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1，硅二极管反向饱和电流为多少数量级

通常在微安级 。1N4007实际测量结果在20～300微安之间。这项指标的名称应该是反向重复电流，试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压，测量其峰值电流值。

硅二极管反向饱和电流为多少数量级

2，二极管反向饱和电流正常情况下是多少

各个二极管不一样的， 比如说1N4148的是这样写的：在输入电压20V，常温常压下是25nA，150℃下是50μA 。 而1N5819在常温下的Maximum Aveage DC Revese Cuent是0.5mA 。 各种二极管型号不同，用的环境不同，外部电压不同，有不同的值。差别也很大的。反向饱和电流二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流．其他器件中也有类似的情况．。二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流．其他器件中也有类似的情况． 其根本在于pn结的单向导电性。反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

二极管反向饱和电流正常情况下是多少

3，的正向电压降大致等于多少反向饱和电流值为多少

0.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z> 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。二极管的工作电流：同一个二极管，当前电流越大，压降越大。压降虽然有不同，但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围；反向饱和电流Is 大概是uA级别，根据二极管种类不同，有差异。扩展资料：二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。参考资料来源：百度百科-反向饱和电流

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