1，gto gtr igbt power mosfet 目前驱动功率是多少

根据门极电荷不同可以在0.xW到20W之间每一种不是只有一个驱动功率根据高压侧的电压电流的不同都会变得
驱动最好是理想的方波！所以你的波形越接近方波越好！

gto gtr igbt power mosfet 目前驱动功率是多少

2，IGBT的驱动能力如何计算

先调查门极导通电流需要多少，然后配驱动电阻，同时注意驱动前级（如图腾柱、脉冲变压器）能否提供这么大的电流。
简单来说1、首先确定igbt的栅极电荷量（qg）2、在确定igbt的开关频率3、确定驱动输出的栅极电阻（rg）及输出电压就可以算出需要的驱动功率了在根据igbt的耐压和主电路的工作电压选择驱动的耐压就好了或者直接联系我，我推荐您

IGBT的驱动能力如何计算

3，100kw同步电机需要多大的igbt

是按你的设计裕量来计算的一般来说，同步电机是3相的，直流转子回路单独供电三相变频器一般都是通过 AC DC AC 的直流母线重新逆变出来这个具体的情况要看你的功率模块有几组IGBT了比如每一相是8组IGBT功率模块，然后你设计的裕量是100%，即按照总功率的200%来设计那么就是 单相功率 乘以 2 除以 8组
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

100kw同步电机需要多大的igbt

4，电磁炉中的IGBT额定功率

1500w~2000w是最高可以提供这么高的功率，但用时不见得就是这个功率，根据你的设定不同时功率会不同。设定最大是2000W
IGBT只是一个高速的开关元件，民用级别的大约是1200V25A到40A左右的规格，其自身的耗散功率一般是几十瓦的样子。1500W至2000W是指其工作线圈可以产生的加热功率可以达到的瓦数。
公式w=u i ，如果你要做2100w的功率， 就2100w除220v=10a 你选igbt就认准额定电流~！

5，igbt驱动功率是多少

你好！多少的都有，基本都在10W以下看你要求要多大的IGBT驱动了如果对你有帮助，望采纳。
瞬间驱动电流在2A左右.一般驱动电压在15V,截至电压为0V或-5V;1 +15V 有2A的最大瞬间电流;正常工作在15V的时候500mA都是大的了,IGBT是电压控制的,一般的电流不大.要瞬间电流大是为了,上升沿能满足需求.上升沿瞬间变化,要求电压有足够的能力来驱动,否则开关时间拉长,不能正常工作.2 -5V是为了关闭完全用,也可以不用.-5V电流就更小了.100mA以内因此总功率在10W以内,最后还看你的IGBT型号,一般可以参考手册有说明;推荐一个驱动管: Infineon的 1ED020I12-F 可以驱动IGBT一路,电流在2A峰值,有保护,使用还行,价格便宜大概是10元以内;8元我买过.可以驱动100A以上的IGBT.
多少的都有，基本都在10W以下看你要求要多大的IGBT驱动了

6，TLP701可以驱动多大功率的IGBT

TLP701的输出电流即驱动电流在0.6A,只适合驱动小功率的功率器件。如果要驱动1200V，100A的IGBT，建议用东芝的TLP350试试。这家伙的输出电流是2.5A。只是要注意封装TLP701是6脚贴片封装，TLP350是8脚封装。
tlp701的峰值电流只有0.6a，150a的igbt一般栅极电容都比较大，如果采用他会造成充放电时间较长，从而造成igbt开启和关闭时间过长，造成过热损坏。因此建议采用峰值2.5a以上的igbt驱动光耦，与tlp701封装一样的有tlp700、acpl-p343，普通dip封装的有hcpl-3120、fod3120，如果要有带保护功能的有acpl-316j、fod8318-----潮光光耦网----
1 TLP701的输出电流在0.6A最大值，因此驱动的IGBT功率不可能太多，最多25A-40A这个级别的单管。IGBT模块就很难驱动了。TLP701没有负压，基本上IGBT关闭会延迟，可能会导致热故障。2 100A1200V的IGBT驱动峰值电流是需要根据管子的参数进行计算的。这个规模的管子驱动电流应该在2A这个数量级。3 选择，推荐你可以用英飞凌的 1ED020I12-F,驱动电流2A，可以驱动你提到的模块。同时还有保护功能，过流短路都有。价钱8元人民币，电路也简单。也是隔离驱动的。该芯片可以接负电压，关断会快，管子更加安全了。

7，igbt驱动电路的要求

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

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