去耦电容要加多少个，该电路图中稳压二极管的滤波电容大小去多少比较合适

1，该电路图中稳压二极管的滤波电容大小去多少比较合适

理论上讲，滤波电容越大越好，其大小取决于负载，如果还想加一个电容，一般220uF就可以了，不过，个人建议，如果前面加了470uF可以正常使用的话，此处加一个103瓷片电容就可以了，用于滤除高频。

首先你要知道，电动车是48v的蓄电池，但是充电器电压就是59v了，要不然是充不满的。再者你的48v变压器是线性的？还是高频的？如果是线性的就好办，后面就像你说的加稳压电路就可以了，如果是高频的变压器是不可以直接用的，要有pwm部分电路和闭环稳压控制的；你先确定变压器是那种，如果是就是线性变压器，我再把电路参数给你。（另外需要注意安全）

该电路图中稳压二极管的滤波电容大小去多少比较合适

2，用一个去耦电容合适呢还是每一个运放都加一个去

运放电源去耦旁路措施每个集成运放的电源引线，一般都应采用去耦旁路措施，即从电源引线端到地跨接一个高性能的电容，如图所示。图中的高频旁路电容，通常可选用高频性能优良的陶瓷电容，其值约为0.1μF。或采用lμF的钽电容。这些电容的内电感值都较小。在运放的高速应用时，旁路电容C1和C2应接到集成运放的电源引脚上，引线尽量短，这样可以形成低电感接地回路。当所使用的放大器的增益带宽乘积大于10MHz时，应采用更严格的高频旁路措施，此时应选用射频旁路电容，如0.1μF圆片陶瓷电容，同时每个印刷板或每4～5个集成芯片再增加一对(C1和C2)钽电容。对于通用集成芯片，对旁路的要求不高，但也不能忽视，通常最好每4～5个器件加一套旁路电容。不论所用集成电路器件有多少，每个印刷板都要至少加一套旁路电容。电路具体处理我们可以在电路中数数有多少个芯片有几个电源端（正负电源），在每个电源端都接一个去耦电容到地端。有时在电路图上可以看到下图所示的这样，电源连了很多电容到地端，其实这些就是去耦电容，在布PCB时，要在芯片电源端就近布置这些去耦电容，而不应该把去耦电容在电源部分都布了，这样的话就起不到去耦的作用。参考资料：1.贴片独石陶瓷电容器电气特性说明说明2.陶瓷电容封装指南

用一个去耦电容合适呢，还是每一个运放都加一个去应该都可以,如果电路板上两个离得远,还是各用一个吧

用一个去耦电容合适呢还是每一个运放都加一个去

3，耦合电容的大小怎么取耦合电容容量如何计算

耦合电容4.7-10微法去耦电容小电源：220-470微法大点电源1000-4700微法

耐压要看实际工作中，电容两端承受的实际直流电压是多少，如果真的要计算，还要看通过电容的交流信号的数值是多少。那样比较麻烦，一般留实际承受直流电压的2倍的余量就够用了。　　容量有这样一个公式（计算过程一律使用国际单位）：　　f=1/(2*π*r*c)　　其中，f是最低截止频率，r是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），c就是耦合电容的数值。　　关于电路的耦合问题，通常应该选取多大的电容呢，我在网上查到有这样一种计算公式：　　f=1/(2*π*r*c)　　其中，f是最低截止频率，r是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），c就是耦合电容的数值。　　但是用这个计算出来和实际电路图上的电容值又相差很大，而且串一电容、并一电阻的组成的应该是一个高通滤波器，所以我还有一点搞不明白的时这个公式里面的频率应该是高通截止频率还是低通截止频率。所以请大虾指教一下，这个估算方式到底对不对呢，具体应该怎么考虑呢，谢谢大家了　　低频情况下，选取电容的方法就跟楼主所述的差不多，原则上是越大越好，当然，计算时一般选择下限频率、补偿低频频响，音响电路里面很多时候就是这么干的。如果还要照顾高频，那就采用两个一大一小电容并联的办法试试看。一般估算时候采用的低端截止频率要比你需要的最低频率低5－10倍，高频则要选高5－10倍。还要注意电容的材料和工艺，音频频段常用电解、聚丙烯和涤纶电容，几百k用独石（低频瓷介）的足够了，上兆的就用高频瓷介，30兆以上的最好不用涤纶、低频瓷介和有长引线的铝电解，它们很有可能已经变成电感了。　　射频的情况下就复杂一些，最好用半波长谐振腔法，通过做一个陷波器、观察陷波深度来测试电容的等效射频串联电阻esr，越小越好。本人试过用微带腔体来做，但是q值低，测得的数值偏大，一般s波段上，只能测到陷波-30db的水平、也就是只能测得略小于1欧姆的等效串联电阻。倘若改用同轴腔体来做、q值高，有可能将动态范围提高到50－60db，那就可以测得毫欧姆数量级、够准确了。不过，这种方法来挑选旁路电容确实是个麻烦事，有现成的微波电容就直接用吧。　　一点体会：通过亲身的实验，发现同样大小的0805贴片电容，s波段上，100－300pf标称值的电阻最小，esr约0.9欧姆（其实都偏大了）；而1000pf和0.1uf（贴片封装为1206）的都比100－300p的差，0.1uf的esr甚至达到14欧姆。容量大、体色较深的贴片电容，似乎损耗更大一些，esr都较浅色的、低容量电容的大。

耦合电容的大小怎么取耦合电容容量如何计算

4，电容串联为什么电容总容量每个电容器容量的倒数之和

这个说法不对，应该是：串联电容总容量=每个电容器容量的倒数之和的倒数，或：串联电容总容量的倒数=每个电容器容量的倒数之和。设有n个电容C1、C2、...Cn串联，每个电容上的端电压分别是u1、u2、...un，总电流是i，则有以下公式（各电容的伏安特性方程、串联电压方程）。i=C1du1/dt、i=C2du2/dt、...i=Cndun/dt，u=u1+u2+...+un，改写成：i/C1=du1/dt、i/C2=du2/dt、...i/Cn=dun/dt，du/dt=du1/dt+du2/dt+...+dun/dt，再将各i带入：du/dt=i/C1+i/C2+...+i/Cn，du/dt=i(1/C1+1/C2+...+1/Cn)，i=(1/(1/C1+1/C2+...+1/Cn))du/dt=Cdu/dt，所以总的串联等效电容C=1/(1/C1+1/C2+...+1/Cn)，或写成：1/C=1/C1+1/C2+...+1/Cn。扩展资料：电容的作用：1）旁路。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去耦。去耦，又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大。这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等。而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波。从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能。储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。参考资料：搜狗百科-电容

把几个电容的电极的首尾相连接连成一个无分支的电路，叫电容串联。在串联电容的两端加上电压为U的电源后，两端的电容的两极板分别带正电荷﹢q和﹣q，由于静电感应，中间各极板也等于﹢q或﹣q。所以串联电容器的每个电容带的电量都是q。如果各个电容器的容量为C?、C?、C?、C?那么电压分别是U?、U?、U?、U?。U?＝q／C? U?＝q／C? U?＝q／C? U?＝q／C?总电压U等于各个电容器上的电压之和。所以：U＝U?＋U?＋U?＋U?＝q﹙1／C?＋1／C?＋1／C?＋1／C?﹚设串联电容的总容量为C，因为U＝q／C.所以：1／C＝1／C?＋1／C?＋1／C?＋1／C?即串联电容器的总容量等于各个电容器容量的倒数和。扩展资料：串联电容器的等效电容量的倒数等于各个电容器的电容量的倒数之和：1/C总=1/C1+1/C2+……+1/Cn 。电容并联可增大电容量，串联减小。比如手头没有大电容，只有小的，就可以并起来用，反之，没有小的就可以用大的串起来用。串联电容器也是一种无功补偿设备通常串联在330kV及以上的超高压线路中，其主要作用是从补偿（减少）电抗的角度来改善系统电压，以减少电能损耗，提高系统的稳定性。参考资料：串并联电路-百度百科

电容串联为什么电容总容量=每个电容器容量的倒数之和------这个说法不对，应该是：串联电容总容量=每个电容器容量的倒数之和的倒数，或：串联电容总容量的倒数=每个电容器容量的倒数之和设有n个电容C1、C2、。。。Cn串联，每个电容上的端电压分别是u1、u2、。。。un，总电流是i，则有以下公式（各电容的伏安特性方程、串联电压方程）i=C1du1/dt、i=C2du2/dt、。。。i=Cndun/dt，u=u1+u2+...+un改写成：i/C1=du1/dt、i/C2=du2/dt、...i/Cn=dun/dt，du/dt=du1/dt+du2/dt+...+dun/dt再将各i带入：du/dt=i/C1+i/C2+。。。+i/Cn du/dt=i(1/C1+1/C2+。。。+1/Cn) i=(1/(1/C1+1/C2+。。。+1/Cn))du/dt=Cdu/dt所以总的串联等效电容C=1/(1/C1+1/C2+。。。+1/Cn)或写成：1/C=1/C1+1/C2+。。。+1/Cn

法拉第说的。

你好！电容串联，相当于二片极板拉远间距，使电容量减小。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

5，PCB制作工艺流程

电路设计技巧 PCB设计流程一般PCB基本设计流程如下：前期准备->PCB结构设计->PCB布局->布线->布线优化和丝印->网络和DRC检查和结构检查->制版。第一：前期准备。这包括准备元件库和原理图。“工欲善其事，必先利其器”，要做出一块好的板子，除了要设计好原理之外，还要画得好。在进行PCB设计之前，首先要准备好原理图SCH的元件库和PCB的元件库。元件库可以用peotel自带的库，但一般情况下很难找到合适的，最好是自己根据所选器件的标准尺寸资料自己做元件库。原则上先做PCB的元件库，再做SCH的元件库。PCB的元件库要求较高，它直接影响板子的安装；SCH的元件库要求相对比较松，只要注意定义好管脚属性和与PCB元件的对应关系就行。PS：注意标准库中的隐藏管脚。之后就是原理图的设计，做好后就准备开始做PCB设计了。第二：PCB结构设计。这一步根据已经确定的电路板尺寸和各项机械定位，在PCB设计环境下绘制PCB板面，并按定位要求放置所需的接插件、按键/开关、螺丝孔、装配孔等等。并充分考虑和确定布线区域和非布线区域（如螺丝孔周围多大范围属于非布线区域）。第三：PCB布局。布局说白了就是在板子上放器件。这时如果前面讲到的准备工作都做好的话，就可以在原理图上生成网络表（Design->CreateNetlist），之后在PCB图上导入网络表（Design->LoadNets）。就看见器件哗啦啦的全堆上去了，各管脚之间还有飞线提示连接。然后就可以对器件布局了。一般布局按如下原则进行： ①．按电气性能合理分区，一般分为：数字电路区(即怕干扰、又产生干扰)、模拟电路区 (怕干扰)、功率驱动区（干扰源）； ②．完成同一功能的电路，应尽量靠近放置，并调整各元器件以保证连线最为简洁；同时，调整各功能块间的相对位置使功能块间的连线最简洁； ③．对于质量大的元器件应考虑安装位置和安装强度；发热元件应与温度敏感元件分开放置，必要时还应考虑热对流措施； ④．I/O驱动器件尽量靠近印刷板的边、靠近引出接插件； ⑤．时钟产生器（如：晶振或钟振）要尽量靠近用到该时钟的器件； ⑥．在每个集成电路的电源输入脚和地之间，需加一个去耦电容（一般采用高频性能好的独石电容）；电路板空间较密时，也可在几个集成电路周围加一个钽电容。 ⑦．继电器线圈处要加放电二极管（1N4148即可）； ⑧．布局要求要均衡，疏密有序，不能头重脚轻或一头沉 ——需要特别注意，在放置元器件时，一定要考虑元器件的实际尺寸大小（所占面积和高度）、元器件之间的相对位置，以保证电路板的电气性能和生产安装的可行性和便利性同时，应该在保证上面原则能够体现的前提下，适当修改器件的摆放，使之整齐美观，如同样的器件要摆放整齐、方向一致，不能摆得“错落有致”。这个步骤关系到板子整体形象和下一步布线的难易程度，所以一点要花大力气去考虑。布局时，对不太肯定的地方可以先作初步布线，充分考虑。

制造一块印制电路板的作业非常复杂，由100多步单独的工艺步骤组成。包括照相、机械或化学--涉及到很多不同的行业。例如，照相和丝网印刷来自书画刻印艺术行业。层压来自橱柜制造行业。钻孔、布线和冲孔来自机械行业。化学镀和电解镀来自金属涂饰工业。真空层压则源自于航空工业。等离子清洗和蚀刻来自于微电子行业。　　但在我们继续往下讲之前，先来探究一下基材即基板--覆铜箔层压板的结构。记住，层压板是不导电的即绝缘材料。在电子学中，这称之为"介质"。层压板是由增强材料和树脂材料组成。　　树脂用来粘合增强材料并提供绝缘媒介以防止电气信号在导体之间和电路板内通过。增强材料可以是纸纤维、编织玻璃布、玻璃纤维无纺布、芳酰胺纤维布、聚四氟乙烯纤维布或石英布。最常用的是编织玻璃布。　　层压板使用的树脂系列包括通用的树脂如酚醛树脂和环氧树脂；及高温树脂如聚酰亚胺树脂和聚四氟乙烯。最常用的是环氧树脂。涂有环氧树脂的玻璃布，称为"B阶"，经特殊烘烤后成为半固化材料，即"半固化片"。现在来看一下制造电路板所常用的一些层压板类型。　　纸-酚醛树脂材料，这里增强材料为纸，粘合材料是酚醛树脂，这是一种成本最低的层压板。这种层压板为不透明的棕色，可以钻孔或冲孔。常见符号为FR-2。聚酯-玻璃复合材料基板，成本也比较低，也能钻孔和冲孔。其颜色通常为不透明的奶油色，但也有蓝色、黑色或红色。它们的符号为CEM-1和CEM-3。　　环氧树脂-玻璃层压板是透明的浅绿色，是电路板行业中最常用的材料。也有深绿色和红色的。它们的常用符号是FR-4。　　聚酰亚胺-玻璃层压板在军事，航空业及井下钻探中备受青睐，可用在高温和/或恶劣的环境中，颜色从半透明过渡到不透明有多种棕色，符号为GI。　　聚四氟乙烯-玻璃层压板，其独特的介电特性，使得它与其他层压板相比具有更快的信号速度，所以它是微波应用中最常用的。颜色呈灰棕色，符号为GR、GT、GX和GY。　　可能还有很多其他类型的所谓特殊层压板。包括环氧树脂-凯富拉（芳香族聚酰胺）纤维、氰酸酯-玻璃、聚酰亚胺-凯富拉纤维、聚酰亚胺石英和环氧树脂-聚四氟乙烯纤维。　　每种层压板的成本根据原材料的成本和加工难度而定。但它们承担的使命是相同的 -提供一个稳定的不导电的基板。

双面锡板/沉金板制作流程: 开料------钻孔-----沉铜----线路---图电----蚀刻-----阻焊---字符----喷锡(或者是沉金)-锣边—v割(有些板不需要)-----飞测----真空包装双面镀金板制作流程: 开料------钻孔-----沉铜----线路----图电---镀金----蚀刻----阻焊----字符-----锣边---v割---飞测---真空包装多层锡板/沉金板制作流程: 开料------内层-----层压----钻孔---沉铜----线路---图电----蚀刻-----阻焊---字符----喷锡(或者是沉金)-锣边—v割(有些板不需要)-----飞测----真空包装多层板镀金板制作流程: 开料------内层-----层压----钻孔---沉铜----线路---图电----镀金----蚀刻----阻焊----字符-----锣边---v割---飞测---真空包装

6，说明与非门各参数的大小有何意义对电路工作有何意义

如何提高抗干扰能力和电磁兼容性？ 1、下面的一些系统要特别注意抗电磁干扰： (1) 微控制器时钟频率特别高，总线周期特别快的系统。 (2) 系统含有大功率，大电流驱动电路，如产生火花的继电器，大电流开关等。 (3) 含微弱模拟信号电路以及高精度A/D变换电路的系统。 2、为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施： (1) 选用频率低的微控制器：选用外时钟频率低的微控制器可以有效降低噪声和提高系统的抗干扰能力。同样频率的方波和正弦波，方波中的高频成份比正弦波多得多。虽然方波的高频成份的波的幅度，比基波小，但频率越高越容易发射出成为噪声源，微控制器产生的最有影响的高频噪声大约是时钟频率的3倍。 (2) 减小信号传输中的畸变微控制器主要采用高速CMOS技术制造。信号输入端静态输入电流在1mA左右，输入电容10PF左右，输入阻抗相当高，高速CMOS电路的输出端都有相当的带载能力，即相当大的输出值，将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相当高的输入端，反射问题就很严重，它会引起信号畸变，增加系统噪声。当Tpd＞Tr时，就成了一个传输线问题，必须考虑信号反射，阻抗匹配等问题。信号在印制板上的延迟时间与引线的特性阻抗有关，即与印制线路板材料的介电常数有关。可以粗略地认为，信号在印制板引线的传输速度，约为光速的1/3到1/2之间。微控制器构成的系统中常用逻辑电话元件的Tr（标准延迟时间）为3到18ns之间。在印制线路板上，信号通过一个7W的电阻和一段25cm长的引线，线上延迟时间大致在4~20ns之间。也就是说，信号在印刷线路上的引线越短越好，最长不宜超过25cm。而且过孔数目也应尽量少，最好不多于2个。当信号的上升时间快于信号延迟时间，就要按照快电子学处理。此时要考虑传输线的阻抗匹配，对于一块印刷线路板上的集成块之间的信号传输，要避免出现Td＞Trd的情况，印刷线路板越大系统的速度就越不能太快。用以下结论归纳印刷线路板设计的一个规则：信号在印刷板上传输，其延迟时间不应大于所用器件的标称延迟时间。 (3) 减小信号线间的交叉干扰： A点一个上升时间为Tr的阶跃信号通过引线AB传向B端。信号在AB线上的延迟时间是Td。在D点，由于A点信号的向前传输，到达B点后的信号反射和AB线的延迟，Td时间以后会感应出一个宽度为Tr的页脉冲信号。在C点，由于AB上信号的传输与反射，会感应出一个宽度为信号在AB线上的延迟时间的两倍，即2Td的正脉冲信号。这就是信号间的交叉干扰。干扰信号的强度与C点信号的di/at有关，与线间距离有关。当两信号线不是很长时，AB上看到的实际是两个脉冲的迭加。 CMOS工艺制造的微控制由输入阻抗高，噪声高，噪声容限也很高，数字电路是迭加100~200mv噪声并不影响其工作。若图中AB线是一模拟信号，这种干扰就变为不能容忍。如印刷线路板为四层板，其中有一层是大面积的地，或双面板，信号线的反面是大面积的地时，这种信号间的交叉干扰就会变小。原因是，大面积的地减小了信号线的特性阻抗，信号在D端的反射大为减小。特性阻抗与信号线到地间的介质的介电常数的平方成反比，与介质厚度的自然对数成正比。若AB线为一模拟信号，要避免数字电路信号线CD对AB的干扰，AB线下方要有大面积的地，AB线到CD线的距离要大于AB线与地距离的2~3倍。可用局部屏蔽地，在有引结的一面引线左右两侧布以地线。 (4) 减小来自电源的噪声电源在向系统提供能源的同时，也将其噪声加到所供电的电源上。电路中微控制器的复位线，中断线，以及其它一些控制线最容易受外界噪声的干扰。电网上的强干扰通过电源进入电路，即使电池供电的系统，电池本身也有高频噪声。模拟电路中的模拟信号更经受不住来自电源的干扰。 (5) 注意印刷线板与元器件的高频特性在高频情况下，印刷线路板上的引线，过孔，电阻、电容、接插件的分布电感与电容等不可忽略。电容的分布电感不可忽略，电感的分布电容不可忽略。电阻产生对高频信号的反射，引线的分布电容会起作用，当长度大于噪声频率相应波长的1/20时，就产生天线效应，噪声通过引线向外发射。印刷线路板的过孔大约引起0.6pf的电容。一个集成电路本身的封装材料引入2~6pf电容。一个线路板上的接插件，有520nH的分布电感。一个双列直扦的24引脚集成电路扦座，引入4~18nH的分布电感。这些小的分布参数对于这行较低频率下的微控制器系统中是可以忽略不计的；而对于高速系统必须予以特别注意。 (6) 元件布置要合理分区元件在印刷线路板上排列的位置要充分考虑抗电磁干扰问题，原则之一是各部件之间的引线要尽量短。在布局上，要把模拟信号部分，高速数字电路部分，噪声源部分（如继电器，大电流开关等）这三部分合理地分开，使相互间的信号耦合为最小。 G 处理好接地线印刷电路板上，电源线和地线最重要。克服电磁干扰，最主要的手段就是接地。对于双面板，地线布置特别讲究，通过采用单点接地法，电源和地是从电源的两端接到印刷线路板上来的，电源一个接点，地一个接点。印刷线路板上，要有多个返回地线，这些都会聚到回电源的那个接点上，就是所谓单点接地。所谓模拟地、数字地、大功率器件地开分，是指布线分开，而最后都汇集到这个接地点上来。与印刷线路板以外的信号相连时，通常采用屏蔽电缆。对于高频和数字信号，屏蔽电缆两端都接地。低频模拟信号用的屏蔽电缆，一端接地为好。对噪声和干扰非常敏感的电路或高频噪声特别严重的电路应该用金属罩屏蔽起来。 (7) 用好去耦电容。好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。 1uf，10uf电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印刷板的地方和一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。每10片左右的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容大小可选10uf。最好不用电解电容，电解电容是两层溥膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感，最好使用胆电容或聚碳酸酝电容。去耦电容值的选取并不严格，可按C=1/f计算；即10MHz取0.1uf，对微控制器构成的系统，取0.1~0.01uf之间都可以。 3、降低噪声与电磁干扰的一些经验。 (1) 能用低速芯片就不用高速的，高速芯片用在关键地方。 (2) 可用串一个电阻的办法，降低控制电路上下沿跳变速率。 (3) 尽量为继电器等提供某种形式的阻尼。 (4) 使用满足系统要求的最低频率时钟。 (5) 时钟产生器尽量靠近到用该时钟的器件。石英晶体振荡器外壳要接地。 (6) 用地线将时钟区圈起来，时钟线尽量短。 (7) I/O驱动电路尽量靠近印刷板边，让其尽快离开印刷板。对进入印制板的信号要加滤波，从高噪声区来的信号也要加滤波，同时用串终端电阻的办法，减小信号反射。 (8) MCD无用端要接高，或接地，或定义成输出端，集成电路上该接电源地的端都要接，不要悬空。 (9) 闲置不用的门电路输入端不要悬空，闲置不用的运放正输入端接地，负输入端接输出端。 (10) 印制板尽量使用45折线而不用90折线布线以减小高频信号对外的发射与耦合。 (11) 印制板按频率和电流开关特性分区，噪声元件与非噪声元件要距离再远一些。 (12) 单面板和双面板用单点接电源和单点接地、电源线、地线尽量粗，经济是能承受的话用多层板以减小电源，地的容生电感。 (13) 时钟、总线、片选信号要远离I/O线和接插件。 (14) 模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。 (15) 对A/D类器件，数字部分与模拟部分宁可统一下也不要交叉。 (16) 时钟线垂直于I/O线比平行I/O线干扰小，时钟元件引脚远离I/O电缆。 (17) 元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短。 (18) 关键的线要尽量粗，并在两边加上保护地。高速线要短要直。 (19) 对噪声敏感的线不要与大电流，高速开关线平行。 (20) 石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。 (21) 弱信号电路，低频电路周围不要形成电流环路。 (22) 任何信号都不要形成环路，如不可避免，让环路区尽量小。 (23) 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。 (24) 用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。使用管状电容时，外壳要接地。

7，电容容量越大越好吗

我是高手。电容具体用多大容量的，看用在电路的哪部分。一般来讲，用作电源滤波的，采用电解电容，且容量一般挺大，都是上千UF级的。用作音频耦合、退耦方面的，也是电解电容，容量次之，一般是几UF到百UF。用作音频以上，各类电容都有。

电容容量并不是越大越好。直观上看，似乎储能电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。因此，许多人爱使用容量很大的电容。其实这是一个错误的概念。由于电容上寄生电感的存在，电容放电回路会在某个频点上发生谐振，在谐振点，电容的阻抗小，因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，这意味着电容提供电流能力开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小。因此，为保证电容提供高频电流的能力，电容并不是越大越好。电容容量越大，电容能够承载的电荷量就越大。假设我们把电容当做一个电池来看的话，电容每一次的充放电就能够带来更大的负载。的确，大容量电容可以带来可以拥有更大的负载，但是随之而来的，电容充放电的时间也会增加，从而降低电容的高频性能，同时大电容往往会拥有更大的寄生电感量，从而降低滤波效果，影响电路的稳定性。所以说，电容容量要按需分配，才能让电器性能达到最佳状态。电容器的使用不一定说要大容量才是好的，主要看用在什么地方的，该大容量就大容量，该小容量就小容量，合适才是重要的。扩展资料：电容的作用：1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去耦去耦，又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流。由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

不是越大越好。在高频电路中有很大的限制，一旦选择不对会影响电路的整体工作状态。高压电容越大为IC提供的电流补偿的能力越强，但是寄生电感也会因此增大，且一些大容量的高压电容器体积较大，还会增加成本，对空气流动和散热也不好。高压电容的容值越大，谐振频率越低，高压电容能有效补偿电流的频率范围也越小。从保证高压电容提供高频电流的能力的角度来说，高压电容越大越好的说法是错误的，任何的电路设计中都有一个参考范围。扩展资料：电容作用在直流电路中，电容器是相当于短路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质都是可以导电的，称这个电压为击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的，这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化的函数。实际上，电流是通过电场的形式在电容器间通过的。电容器的作用：1、耦合：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用。2、滤波：用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。3、退耦：用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。4、高频消振：用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫。5、谐振：用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。6、旁路：用在旁路电路中的电容器称为旁路电容，电路中如果需要从信号中去掉某一频段的信号，可以使用旁路电容电路，根据所去掉信号频率不同，有全频域（所有交流信号）旁路电容电路和高频旁路电容电路。7、中和：用在中和电路中的电容器称为中和电容。在收音机高频和中频放大器，电视机高频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激。 8、定时：用在定时电路中的电容器称为定时电容。在需要通过电容充电、放电进行时间控制的电路中使用定时电容电路，电容起控制时间常数大小的作用。9、积分：用在积分电路中的电容器称为积分电容。在电势场扫描的同步分离电路中，采用这种积分电容电路，可以从场复合同步信号中取出场同步信号。10、微分：用在微分电路中的电容器称为微分电容。在触发器电路中为了得到尖顶触发信号，采用这种微分电容电路，以从各类（主要是矩形脉冲）信号中得到尖顶脉冲触发信号。11、补偿：用在补偿电路中的电容器称为补偿电容，在卡座的低音补偿电路中，使用这种低频补偿电容电路，以提升放音信号中的低频信号，此外，还有高频补偿电容电路。12、自举：用在自举电路中的电容器称为自举电容，常用的OTL功率放大器输出级电路采用这种自举电容电路，以通过正反馈的方式少量提升信号的正半周幅度。13、分频：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低频段。14、负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外接电容。负载电容常用的标准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。负载电容可以根据具体情况作适当的调整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值。参考资料来源：百度百科-电容器

很多的人都认为，按照电容器的原理，选择薄膜电容器时，应该是电容量是越大越好。虽然这种说法有一定合理性的，但是我们要知道，在目前的科技下，电容量越大，电容器的体积也越大，这样会占用更多的空间，在一些像手机这些的电子产品中，空间是很重要的，如果因为错误选择了容量过大的电容导致浪费了位置是很不值得的。而且容量大了体积变大的同时也会影响到散热，散热不好对薄膜电容还是对电器都是不好的。还有的就是一般来说同型号耐压的电容容量越大是越贵的，我们要选对的不选贵的，合适才是好的。因此我们要根据整体电路的需求选择薄膜电容器，选择能够满足电路需求的电容器就行了，没必要盲目追求大容量的。

不一定，看你是用在什么场合，使用的目的是什么。如果是用在电源整流滤波上就是电容越大越好，但是在一些信号处理上面，需要对一些高频干扰滤波并且不能影响原有的信号，这个时候就要用到小电容了，因为电容过大就可能将需要的信号也一起滤掉了。

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