1，请问老师在锂电池保护板线路板中有几个往外放电的mos管我可不

一般是一个。增加放电电流不能靠增加管子。一般来说保护板设置的MOS管的最大电流是与电池大小相匹配的。例如一般500毫安时的电池，MOS管的电流是6安。远大于电流放电电流的允许值。

请问老师在锂电池保护板线路板中有几个往外放电的mos管我可不

2，保护板用mos管STP75NF75为什么只能持续通过5A电流但是手册说最大可以

要达到参数的电流正常工作估计要放到液氮里冷却吧现在的生产厂家完全不顾实际使用环境，只管吹牛逼卖噱头

保护板用mos管STP75NF75为什么只能持续通过5A电流但是手册说最大可以

3，请问MOS管给出功耗多少多少W有什么意义

导通电阻，最大持续电流，是饱和导通时的要求。还有放大时的要求，功耗就是其中之一。与三极管的最大功耗类似。
哎知道了，这功耗就是通过最大结温和热阻算出来的

请问MOS管给出功耗多少多少W有什么意义

4，mos管给电容直接放电

还是可行的。电容储能 W=（1/2）CU2有C=103p;U=15V所以W=0.000001125焦耳。可见能量很小。 MOS管参数：Rds:需要查表了，每个型号的都不一样。15V的话估计随便一个N沟道的Vds都够用了可以。估计关键的是Id。这么小的能量把上面的焦耳值带到功率公式去算一下就好了(因为有根号，所以不好输入。) 估计随便一个常用的贴片MOS就可以了，但是还是要确认参数哦！ 注意：题目只是给103电容放电，如果有其他储能元件就不可以了。

5，这个mos管Vgs电压是多少伏的情况下工作在饱和状态和放大状态

MOS管的饱和与否，不是只看一个UGS参数，而是要与UDS结合起来看。 如果不考虑击穿特性的话（也就是MOS管的第4个区，雪崩区也就是击穿区，这部分内容要参考《电力电子技术》），那么基本上可以认为，在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区，顺着曲线往左边走，会有一个预夹断点，也就是Uds=Ugs-Ugs(th)，这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线，过了这个点就可以认为是可变电阻区了。

6，mos管击穿电流多大

静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当静电放电电流通过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度(如硅的熔点1415℃)，使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失效。这种失效的发生与否，主要取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，说明器件越不易受到损伤。反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效，在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时，大部分功率消耗在结区中心，而正偏时，则多消耗在结区外的体电阻上。对于双极器件，通常发射结的面积比其它结的面积都小，而且结面也比其它结更靠近表面，所以常常观察到的是发射结的退化。此外，击穿电压高于100V或漏电流小于1nA的pn结(如JFET的栅结)，比类似尺寸的常规pn结对静电放电更加敏感。

7，MOS管的G极并个PNP三极管是用来放电的吗

PMOS管G极都是接NPN三极管的C极。由于三极管导通后G接是接地的，所以要考虑MOS管的GS电压是多少，就在MOS管的G与三极管C极间加个电阻，同时MOS管的G极与S极间接一个电阻；这样三极管导通后MOS极的电压就是两个电阻的分压（适当的选择电阻，电压必需是小于MOS导通电压，又不能小于MOS管的GS电压）
楼上的回答，不敢苟同，mos管是单极型晶体管，三极管是双极型晶体管，如果说他们都是晶体管到是没有错，用mos管不用三极管的原因是mos的功耗更低，发热量小（猜的），

8，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？
先从变压器下手
是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a
作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可
你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

9，关于MOS管的开关电路问题

MOS管drain端和source端接反了，你这样的接法，MOS管就相当于一个正向二极管，当然会导通。
电压极性反了，Vds 是负电压工作。http://wenku.baidu.com/link?url=WVPH101eOkOtFGkFoQEuP1mkiiHq6Xtj9CCUe_mu8N1BPQLVQyI0AowFRsAJWEjVNrRr334XZPDcFZ10Z8D0mK8xxZgCKV7KfYnl8WTVtGW
mos管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于mos管是电压控制元件，所以主要由栅源电压ugs决定其工作状态。mos管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

10，mos管给电容直接放电

还是可行的。电容储能 W=（1/2）CU2有C=103p;U=15V所以W=0.000001125焦耳。可见能量很小。MOS管参数：Rds:需要查表了，每个型号的都不一样。15V的话估计随便一个N沟道的Vds都够用了可以。估计关键的是Id。这么小的能量把上面的焦耳值带到功率公式去算一下就好了(因为有根号，所以不好输入。)估计随便一个常用的贴片MOS就可以了，但是还是要确认参数哦！注意：题目只是给103电容放电，如果有其他储能元件就不可以了。
　　采用mos管并联电容两端给电容放电的方法不可取，原如是MOS的导通电阻非常小，一般只有几十毫欧至零点几欧姆，这种方法相当于短路放电，极容易烧毁MOS管，尤其是对大容量电容放电，太伤MOS了。　　解决的办法很简单，以N沟道MOS管为例，只需改进一下，在MOS管的漏极和电容器正极之间串联一个几欧姆的电阻再与电容并联即可，这时，MOS起开关作用，放电时间几乎不受影响，这样对MOS管的要求就降低了，一般的MOS管都可以胜任，包括贴片封装、TO220封装都可以。
就说是帮帮忙的，维修费就不收了，换了元器件的清单和价格给他看一下，不可能不给你钱的吧

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