1，PMOS开关电路一直导通

你是b悬空量的吧，在b点接10k左右的电阻试试。
同志你的电压有点大啊！这个管子VDS是-20V。

PMOS开关电路一直导通

2，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类似的三极

MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，严重了会直接烧坏。栅极驱动电路的作用就是使“电容”更快充电，使MOS管导通或关断速度更快。大功率三极管也需要电流驱动电路啊，提供三极管导通所需的基极电流。

mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类似的三极

3，Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

这个电路就可以实现你的要求。
R6可以不用，这样MOS导通快速
这个三极管可以不用
建议把R6改小点。

Pmos管的开关应用电路单片机高电平导通低电平关控制一个42

4，MOSFET导通电压是多少

你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

5，CMOS反相器电源电压用多少Vcadence里面mos好像只有3V的nmos

CMOS器件的电源工作电压是 3V 到 18V。CMOS反相器电源电压在这个范围内。
3V的NMOS/PMOS就用3V的电压啊。大于3V可能击穿小于3V可能有较大漏电流。再看看别人怎么说的。

6，PMOS导通求解释5V未供电时PMOS怎么导通的最终有锂电池供电谢谢百度

电路上的PMOS从D到S一直能够走电流的，只是当VGS为负压时MOS管打开，内阻很小，当5V未供电时，G那里有下拉电阻电位为0V,S那里有锂电池过来的电压这样PMOS就打开了。当有5V电压时G为5V电压，电池电压最大为4.2V，D1从5V过来的电压为5V-二极管压降（0.5）=4.5左右吧。这样MOS管就关段。建议把该电路的电阻变更为1M，减少工作电流。

7，关于PMOS栅源电压

vds是漏源电压，不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v，表示漏极与源极之间耐压为30v，前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的（与n沟道相比）。
你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此

8，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。
这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

9，在MOS门电路中欲使PMOS管导通可靠栅极所加电压应 开

显然应该填写“大于”。
题目说的不清楚，首先要知道基底接在什么 地方，总的来说就是栅极的电压比基底的电压小，如果基底接的是地，那就是小于UTP
认真审题后：题目已经提示了管子是P型MOS管，开启电压UTP<0的，所以开启电压的绝对值要大的话，电压就要低于UTP，应该填“小于”。
N－MOS大于，P－MOS小于
小于

10，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管
三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件， 也 就是说，前者是流控，后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

文章TAG：pmos的导通电压是多少pmos  导通电压  电压  
下一篇