tpu芯片最多提供多少E1口，某厂生产一批新型电子产品时需要一种芯片若电脑公司提供每张

1，某厂生产一批新型电子产品时需要一种芯片若电脑公司提供每张

那要看需要的芯片数量是多少，从经济学角度来看，就是找到两者之间的“盈亏平衡点 “！

自己

某厂生产一批新型电子产品时需要一种芯片若电脑公司提供每张

2，用芯片的一切资源总共可以实现几个串行口包括软件和硬件

6个串行口（硬件串口波特率最高可达1.152Mbps/18.432MHZ晶体，软件串口波特率可达57.6K6bps）软件UART实现全双工操作最多可达4个(占用4个PCA，2个定时器)。软件UART的实现方法请参考应用笔记AN015“软件UART示例”。该应用笔记可以从新华龙公司的网站下载。

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用芯片的一切资源总共可以实现几个串行口包括软件和硬件

3，关于华硕主板的俩问题

主板型号应该是Z87-PRO吧，sata6g_E1和sata6g_E2是通过第三方芯片扩展的，其他几个是芯片组原生的，性能要比第三方芯片扩展的高点，建议优先使用芯片组原生的接口。TPU用于提高CPU和核心显卡性能，而EPU用于节能，这个开不开看你个人需要。

这是服务器用的主板，你把市面上能找到的最大功率的电源加上都没问题的。如果用来组建个人pc合理的电源功率应该是300w左右。

关于华硕主板的俩问题

4，GPUCPUTPU都是什么有什么区别

GPU即图形处理器，Graphics Processing Unit的缩写。CPU即中央处理器，Central Processing Unit的缩写。TPU即谷歌的张量处理器,Tensor Processing Unit的缩写。三者区别：CPU虽然有多核，但一般也就几个，每个核都有足够大的缓存和足够多的数字和逻辑运算单元，需要很强的通用性来处理各种不同的数据类型，同时又要逻辑判断又会引入大量的分支跳转和中断的处理，并辅助有很多加速分支判断甚至更复杂的逻辑判断的硬件；GPU的核数远超CPU，被称为众核（NVIDIA Fermi有512个核）。每个核拥有的缓存大小相对小，数字逻辑运算单元也少而简单（GPU初始时在浮点计算上一直弱于CPU），面对的则是类型高度统一的、相互无依赖的大规模数据和不需要被打断的纯净的计算环境。TPU是一款为机器学习而定制的芯片，经过了专门深度机器学习方面的训练，它有更高效能（每瓦计算能力）。大致上，相对于现在的处理器有7年的领先优势，宽容度更高，每秒在芯片中可以挤出更多的操作时间，使用更复杂和强大的机器学习模型，将之更快的部署，用户也会更加迅速地获得更智能的结果。

CPU、GPU和TPU有什么区别，是怎么工作的呢？今天算长见识了

CPU、GPU 和 TPU 都是如何工作的？有什么区别？了

一、微处理器就是我们所说的cpu（central processing unit）又叫中央处理器，其主要功能是进行运算和逻辑运算，内部结构大概可以分为控制单元、算术逻辑单元和存储单元等几个部分。按照其处理信息的字长可以分为：八位微处理器、十六位微处理器、三十二位微处理器以及六十四位微处理器等等。二、微计算机，简称微型机或微机，它的发展是以微处理器的发展来表征的。将传统计算机的运算器和控制器集成在一块大规模集成电路芯片上作为中央处理单元(cpu)，称为微处理器。微型计算机是以微处理器为核心，再配上存储器和接口电路等芯片构成的。三、微处理机： http://www.ltivs.ilc.edu.tw/kocp/mpu/ 四、单片机又称单片微控制器,它不是完成某一个逻辑功能的芯片,而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。概括的讲：一块芯片就成了一台计算机。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时，学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。单片机（monolithicprocessor)是一块芯片集成cpu中央处理器进行运算、控制和适当容量的存储器m（有ram,rom,）输入和输出i/o接口电路三个基本部件所组成在通过接口电路与外围设备相连接以上是典型单片cpu的构成，现在的单片cpu还有集成了数模转换电路，和根据行业需要定制一些特殊电路的单片cpu等。单片cpu是cpu的一部分

5，模电中三极管饱和时Ic电流不随Ib变化此时Ib继续增大Uce减少那

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化，Ic已经最大，为什么叫饱和呢，就是这个原因，集电结收集发射极扩散到基极的电子能力已经是最大了这里的最大主要是指的是Ie的电流，就是说le是电源针对负载所能提供电流接近于最大了，相当于电源vcc直接和负载电阻串联时的电流了，Ie=Ib+Ic,Ic最大的时候，Ie也是最大了，所以Ib继续增大的话，Ic就会减小，Ie基本不变。饱和这个叫法我觉得是拿人来比拟的，如果一个人的肚子就那么大，他已经吃饱了，这时，就相当于三极管饱和时的电流，你再给他喂，他就会吐了。在集电极回路，Ie的最大值决定于负载，当负载减小时，vcc发射电子的能力也会提高的。至于你说的“书上那个特性曲线当三极管饱和时Uce很小时，此时Ic也是好小，不是最大啊？？？”，你看看饱和区曲线图，不同的Ib，在饱和区内的曲线几乎是重合的，重合就意味着在同一个uce值对应的ic几乎是一样的，你的意思是Ic在饱和区既然已经是最大了，为啥还会变小呢？对不，这是由三极管结构决定的，在放大区，ubc（集电结）是反偏的，即uc>ub，利于基区非平衡的少子--电子的漂移运动,这时集电极收集电子的能力强，Ic增大的时候，负载上的压降就会增大，uc电位就会降低，降到uc=ub时，这就是饱和区的临界点，也是集电极收集能力的接近最大值，Ic接近最大，当Ib继续增大（ub上升），相对应的，IC这时也增加，但是非常缓慢，是按照uc,集电结正偏，集电极收集电子的能力随着ub的增大而逐渐变弱，也就是IC变小。或者说随着ube的增加，相当于uce变的更小。而这时uce趋近于零，压降决定于负载。对应于那个图，你可以看到，在饱和区，所有的曲线几乎是重合的，是线性的，你在饱和区对应的Uce所在的横轴上取一点，做一条垂线，交于如图上的一点，这个点对应的一个Ic值，这说明了什么呢？就是说在饱和区这个区间内，如果保持Uce不变，那么不管Ib如何变化，Ic不变，Uce小，那么Ic也小，就是说在在饱和区，uce的值唯一确定了Ic值的，和Ib的变化无关。uce变小，那么Ic也会变小。对于放大区的曲线，你可以把它想象成一个逐渐开启的闸门，随着Ib的增加，基区内的复合运动增强，扩散到基区的电子会以（1+β）Ib的比例增加，而这时，集电结还处于反偏，利于漂移，收集能力并没有完全发挥出来。所以ic就以βIb增加，这个范围对于放大电路来说Uce的范围比较大，在这个范围内，Ib和Ic是成比例变化的，这也是由三极管自身特殊的结构和外部的电压环境的结果。其实，对这个图，你从右向左看会更舒服点，事实上也是如此，是先有放大，后有饱和的。还想说几句，为什么那么多人对三极管都不了解，我也是其中一个，那多人对这个输出特性曲线图产生了歧义，为什么那些写书的让那么多人看不懂呢？据说，现在有很多很多电气工程师都对三极管迷迷糊糊的。有几个写教材的是用自己的知识去写书的，你们写书的时候能不能从读者的角度出发，而不是我写我的，你看你的，懂不懂跟我没关系。可有一比，到饭馆去端别人留下的剩菜，回来后加点水，加点盐就端出来献给朋友，是不是很不要脸，其实他是脸不红心不跳的。还有，那些教材后面一堆这本教材所参考的资料，多的眼花，难道你不会看懂了用自己的话说写出了么？你既然是参考的，那说明你不理解你要写的东西，要不你何必去参考别人的，而且基本上是抄过来，稍微加工一下而已，还要注明是参考的，为啥要注明呢，是不是你怕抄的东西是错的，出问题的时候一推二左五的，不是我做的菜啊，悲哀，以前所谓的旧社会里走出了很多大师级的科学家，比如华罗庚、杨振宁、钱学森等等，现在呢？再一次悲哀和无奈。

三极管的三种工作状态三极管的三种工作状态（放大、截止、饱和）；放大电路的静态、动态；直流通路、交流通路；截止状态：当加在三极管发射结的电压小于pn结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。一般将ib≤0的区域称为截止区, 在图中为ib＝0的一条曲线的以下部分。此时ic也近似为零。由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。 ??其实ib＝0时, ic并不等于零, 而是等于穿透电流iceo。一般硅三极管的穿透电流小于1μa, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。 ?当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。对npn三极管, ube＜0, ubc＜0。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝δic/δib，这时三极管处放大状态。此时发射结正向运用, 集电结反向运用。在曲线上是比较平坦的部分, 表示当ib一定时, ic的值基本上不随uce而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量δib时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量δic, 此时二者的关系为δic＝βδib该式体现了三极管的电流放大作用。 ?对于npn三极管, 工作在放大区时ube≥0.7v, 而ubc＜0。 ? 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。在这个区域, 不同ib值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当uce较小时, 管子的集电极电流ic基本上不随基极电流ib而变化, 这种现象称为饱和。此时三极管失去了放大作用, ic＝βib或δic＝βδib关系不成立。 ?一般认为uce＝une, 即ucb＝0时, 三极管处于临界饱和状态, 当uce＜ube时称为过饱和。三极管饱和时的管压降用uces表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通常小于0.3v。三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状态。对npn三极管,ube＞0, ubc＞0。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化，如果此时Ib继续增大，Uce减少，这是叫做过饱和。这时Ic已经达到最大，这个最大值是由三极管的负载电阻决定的。

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