裸芯片封装后外量子效率提高多少，请问目前LED的外量子效率和内量子效率分别可以达到多少是要可以商用

1，请问目前LED的外量子效率和内量子效率分别可以达到多少是要可以商用

外量子效率较低30%，内量子效率可以达到90%。

请问目前LED的外量子效率和内量子效率分别可以达到多少是要可以商用

2，听说Cree芯片的光效到250多了请问他是怎么提高出光效率的

材料不一样吧，虽然各家芯片内量子效率高，但是实现，或者说合成光提取的路径不一样

听说Cree芯片的光效到250多了请问他是怎么提高出光效率的

3，什么事外量子效率准确的定义

外量子效率: 发光二极管(LED)被称为21世纪照明光源,其与传统光源相比具有节能,环保,使用寿命长等优点,其主要应用领域包括:交通指示灯,户外全彩色显示器,LCD背光照明,和日常照明以及装饰照明等方面,是将来社会发展所需要的更高亮度、更低能耗的照明器件。然而,目前LED要在照明领域上完全替代其他光源,还需要解决提高光效,降低成本,降低芯片发热量,提高LED使用寿命等问题,而这些问题全部都受到LED外量子效率很低的制约。LED的外量子效率低主要是由于其表面与空气界面的全反射条件的限制,导致其光提取效率不高。目前国际上有许多提高LED光提取效率的方法,如表面粗化,制作布拉格反射层,制作二维光子晶体等。在这些方法当中,利用二维光子晶体提高LED的外量子效率具有工艺简单,光提取效率高等优点成为目前提高LED外量子效率的研究热点之一。目前国际上制作光子晶体LED的方法各自存在其优缺点,还没有一种方法能方便、快捷、低成本的制作大面积小晶格常数的光子晶体图形。这使光子晶体LED还无法进行产业化生产。利用激光全息技术在光刻胶上制作光子晶体具有成本低,制作周期短,可方便制作大面积光子晶体等优点。而且使用全息光学元件(HOE)制作...

什么事外量子效率准确的定义