理论上 q值 d值是多少，Q值单位是什么10uH等于多少H

1，Q值单位是什么10uH等于多少H

10^-510^310^3焦

Q值单位是什么10uH等于多少H

2，电容的D和Q是什么代表了什么意义

电容Q值实质上就是代表该电容的品质因数电容D代表电容器的损耗角正切值tgδ d为电容极板的距离常见的平行板电容器,电容为C=εS/dD跟耐压的关系不是你说的那样Q值越高当然电容的损耗越小

电容的D和Q是什么代表了什么意义

3，高数 Q为变量D为固定值求导

求导应当用下限代替未知数乘以下限的求导再乘以-1那么这里就得到-(Q-D)*f(Q-D)

你好！根据微积分基本定理，函数是个变下限积分，求导得 -Qf(Q)仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

高数 Q为变量D为固定值求导

4，求D的值是多少

Q值相当于D值的倒数。损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.注：XC=-j/(2πfC)；XL=j(2πfL)根据损耗因子D的定义：D=1/Q=R/|X|>0 将前面的公式代入，得到：如果可以忽略电极间的泄漏，即Rp的阻抗无穷大（或远远大于相对于容值C的阻抗），损耗因子D的计算公式大大简化为：如果信号频率远远小于SRF谐振频率，则X C >>X L , 即X L 可以忽略，则公式进一步简化即上面提到的：由图可见，电容器的引线电感将随着频率的升高而降低电容器的特性。如果引线电感与实际电容器的电容谐振，这将会产生一个串联谐振，使总电抗趋向为0W。由于这个串联谐振产生一个很小的串联阻抗，所以非常适合在射频电路的耦合和去耦电路中应用。然而，当电路的工作频率高于串联谐振频率时，该电容器将表现为电感性而不是电容性。

5，电容的Q值和D值指的是什么

在弹跳的下降过程中 `使人在着地时减少缓冲`使之尽量的减少对脑部的冲击和损伤``

q值为品质因素，d 值为损耗角因素，也叫tan&损耗角。q值相当于d值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，q值越高，其损耗越小，效率越高。一般电解电容器因为内阻较大故d值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则d值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, hi-k type 及s/c type为0.025以下. t/c type其规格以q值表示需高于400-1000.

6，电容的Q值和D值指的是什么

电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。扩展资料电容电学物理量之一电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。电容的作用1、旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2、去耦去耦，又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3、滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4、储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。参考资料来源：百度百科-电容

7，求D的值是多少

8，电感的Q值的标准是怎么定义的为多少

在LC振荡回路中，在理想情况下振荡电压或电流的振幅是不变的，因此，产生等幅振荡，但实际上电感的直流电阻的存在，使振荡电压或电流的振幅逐渐减小，这种减小取决于在每个周期内转换能量与消耗能量的多少，我们将每个周期内转换能量与消耗能量的比值乘以2π（为了计算方便）作为衡量振荡衰减快慢的一个物理学量，叫做品质因数，用Q表示经计算得Q=ωL/r=√(L/C)/r

Q值表示反映电感的内部损耗，Q值大代表内阻小，损耗低，反之亦然，但电容容抗与工作频率成反比，即高频的容抗小，低频容抗大Q=ωL/r=√(L/C)/r

品质因素q品质因素q是表示线圈质量的一个物理量，q为感抗xl与其等效的电阻的比值，即：q=xl/r。线圈的q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的q值通常为几十到几百。采用磁芯线圈，多股粗线圈均可提高线圈的q值。

关于电感线圈的品质因数Q值的最早定义为：在给定的频率下，每个周期里，线圈储存能量的最大值与总损耗能量之比的2×PI倍速。以后也有人把线圈的Q值定义为无功功率与有功功率之比。然后根据电感不同的等效电路模型可以推导出不同的品质因数Q的计算公式;串联等效电路：Q＝WLs/Rs并联等效电路：Q＝Rp/(WLp)一般情况下这两种等效电路所得出来的Q值都很接近，但有时也需要根据电感的类型来选择正确的电感等效模型。

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