晶圆生产多少个内核，晶圆代工厂有哪些啊

1，晶圆代工厂有哪些啊

ic代工是晶圆的后一道工序，一般做封装；晶圆是真正生产芯片的内核的。

最大的是中芯国际，其他的都是只能做一段，一般都是分开专业做的，例如切片、光学蚀刻、焊接、封装四个部分。

晶圆代工厂有哪些啊

2，硅晶圆实干什么的

硅晶圆　　硅晶圆：晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。

用来切割CPU核心的，那整块晶圆有很多块未切割的CPU内核。

硅晶圆实干什么的

3，为什么 A106800K AMD 和X4 760K 有集显和无集显的功耗都是100W

本质上来说他们其实是同一款CPU，都采用 Richland核心，只是760K屏蔽了核显，工艺架构都一样。至于你说的功耗一样，有几个原因，一屏蔽和精简，屏蔽即是有核显模块，犹豫市场定位屏蔽了核显，精简即不集成，AMD选择了前者，都懒的动，直接换个名字，继续卖，他的显示模块还是通电的，自然耗电。二，拿因特尔比较，四代i5 i7内部结构几乎没有差别，但是功耗都是84W，这就是市场定位，功能精简。三，CPU生产过程，相同框架工艺批次的产品，他们成本差别不大，为了赚钱就得三六九等，高端CPU一般采用晶圆内侧中心材料，低端采用晶圆外侧材料，一个直径300毫米的晶圆可以生产几个CPU内核，个取所需。资本家在计算那个屏蔽成本低，那个不集成成本低，那个少个功能那个多个功能，这也就是为什么早年的CPU能开核，三核开四核，低端变高端的原因。

楼主很明智，apu是吃内存带宽的大户，带宽越高数据吞吐越大效能也越高最好的搭配是a4配1333，a6配1600，a8配1866，a10配21336800k配1866是起步而已，换成2133的话性能相比较1866提升不大，约5%，追求极致不差钱儿的话可选2133的内存（前提是主板支持2133高频内存）。。。另外6800k集成的gpu是hd 8xxxd，应对主流3d游戏已经足矣，某些特虐显卡的游戏没法保证特效全开的情况下流畅运行，但要是组混合交火的话，双gpu协同运作执行效能应该同geforce 750差不多（个人感觉，未做过评测，网上有很多类似评测可借阅）至于哪些显卡适合组建混合交火，建议去官网查一下（或咨询amd官网工程师），所以个人没法肯定你预选的蓝宝石7870能够和6800k建立混交求采纳为满意回答。

为什么 A106800K AMD 和X4 760K 有集显和无集显的功耗都是100W

4，双核处理器与四核处理器

双核和四核一种是框架一样核心数量不一样，就像一辆车后轴两边是一个轮还是两个轮.轮多只能说载重能力强，不代表快，。还有一种异性框架轮多轴也多，性能那就不用说了。

首先多核是一个CPU有多个核心，不是一个主板上有多个CPU，仔细看看主板上边还是一个CPU的插座。区别可大了，单核比双核进步了很多，技术要求也要高出很多，双核要协调两个内核之间的操作，类似于服务器上使用的多路CPU

四核性能肯定更强劲些，如果你一定要说强多少，其实我觉得核多核少在某一方面并不能决定cpu的整体性能，就像汽车，四个轮子也是车，6个轮子也是车，难道6个轮子的车子一定比四个轮子的快吗，是很难说的，就像爬坡，6个轮子的肯定比4个轮子的快，但是也紧紧就是爬坡，别的地方呢，你买个车未必就是要爬坡比别人快吗，买电脑也是一样的

通俗易懂的说法，单核就是一块芯片上集成1个CPU，双核就是一块芯片集成2个CPU以此类推。制作工艺现在是越来越高了，在一块芯片上做的三极管等器件数量也越来越多了，也就是说把三极管做的更小了一块硅片上就可以做更多的器件，这样CPU的处理速度就越来快，现在45纳米制作工艺已经具有四亿一千万个三极管了，原来586时代才是0.5微米的制作工艺，现在的制作工艺比586时代已经提高了10倍以上。通常我们所说的CPU的“制作工艺”指得是在生产CPU过程中，要进行加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件。通常其生产的精度以微米（长度单位，1微米等于千分之一毫米）来表示，未来有向纳米（1纳米等于千分之一微米）发展的趋势，精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越细，提高CPU的集成度，CPU的功耗也越小。制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90纳米一直发展到目前最新的65纳米，而45纳米和30纳米的制造工艺将是下一代CPU的发展目标。提高处理器的制造工艺具有重大的意义，因为更先进的制造工艺会在CPU内部集成更多的晶体管，使处理器实现更多的功能和更高的性能；更先进的制造工艺会使处理器的核心面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU产品，直接降低了CPU的产品成本，从而最终会降低CPU的销售价格使广大消费者得利；更先进的制造工艺还会减少处理器的功耗，从而减少其发热量，解决处理器性能提升的障碍.....处理器自身的发展历史也充分的说明了这一点，先进的制造工艺使CPU的性能和功能一直增强，而价格则一直下滑，也使得电脑从以前大多数人可望而不可及的奢侈品变成了现在所有人的日常消费品和生活必需品。

不要被JS骗了,有可能是四线程的,而不是四核的

不要追求多少核一般四核比双核快但是CPU构架超复杂还有线程什么的四核不一定比双核好多少够用就好了推荐i5的CPU

5，1电脑的cpu的性能好坏的标准是什么主频倍频外频前端总

评价一款本本好坏主要看他的稳定性和散热性能；CPU的好坏：(1)主频即CPU的时钟频率(CPU Clock Speed)。一般说来，主频越高，CPU的速度越快。由于内部结构不同，并非所有的时钟频率相同的CPU的性能都一样。 (2)内存总线速度(Memory-Bus Speed) 指CPU与二级(L2)高速缓存和内存之间的通信速度。 (3)扩展总线速度(Expansion-Bus Speed) 指安装在微机系统上的局部总线如VESA或PCI总线接口卡的工作速度。 (4)工作电压(Supply Voltage) 指CPU正常工作所需的电压。早期CPU的工作电压一般为5V，随着CPU主频的提高，CPU工作电压有逐步下降的趋势，以解决发热过高的问题。 (5)地址总线宽度决定了CPU可以访问的物理地址空间，对于486以上的微机系统，地址线的宽度为32位，最多可以直接访问4096 MB的物理空间。 (6)数据总线宽度决定了CPU与二级高速缓存、内存以及输入/输出设备之间一次数据传输的信息量。 (7)内置协处理器含有内置协处理器的CPU，可以加快特定类型的数值计算，某些需要进行复杂计算的软件系统，如高版本的AUTO CAD就需要协处理器支持。 (8)超标量是指在一个时钟周期内CPU可以执行一条以上的指令。Pentium级以上CPU均具有超标量结构；而486以下的CPU属于低标量结构，即在这类CPU内执行一条指令至少需要一个或一个以上的时钟周期。 (9)L1高速缓存即一级高速缓存。内置高速缓存可以提高CPU的运行效率，这也正是486DLC比386DX-40快的原因。内置的L1高速缓存的容量和结构对CPU的性能影响较大，这也正是一些公司力争加大L1级高速缓冲存储器容量的

　直到今天，一些消费者购买电脑的时候，仍然会相互比较“你的是奔3处理器，我的是奔4处理器”；或者“你的CPU是奔3—1500MHz，我的是奔3—2000MHz”，借以区别电脑的好坏。电脑核心配件———CPU的频率真的可以决定电脑的性能吗？作为AMD公司负责CPU技术工作的高级工程师，张晟先生称：CPU的频率论实际上是个陷阱。　　据张晟介绍，在CPU发展初期，无论CPU本身的结构还是所面临的任务都比较单一和简单，频率(即MHz)作为区分CPU的最明显的标识，已成为CPU性能的代名词。其实，准确的CPU性能判断标准应该是：CPU性能＝IPC(CPU每一时钟周期内所执行的指令多少)×频率(MHz时钟速度)，这个公式最初由英特尔提出并被业界广泛认可。　　为了证明这一点，张晟举了一个例子：“如果将英特尔用于企业级服务器的主频为800MHz的安腾处理器(英特尔的最高级系列CPU)与用于台式机的主频为1800MHz的奔腾4处理器进行对比，我们就会发现：主频仅为800MHz的安腾处理器在性能上竟然比主频高达1800MHz的奔腾4处理器还要强大。” 　　“实际上是频率和IPC在真正影响CPU性能”。张晟说，“IPC代表了一款处理器的设计架构，一旦该处理器设计完成之后，IPC值就不会再改变了。在这里，IPC值的高低起到了决定性的作用，而频率似乎不再高于一切。英特尔的最新产品奔腾4出世后，频率高达1400MHz以上，但通过评测发现，该产品性能评测结果却不敌1000MHz的奔腾3。众多评测结果显示，同频率下，奔腾4的产品性能竟然比AthlonXP低30%。” 　　对于这一点，英特尔公司也毫不隐讳，他们也曾表示“奔腾4的设计重点是提供一个平均水平的IPC，大约比奔腾3低10%到20%。”奔腾4长达20级的流水线使其更易于提升频率，频率的不断提升虽然也达到了性能提升的效果，但这是为了弥补其在IPC值上的不足。　　直到4月3日宣布推出主频为2400MHz的奔4的时候，英特尔公司仍在声称：“奔4处理器是世界上性能最高的台式机处理器，同时也是全球发售量最多的微处理器。目前英特尔奔腾4处理器的发售量已经超出其2001年第一季度全季度产量的10倍。”而现在的英特尔采用基于300毫米(12英寸)晶圆和更小电路生产的奔4处理器的IPC并没有改变，换句话说：2400MHz的奔4只是提高了频率而已

6，CPU怎样做出来的

人做出来的！

CPU 从诞生至今已经走过了20 余年的发展历程，C PU 的制造工艺和制造技术也有了长足的进步和发展。在介绍C PU 的制造过程之前，有必要先单独地介绍一下C PU 处理器的构造。^lo=rL 　　从外表观察，C PU 其实就是一块矩形固状物体，通过密密麻麻的众多管脚与主板相连。不过，此时用户看到的不过是C PU 的外壳，用专业术语讲也就是C PU 的封装。]-D 　　而在CPU 的内部，其核心则是一片大小通常不到1/4 英寸的薄薄的硅晶片(英文名称为D ie，也就是核心的意思，P Ⅲ C o p p e r m i ne 和Duron 等C PU 中部的突起部分就是Die)。可别小瞧了这块面积不大的硅片，在它上面密不透风地布满了数以百万计的晶体管。这些晶体管的作用就好像是我们大脑上的神经元，相互配合协调，以此来完成各种复杂的运算和操作。`0J{&7 　　硅之所以能够成为生产CPU核心的重要半导体素材，最主要的原因就是其分布的广泛性且价格便宜。此外，硅还可以形成品质极佳的大块晶体，通过切割得到直径8 英寸甚至更大而厚度不足1 毫米的圆形薄片，也就是我们平常讲的晶片(也叫晶圆)。一块这样的晶片可以切割成许多小片，其中的每一个小片也就是一块单独C PU 的核心。当然，在执行这样的切割之前，我们也还有许多处理工作要做。Z> 　　Intel 公司当年发布的4004 微处理器不过2300 个晶体管，而目前P Ⅲ铜矿处理器所包含的晶体管已超过了2000 万个，集成度提高了上万倍，而用户却不难发现单个CPU 的核心硅片面积丝毫没有增大，甚至越变越小，这是设计者不断改进制造工艺的结果。 ,hb6 　　除了制造材料外，线宽也是CPU 结构中的重要一环。线宽即是指芯片上的最基本功能单元门电路的宽度，因为实际上门电路之间连线的宽度同门电路的宽度相同，所以线宽可以描述制造工艺。缩小线宽意味着晶体管可以做得更小、更密集，可以降低芯片功耗，系统更稳定，C PU 得以运行在更高的频率下，而且可使用更小的晶圆，于是成本也就随之降低。iaMA 随着线宽的不断降低，以往芯片内部使用的铝连线的导电性能已逐渐满足不了要求，未来的处理器将采用导电特性更好的铜连线。AMD 公司在其面向高端的Athlon 系列Thunderbird(雷鸟)处理器的高频率版本中已经开始采用铜连线技术。这样复杂的构造，大家自然也就会更关心“CPU 究竟是怎么做出来的呢”　。客观地讲，最初的C PU 制造工艺比较粗糙，直到晶体管的产生与应用。众所周知，C PU 中最重要的元件就属晶体管了。晶体管就像一个开关，而这两种最简单的“开和关” 的选择对应于电脑而言，也就是我们常常挂在嘴边的“0 和1 ”。明白了这个道理，就让我们来看看C PU 是如何制造的。& 　　一、C P U 的制造= 　　1.切割晶圆 lD?< 　　所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个C PU 的内核(D i e)。X49^MY 　　2.影印（P h o t o l i t h o g r a p hy）iF 　　在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU 复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。grxS 　　3.蚀刻(E t c h i n g)3:79G 　　用溶剂将被紫外线照射过的光阻物清除，然后再采用化学处理方式，把没有覆盖光阻物质部分的硅氧化物层蚀刻掉。然后把所有光阻物质清除，就得到了有沟槽的硅基片。%MsoT 　　4.分层w>A]$! 　　为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。VCdyR= 　　5.离子注入(I o n I m p l a n t a t i o n){yr~v 　　通过离子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，形成门电路。接下来的步骤就是不断重复以上的过程。一个完整的C PU 内核包含大约20 层，层间留出窗口，填充金属以保持各层间电路的连接。完成最后的测试工作后，切割硅片成单个CPU 核心并进行封装，一个C PU 便制造出来了。K[f7Z" 　　另外，除了上述制造步骤外，生产C PU 的环境也十分重要，超洁净空间是C PU 制造的先决条件。如果拿微处理器制造工厂中生产芯片的超净化室与医院内的手术室比较的话，相信后者也是望尘莫及。作为一级的生产芯片超净化室，其每平方英尺只允许有一粒灰尘，而且每间超净化室里的空气平均每分钟就要彻底更换一次。空气从天花板压入，从地板吸出。净化室内部的气压稍高于外部气压。这样，如果净化室中出现裂缝，那么内部的洁净空气也会通过裂缝溜走，以此来防止受污染的空气流入。同时，在处理器芯片制造工厂里，I n t el 公司的上千名员工都身穿一种特殊材料制造的“兔装”工作服。这种“兔装”工作服其实也是防尘的手段之一，它是由一种极其特殊的非棉绒、抗静电纤维制成，可以避免灰尘、脏物或其他污染源损坏生产过程中的计算机芯片。兔装可以穿着在普通衣服的外面，但必须经过含有54 个单独步骤的严格着装检验程wR 序，而且当着装者每次进入和离开超净化室时都必须重复这个程序。8Sv

7，英特尔移动平台全球市场占有率达90以上从产品技术角度来讲

一直以来，英特尔在工艺技术方面都处于领先地位，进入65nm时代，其领先业界其他对手的幅度更为巨大。2005年10月18日，英特尔65nm技术开始交付盈利，在处理器方面，基于65nm工艺的双核Pentium D出货比例逐步加大。进入酷睿时代，在今年的9月份，英特尔65nm产品出货量超过4000万，65nm出货比例首次达到与90nm持平，65nm时代正式到来 ● 65nm技术有何优势？高工艺有何优势？可能很多人会直接想到的是成本的降低，但实际上还远远不止于此。相比90nm工艺，65nm能够使芯片的晶体管密度达到原来的两倍，这样内核体积更小，也可以理解为单芯片上可以拥有的内核数量更多 65nm工艺还可以提升晶体管的性能超过20%，或者可以保持在性能稳定的基础上，泄露电流降低5倍。此外，晶体管尺寸缩小，可以使切换功率下降达30%。联想到酷睿微架构中的电源管理技术，可以说只有65nm这样的工艺才可以实现 Rob Willoner表示，想实现单芯片拥有四个核心，那么65nm工艺可以说是必须的。英特尔之所以能够保证最近几代产品在性能提升的同时，功耗降低或保持不变，与工艺技术有很大的关系。在这一点上，我们的竞争对手就无法做到 ● 英特尔65nm产能探秘有了先进的技术支持，产能就成为了关键。目前英特尔在全球拥有四家300mm晶圆制造厂采用65nm工艺，它们分别是D1D，俄勒冈州，2005年10月 F12，亚利桑那州，2005年11月 F24，爱尔兰，2006年6月 D1C，俄勒冈州，2006年11月以上四家制造厂为英特尔提供了充足的65nm产能，而在生产技术方面，英特尔也有其独到先进之处。首先，英特尔在开发过程中，将缺陷密度降到最低等级，以确保高产能。其次，英特尔精确复制（Copy Exactly）转移法也对控制高效给予了很大帮助 Rob Willoner表示，有了以上这些技术的支持，相比过去的130nm和90nm发展，65nm可以说是最为顺利的，其发展速度最快，产能也最高。正是因为有高产能+大规模的支持，才促进了英特尔能够及早推出四核产品。 ● 45nm工艺2007年投产一个新工艺从研发到投产，大约需要5年的周期。在65nm之后，2007年下半年，英特尔45nm工艺将正式投入生产，而其大约是从2002年开始进行研发的据了解，目前英特尔45nm处理器已经设计完成，具有全部功能特性的45nm SRAM+逻辑测试电路已经于2006年1月推出，其中包括在45nm处理器当中使用的所有工艺特性。153Mbit SRAM内存芯片将集成超过10亿个晶体管，45nm逻辑测试电路，包括高速寄存器，高速I/O，高频PPL/时钟电路等都已经设完成。英特尔表示，就45nm工艺的成熟度而言，其他任何一家企业都无法展示在这一级别的能力 ● Penryn家族处理器规格曝光英特尔首款基于45nm工艺的处理器代号已确定为Penryn，其将继续基于酷睿微架构，不过在很多细节上做了改进，性能提升的同时，功耗进一步降低。 Penryn家族也将涉及到桌面、服务器和笔记本三大领域，其中包括第二代四核产品，该处理器将支持真正的SSE4指令集，在多媒体方面的表现进一步增强。相比目前的酷睿2处理器，Penryn的核心频率将有所提升，并具备更大的告诉缓存，45nm工艺加上全新的功耗管理技术，让其在发热方面不会更高。据了解，目前英特尔正在开发的基于45nm工艺的处理器达到15款之多。 ● 诠释摩尔定律每24个月芯片中晶体管的数量将翻番——这是大家都熟知的摩尔定律。这一定律当前是否依然有效曾被很多人质疑，但最近一段时间英特尔的发展动向，却依然是按照摩尔定律前行，这就是最好的证明，在未来的很长一段时间里，该定律将依然有效。在2003年英特尔130nm工艺投产，2005年65nm工艺投产，而到2007年45nm工艺将正式投产，可以看到工艺特性依然是以两年为发展周期，在2009年，英特尔将开始采用32nm工艺技术。工艺技术提高30%，那么换算的核心尺寸将减小50%，晶体管数量最终还是翻番。而工艺的提升，可以保证更多晶体管数量下功耗的不变或降低，核心尺寸也不会有所增加。可以说英特尔是在用另一种方式对摩尔定律进行诠释。 ● 总结：技术领先与市场优势总体来看，英特尔在工艺技术方面处于绝对的领先地位，可以说超过整个行业一年，并且自身具备大规模制造能力，沿着摩尔定律所指引的方向前行，每两年就可以提升成本和节能方面的优势。但技术上的领先能否转化为市场上的优势，对于一个半导体企业来讲也尤为关键。正是这方面处理不好，让英特尔在过去的几年时间里走的磕磕绊绊，并且给了AMD高速发展的机会。综观当前的处理器行业，多核、高效能以及低功耗是三大趋势，英特尔和AMD都在沿着这条路前行。在工艺技术方面，英特尔无疑是领先的，但AMD则强在对市场的把握，一个市值仅有英特尔1/10的小公司，能够生存下来并有挑战的资本，终归有其理由。英特尔已经抢先发布了四核处理器，但从客户需求以及软件支持等方面看，明年下半年才会是四核崭露头角的时候，届时AMD也将发布自己的产品，从这个角度来说AMD并没有落后太多。英特尔能否将技术上的优势转化为市场上的优势，我们拭目以待

amd 这几年才慢慢走出INTEL的阴影`` 移动平台上INTEL的CPU和主板已深如人心而且现在AMD的CPU虽然性能上不比INTEL的差`` 但是功耗控制得并不好

要不得

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