电压与雪崩击穿电压一道，都起着限制着晶体管最高工作电压的作用（由该二者的最低值决定）。晶体管的穿通，就是在外加反向偏压还未达到集电结发生雪崩击穿时就出现了电流突然增大的一种现象，即提前发生“击穿”的一种效应。BJT发生穿通时所对应的反向偏压称为穿通电压。穿通效应产生的机理可区分为基区穿通、外延层穿通和缺陷造成的局部穿通等几种，相应地就有不同的穿通电压指标——基区穿通电压、外延层穿通电压和局部穿通电压等。

雪崩二极管加正向击穿电压多少伏

3，整流雪崩二极管的击穿电压不稳定什么原因造成的原测试36V隔两天

整流二极管，是按用途分类的叫法；雪崩击穿，是按PN结击穿机理不同的叫法（另一类击穿称隧道击穿或齐纳击穿）。你说的整流雪崩二极管？这个名词不科学。至于说电压36V，很少有整流二极管是这么低的电压，所以我猜测你用的是稳压二极管。作为整流二极管，工作电压肯定低于它的击穿电压，所以36V变成38V也无关大局；但作为稳压二极管就是在击穿状态工作的，电压漂移2V就太多了。下面正面回答你的问题。PN结的击穿电压是由材料的掺杂浓度（载流子密度）、阻挡层厚度、载流子迁移率、介质强度等多种因素确定。一般器件芯片做成后经封装，电参数就固定了。后来有变化原因有：芯片内部存在缺陷、沾污，封装密封性欠缺，芯片受环境温度、湿度、光、强电场磁场或应力的影响。简单描述：器件有瑕疵，环境对它影响共同造成。这种器件勉强能用，可靠性差。

工作电压不稳

整流雪崩二极管的击穿电压不稳定什么原因造成的原测试36V隔两天

4，整流雪崩二极管的击穿电压不稳定什么原因造成的原测试36V隔两天再测

5，雪崩二极管的具体参数哪有查

1、额定击穿电压：反向击穿电流1mA下的击穿电压。 2、最大箝位电压：管子在通过规定波形的大电流（几十至几百安）时两端出现的最高电压。 3、脉冲功率：在规定的10/1000us电流波形下，管子两端的最大箝位电压与管子中电流峰值之积。4、反向变位电压：管子在泄漏区内其两端所能施加的最大电压（临界击穿时），在此电压下管子不应击穿。5、最大泄漏电流：在反向变位电压作用下，管子中流过的最大反向电流。

你所说的就是红外脉冲激光测距，一般民用905nm波段的激光，也是现在市场的主流，日本尼康用的880nm的激光，但原理完全一样。905nm的激光器一般用75w的osram的管子，型号为splpl90-3,雪崩管用ad500-9to52s1f2，带905nm的窄带滤光片，整个民用市场的主流都是用的这些管子，国内做的最有优势的公司是深圳市威睿晶科电子有限公司，你可以去他们公司找一位叫王伟的，他们公司在这块做了很多年，非常专业，很多公司的方案都是他们提供的。

6，谁能帮忙解释一下齐纳管雪崩二极管哈

齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管.雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中

7，齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数

我来试一试??（为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数）分一下几个过程：1、温度升高，晶格的热振动加剧，使载流子运动的平均自由程缩短；（也可以从迁移率下降来理解）2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了，而如果加速度（外加电压）不变的话，就达不到碰撞电离的速度（雪崩击穿）；3、那如果要达到碰撞电离的速度，我们就需要提高外界电压（即提高加速度），也就是雪崩击穿电压变大了；4、综上，温度升高导致雪崩击穿电压升高，即具有正温度系数。

齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

齐纳击穿发生在高掺杂浓度的pn结中，当pn结的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞电离。但是，在这种阻挡层内，只要加上不大的反向电压，就能建立很强的电场，足以把阻挡层内的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，产生自由电子-空穴对。

8，二极管雪崩击穿与齐纳击穿哪个电压大

雪崩击穿大！　　雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）　　PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于　　5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。　　两者的区别对于稳压管来说，主要是：　　电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。　　电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。回答者：中华才俊网 - 大魔法师八级二极管的击穿原理见楼上，齐纳击穿和雪崩击穿区别在于：齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。回答者：南燕老师 - 高级魔法师六级 1-8 15:17

9，雪崩击穿电压

BJT（双极型晶体管）的穿通电压与雪崩击穿电压一道，都起着限制着晶体管最高工作电压的作用（由该二者的最低值决定）。　　晶体管的穿通，就是在外加反向偏压还未达到集电结发生雪崩击穿时就出现了电流突然增大的一种现象，即提前发生“击穿”的一种效应。BJT发生穿通时所对应的反向偏压称为穿通电压。穿通效应产生的机理可区分为基区穿通、外延层穿通和缺陷造成的局部穿通等几种，相应地就有不同的穿通电压指标——基区穿通电压、外延层穿通电压和局部穿通电压等。　　① 基区穿通：　　BJT的基区穿通就是集电结还未发生雪崩倍增时、集电结势垒区就已经扩展到了整个基区（即基区宽度减小到0）的现象；这时在集电极与发射极之间的电压值就是基区穿通电压。基区穿通的发生是由于集电结反向电压使得势垒厚度增大、从而导致基区宽度变窄的结果。从能带图来看，在基区穿通以后，则电中性的基区消失了，整个基区就都成为了高电场的耗尽区，则发射区的电子就可以直接漂移到集电区，从而输出很大的集电极电流——产生类似雪崩击穿的现象；实际上，在基区穿通以后，集电结与发射结之间的电压（等于[Vcb-Vbe]）就可认为完全加在发射结上了，这就会使得发射结立即产生雪崩击穿（击穿电压为BVceo）。所以，基区的穿通是伴随有击穿效应的，即穿通与击穿同时存在。这时，穿通电压可以根据　　集电结近似为单边突变结、还是近似为线性缓变结，并由耗尽层厚度来进行估算。显然，对于基区掺杂浓度较低于集电区的合金晶体管和基区宽度较小的各种晶体管，在较高集电结电压时容易发生的是基区穿通而非集电结雪崩击穿。　　② 外延层穿通：　　对于n-p-n/n+双扩散Si外延平面晶体管，由于基区掺杂浓度高于集电区，则在集电结的反向偏压增大时，集电结势垒区将较多的是向集电区扩展，则这时不会发生基区穿通（如果基区宽度不是太窄的话），但较容易的是发生外延层穿通（即集电结在发生雪崩击穿前，集电结势垒区即已扩展到低阻的n衬底表面，整个外延的集电区变成了势垒区——耗尽层）；在外延层穿通以后，集电结的反向电压即完全加在了由p基区与n+衬底构成的p-n+结上（即加在整个耗尽了的外延层上），而该p-n+结两边的掺杂浓度都较高，因此很快就会发生雪崩击穿。可见，该外延层穿通电压也同样限制着晶体管的耐压性能。显然，为了防止外延层穿通，就应该增大外延层的掺杂浓度及其厚度，使得在发生集电结雪崩击穿之前不至于整个外延层全部耗尽（穿通）。　　③局部穿通：　　由于材料缺陷或者制造工艺不当等原因，若在发射结或集电结的结面上出现了“毛刺”，那么也将同样容易产生基区穿通或者外延层穿通。如果产生的是基区穿通，则可能会出现折线形的击穿特性曲线（因为首先穿通时电流要经过狭窄的局部穿通区，故有一段电流随电压而线性增大的范围；一直到反向电压达到BVcbo时、使集电结发生雪崩击穿，集电极电流电流才急剧增大）。[

10，什么是雪崩二极管

雪崩击穿是指pn结内做漂移运动的少子受强电场的加速作用获得很大的动能，当它与结内原子碰撞时，把其中的电子撞出来，产生新的电子空穴对，新产生的电子空穴对在电场的作用下，又去撞击其他的原子，这样下去，就像雪崩一样．这种情况一般发生在掺杂浓度较低，外加电压较大的情况下齐纳击穿是由于PN结中掺杂浓度高，形成的PN结很窄，即使是电压很低（5v一下）的情况下，结内电场也非常强，它可以把结内电子从共价键中拉出来引起反向电流的剧增我这答案不采纳，可就伤我心了啊！！！各位

PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。。。。。。。。。。。。。。。。。。。这是相当简略的解释。。。我是学半导体的。。。。--------------------------------------------------------------------------------借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123：雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？雪崩二极管用在什么地方？稳压二极管应该是齐纳二极管；如蒙解释，万分感谢！雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。　　雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大。只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。

常用的稳压二极管就是雪崩二极管还有光电二极管今天在《百度〉搜索网站输入关键词〈雪崩二极管〉搜到了许多关于雪崩二极管的内容，请上网搜一搜。你的问题就会得到满意的答案。qizhan

借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123：雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？雪崩二极管用在什么地方？稳压二极管应该是齐纳二极管；如蒙解释，万分感谢！非常感谢楼上的耐心解释；我是搞电子技术应用的，我好奇怪，还有我不知道的二极管？通过您的解释才想起，是楼主的问题不对；没有雪崩二极管，二极管的雪崩击穿是不可恢复的，是破坏性的；只有二极管的反向电压超过它的耐压值，才会发生雪崩击穿。

雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，pn结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的pn结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管

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