1，反激式电源反射电压和变压器匝数比是什么关系请详细

两素决定反射电压：低输入电压占空比 Vor= Vinmin*Dmax/（1-Dmax） 其低输入电压任务书要求更改 占空比自设定通0.45~0.7间设定注意超0.5必须加斜波补偿 两项带入面公式反射电压计算

反激式电源反射电压和变压器匝数比是什么关系请详细

2，反击式开关电源反射电压怎么定

反击式开关电源在开关管截止时向负载输出电流。如果次级反射回初级的电压是接300V输入电压端的初级绕组引脚为负，接开关管C极（或D极，MOS管）的初级绕组引脚为正。如果反射电压是135V，相当于在输入电源上串联了一个135V的电源，所以反射电压与输入电压相加后加在开关管上，也就是435V，此外还有变压器漏感引起的初级自感电压，三者相加是开关管是最低耐压要求。

反击式开关电源反射电压怎么定

3，在反激开关电源中压敏的电阻的参数怎样选择

根据你输入端的最大电压选择，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。一般220VAC输入时压敏电阻选择470V就可以啦。
根据你输入端的最大电压选择,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。一般220vac输入时压敏电阻选择470v就可以啦。

在反激开关电源中压敏的电阻的参数怎样选择

4，反激电路RCD参数怎么计算

一、首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。 二、对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。 VDC＝VAC *√2ⅱ，次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．VOR＝(VF +Vo)*Np/Nsⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．VDC＝VD* 10%ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的ⅴ，RC时间常数τ确定．τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。三、试验调整VRCD值首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。四、试验中值得注意的现象输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。五、RCD吸收电路中R值的功率选择R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。

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