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1，帮忙看一下为什么这个MOS管开关有20US这样的转换速率 多谢

如果你两个MOS管要交替导则周期为20us ； 占空比为0.8 则高电平输出为16us 低电平为4us ；我
双电源自动转换:：是用在什么地方的呢？

帮忙看一下为什么这个MOS管开关有20US这样的转换速率 多谢

2，有MOS管的开关速度可以大于10M么求推荐

帮你查了一下，晶体管中能达到10M的大功率器件只有SIT，也就是静态感应晶体管，一般的功率MOSFET管达不到，最高也就3MHz的样子。你这种速度的开关，还不如用高速光电耦合器，比如6N137这种（作开关用）。

有MOS管的开关速度可以大于10M么求推荐

3，有MOS管的开关速度可以大于10M么求推荐

帮你查了一下，晶体管中能达到10M的大功率器件只有SIT，也就是静态感应晶体管，一般的功率MOSFET管达不到，最高也就3MHz的样子。你这种速度的开关，还不如用高速光电耦合器，比如6N137这种（作开关用）。
额

有MOS管的开关速度可以大于10M么求推荐

4，mos管开关频率一般多大

理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的；常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高…具体参数可以根据型号在百度或其他专业网站查询。

5，什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十

100kHz并不是太高的，你只要考虑电流就行了，像IRFP250能达到30A的！手打不易，如有帮助请采纳，谢谢！！
别的牌子不清楚，但东芝肯定有。mos管本来就以开关频率高见长，所以你还要给出另一个参数，电压要求是多少呢？600v? 900v?

6，一般功率mos管的导通电流参数如何选择

1. 是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电 流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况 下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确 定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板 及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。 4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

7，如何提高MOS管开关速度

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。
这应该从MOSFET的门级驱动电路入手你去看看 是不是有电阻在门级 如果有就把电阻适当放小就可以了
推挽驱动

8，吸收电容对mos的开关速度影响

你是说RCD的吸收电容吧。电容偏大，电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上。
mos管栅极电压足够，当然会以比较大的电流给寄生电容充电，但是如果这个电流小了开关速度慢是不会烧管子的。倒是在实践中，虽然mos管是电压控制器件，为保护mos管，也经常在g端串联几十到几百欧姆电阻。

9，固态继电器的开关速度

固态继电器的切换速度小于500微秒， 单片机电源接口处如果再加一个大电容，应该没问题。 问题补充：固态继电器分DC，AC型，AC型切换速度取决于频率， DC型：GTJ-0.5DP；GTJ-1DP；都是200微秒，是单点不是转换点， 要转换点只好组合用，
对于过零型固态继电器，其过零导通的特性决定了其工作最大延时时间为交流电源周期的一半，如电源频率为50hz，则其最大延时时间为10ms。而对于随机导通型固态继电器，其工作最大延时时间属于微秒级别，最大不超过1ms。

10，IGBT与MOSFET的开关速度比较

因功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大，而且工作电压较高时，MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加，因此在大功率电子设备中的应用受至限制。 IGBT是少子器件，它不但具有非常好的导通特性，而且也具有功率MOSFET的许多特性，如容易驱动，安全工作区宽，峰值电流大，坚固耐用等，一般来讲，IGBT的开关速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET，而且导通特性也不受工作电压的影响。由于IGBT内部不存在反向二极管，用户可以灵活选用外接恢复二极管，这个特性是优点还是缺点，应根据工作频率，二极管的价格和电流容量等参数来衡量。 IGBT的内部结构，电路符号及等效电路如图1所示。可以看出，除了P衬底外，IGBT的剖面与功率MOSFET相同。尽管IGBT与功率MOSFET的结构有许多相同之处，但是IGBT的工作过程非常接近极型晶体管。这是由于衬底P注入的少子使N区载流子浓度得到显著提高，产生电导通调制效应，从而降低了N区的导通压降。而功率MOSFET的结构不利于电导调制，因此，在N区中产生很大在导通压降，对500V的MOSFET来说，该导通压降大约为70%。如等效电路所示，IGBT可等效为N沟道MOSFET驱动PNP管的达顿结构。结型场效应管JFET承受大部分电压，并且让MOSFET承受较低的电压，因此，IGBT具有较低的导通电阻RDS(ON).

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