bjt饱和导通输出电压是多少，测得bjt各极对地电压为vb4v vc36v 为什么不能是锗管工作

1，测得bjt各极对地电压为vb4v vc36v 为什么不能是锗管工作

一般硅三极管基射间起始导通电压是0.5V、饱和电压0.7V，题给为Vbe=4-3.6=0.4V，所以应该是截止区。 “要是VC=6V,VB=6V,VE=5.4V”，Vbe=6-5.4=0.6V，Vce也是0.6V，应该在放大区的边缘，接近饱和区。

测得bjt各极对地电压为vb4v vc36v 为什么不能是锗管工作

2，双极型晶体管BJTVbeon06V是什么意思那个be是下标问

B代表三极管基极，E代表发射极VBE代表基极和发射极之间的电压降，on代表三极管导通的意思Vbe(on)=0.6V的具体意思就是说三极管导通的时候，其基极-发射极电压为0.6V

你好！应该是三极管开启电压。即基极电压与发射极电压电达到0.6V时，三极管发射极才会有可能有电流通过仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

双极型晶体管BJTVbeon06V是什么意思那个be是下标问

3，三级管饱合导通集电级输出什么电压

三极管处于饱和导通状态，集电极和发射极的电压相同（实际中集电极和发射极的电压总会差个零点几伏的），三极管的饱和导通状态和截止状态在电路是当作开关使用，既是我们常说的开关管。所以你给集电极几伏电压，集电极它就是几伏的电压，不会变的。呵呵，你应该是问发射极是几伏电压

C E极几乎相等！

一般就是电源的电压减去一个PN结的压降。

三级管饱合导通集电级输出什么电压

4，三极管BJT进入饱和状态后的电流方向

饱和就完全导通啊!一般可利用这个特性可将三极管工作在开关状态.开关电源用是这样的.

饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.晶体管的工作状态（或工作模式）包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种。电流流向如下图：

我是模电外行由于兴趣也去了解了一点我的理解是饱和后基区电流增大吸走电荷多且基区很薄发射区的电荷浓度很高扩散到基区浓度也很高由于基区吸纳电荷能力有限而导致电荷滞留又由于集区也存在吸纳电荷能力所以基区的电子漂移过去了电流还是集区到发射区不过在集区吸纳电荷能力下降到一定程度时(压降很低) 电流会同基区流向基区不过需要存在输出回路且有负载不要直接接地电流方向会相反以上是虾扯蛋捂脸闪人

5，运算放大电路的最大输出幅度能否达到12v为什么

放大电路（包括运放）的输出电压和电流都是由电源提供的，其输出端的双极晶体管BJT（或场效应管FET）饱和导通时能够提供最大输出电压，而管子导通时存在一定的压降（BJT的饱和压降或FET的导通电阻），因此放大电路的输出电压范围是受限于电源电压的。即便是所谓的“轨至轨（rail to rail）”输出型的运放，其输出电压最大值也只是很接近但仍是小于电源电压的。要求运放输出电压幅度达12V（注意是大写！），运放的电源电压一定要高于12V（所选运放的电源电压范围允许采用）。运放的数据表中有最大电源电压、最大输出电压、最小输出电压等参数指标。

这个看具体型号和供电电压，一般15V供电都可以。

能

你好！既然是写实验报告，自然需要通过实验来验证的；当运放电源取≥15V时，可得到≥12V的输出仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

6，模拟电路三极管判断工作区域测量某硅BJT各电极对地的电压值判

VC是电源，则无集电极电压，不能判断VC是集电极电压Vce，则1、2，工作在线性区；4，工作在截止区；3、5，工作在饱和区，3为浅饱和，5为深饱和；全是NPN三极管。

这位亲，看了下面的帖子，，，其实你可以先判断管子是NPN 还是PNP 的，这样就不用纠结了，电流是由高电位流向低电位的，如果Ve 大于Vc ,那么电流即由射极流向集电极，那么就是PNP 管，反之，就是NPN 管了

你好！我也是学这个过来的，教你个快捷的方法（对于三极管导通放大时）：先找电压差为0.7（硅）或0.3（锗）的两个输入端，那么剩下的那一个肯定是集电极，集电极电压比另两个都大时，那么那两个极中较大的为基极，若集电极电压最小，那么那两个极中较小的为基极。可以解释这一方法的理由：基极电压比两端都大为饱和导通，比两端都小为截止，处于两端之间为放大。记住这方法，任何判断三极管型号与状态的问题都不是问题了。希望我的回答能帮住到你。希望对你有所帮助，望采纳。

7，BJT三极管的一些问题

从你给出的条件来看，此三极管满足发射结正偏集电结反偏，满足三极管的放大状态，但是当条件满足时候，Vce一定小于vcc，你给出的这个答案VC=12V,说明三极管内部pn结损坏，就想开路一样，所以此三极管损坏，答案应该选d。已损坏并且e为0说明它和地是一点，那么三极管的几集导通电压为0.3或0.7v，现在b为1.8v说明三极管未导通，所以选d

3.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（饱和导通）状态。a.截止 b.饱和 c.放大 d.已损坏4.测得BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，—0.2V，—3V，则1、2、3脚对应的三个极是（ EBC ）。 a、ebc b、ecb c、cbe d、bec第3题，如何判定其处于已损坏状态，即反向电压多少大时三极管会损坏？第四题为什么选择A而不选择C？短路：C极电位0V,断路C极电位=电源电位，E、B极为0V.因为4题是说的锗晶体管。

从结构上看，图a所示三极管就是两只背靠背的pn结，好像是两只背靠背的二极管．如图b所示。但两者的工作有本质的区别，两只背靠背的二极管是没有放大作用的。当d2正偏、d1反偏时，d2的正向电流很大，d1的反向电流很小，它们之间互不受影响。然而，三极管的两个pn结，由很薄的基区联系在一起。正常运用时，三极管的发射结加正向偏置、集电结加反向偏置，如图（c）所示，图中为npn型三极管共基接法。因为基区很薄，在发射区的电子，少部分与基区的空穴复合多数载流子电子扩散到基区形成正向发射极电流的同时，到达基区的大部分电子迅速扩散到集电结边缘，在反偏集电结的强电场吸引下，漂移过集电结形成集电极电流。显然，流过正偏发射结的电流越大，则流过反偏集电结的电流也越大。如果改变发射结的正偏电压，使发射结电流作相应变化，则集电结的电流也将随之变化。从而实现了电流的控制和放大作用。

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