pcm63引脚多少，三极管G6是什么意思

本文目录一览

1，三极管G6是什么意思
2，关于三极管替换
3，04款GL8点火线圈上有三个插头一个六针插头一个三针插头一个
4，手机通话为啥有时听不见啊
5，为什么手机可以打电话
6，显卡的核心晶体管数目
7，晶体三极管的特性

1，三极管G6是什么意思

代码：G6 型号：BAR63-06向左转|向右转

3dg6是国产的小功率硅npn型三极管。型号中的d表示该管为npn管，g表示该管为高频小功率管。其pcm=100mw、icm=20ma，性能参数很一般。你可以用现在常用的9014三极管直接代换。

三极管G6是什么意思

2，关于三极管替换

晶体三极管的代换，可以用性能好的代换性能差的，用参数高的代换参数低的，可用开关管代换普通管：在保证PCM不低于原管的前提下，可用高频管代换低频管，用复合管代换单只管。具体方法：1.用同类导电类型的管子代换这是前提，PNP型的管子就PNP型的代换，NPN型的管子用NPN型的代换。2.集电极最大允许电流（ICM）不得低于原管。3.集电极允许最大耗散功率（PCM）不得低于原管。4.两个PN结反向电压（BVceo）的耐压值应足够高，否贝管子易击穿，对于阻容耦合输出的电路，此值应大于电源电压：对于变压器输出的电路，此值应大子电源电压的2倍：对于工作于脉冲状：态、负蛾为电感元件的电路（工作中可感应出很高的电动势），此值应大于电源电压的几倍至几十倍方可。5.管子的电流放大倍数B符合电路要求即可，并非越高越；好，如果管子的B值太低，则不能适应电路应具备的工作任务：如果管子的B值太高，则电路工作不稳定。若要求代换的管子与另一管子配对，应选与另一管子相匹配的B值，否则工作将不对称，一是会发生失真，二是B值高的管子易烧坏。6.注意代换管子的特征频频率fT，一般fT高的管子增益高，噪声低，对于工作在低放、中放、高放、振荡和开关状态的管子，其fT都应高于实际工作频率上限的5倍～10倍，如可用3DG类型的管子代换3DX类型的管子。7.注意管脚的排列位置，不可弄错，如2SD、2SD系列的日产管，是按e、b、c的顺序排列的，但型号后有R的管子，却按e、c、b的顺序排列，使用中不能单凭经验，最好用万用表检测一下管子的好坏，并准确判断出管脚再代用。8.要满足管子的特殊参数，如噪声系数、饱和压降等特别要求，例如高频头公共通道用的中放管，要注意其AGC性能，并要区分AGC是正向的还是反向的。

就是8050三极管，这个型号是常用的管子，到电子商店应该立刻就可以买到。如果买不到，一般其他管子也可以替代，试试9013，没有8050电流大，但应该可以正常使用的。

8050很常见，随便都有哦！把电蚊拍拆了，找一个安装上即可。

这种三极管非常之多。是最常用的三极管之一。ST是它的厂标，D是它的放大倍数范围。可以用其它厂家的8050管子。如S8050、G8050、H8050、M8050、AV8050、DC8050、GI8050等。还有GJ、GM、HA、HC、HE。。。。很多

关于三极管替换

3，04款GL8点火线圈上有三个插头一个六针插头一个三针插头一个

04款GL8点火线圈（确切的说应该叫点火模组），是集成了点火模块和点火线圈一起。模组上是有3个插头：两针脚的是电源线路（1个由22号保险丝供电，1个打铁），作用是给模组供电三针脚的是曲轴位置传感器信号（来自7X），作用是给模组提供点火修正信号六针脚的是与电脑板PCM相连的，提供模组的点火控制信号

3个点火线圈分别安装在点火控制模块上，每一个线圈组件由两个同时点火的火花塞（废火花分配）供电，每一个线圈有1个保险点火电路供电。点火线圈上另有1个单独接到点火控制模块的引脚，其作用是通过在适当的时刻接通和中断低级电路的接地线路来顺序鼓励点火线圈。点火线圈的次级电阻为5000⑺000欧姆，高压点火线电阻为7000欧姆左右，超越范围应更换。

上海别克轿车的点火控制系统主要由点火控制模块（ICM）、点火线圈、7X曲轴位置传感器、24X曲轴位置传感器、动力系统控制模块PCM及其全部连线组成。一、点火控制模块ICM点火控制模块具有以下功能：通过7X曲轴位置传感器的脉冲信号来确定正确的点火次序（该点火次序的确定是在发动机起动进行的），当发动机运行后，点火控制模块按照适当的点火次序持续地触发点火线圈；向PCM发送3X曲轴位置传感器参考信号，以便PCM利用此信号来确定发动机转速和计算点火提前角。相关电路的功能如下：1.3X参考信号高态（电路430）。7X曲轴位置传感器发送的信号到ICM，而ICM产生3X参考信号并送到PCM，PCM利用此信号计算曲轴位置和发动机转速（还用于触发喷油器）。2.3X参考信号低态（电路453）。此线路通过ICM接地，并且保证IC...上海别克轿车的点火控制系统主要由点火控制模块（ICM）、点火线圈、7X曲轴位置传感器、24X曲轴位置传感器、动力系统控制模块PCM及其全部连线组成。一、点火控制模块ICM点火控制模块具有以下功能：通过7X曲轴位置传感器的脉冲信号来确定正确的点火次序（该点火次序的确定是在发动机起动进行的），当发动机运行后，点火控制模块按照适当的点火次序持续地触发点火线圈；向PCM发送3X曲轴位置传感器参考信号，以便PCM利用此信号来确定发动机转速和计算点火提前角。相关电路的功能如下：1.3X参考信号高态（电路430）。7X曲轴位置传感器发送的信号到ICM，而ICM产生3X参考信号并送到PCM，PCM利用此信号计算曲轴位置和发动机转速（还用于触发喷油器）。2.3X参考信号低态（电路453）。此线路通过ICM接地，并且保证ICM与PCM之间接地电路无电压降。3.旁通控制电路（电路424）。在初始起动时，ICM控制点火。PCM寻找凸轮轴位置传感器和7X曲轴位置传感器的同步脉冲信号（该信号指示第1缸活塞和进气门的位置），在PCM接到此信号的同一时刻，向旁通控制电路提供5V的电压（这通常发生在曲轴的前1转-2转），使ICM控制点火（为保证性能，ICM有一个固定的点火提前角）。4.点火控制（IC）电路（电路423）。发动机启动后，PCM控制点火。PCM根据曲轴位置传感器参考信号计算所需的点火提前角，使用此电路触发ICM。5.当PCM在IC电路（电路423）中检测到断路故障时，PCM将设置故障代码P1351（其含义是点火控制电路电压高态）；当PCM在IC电路（电路424）中检测到与搭铁短路故障时，PCM将设置故障代码P1361（其含义是点火控制电路电压低态）；当PCM在旁通控制电路（电路424）中检测到断路故障时，PCM将设置故障代码P1352（其含义是点火旁通控制电路电压高态）；当PCM在旁通控制电路（电路424）中检测到与电源短路故障时，PCM将设置故障代码P1362（其含义是点火旁通控制电路电压低态）。在PCM记录上述故障代码的同时，点亮仪表板上的故障指示灯，对于装备牵引力控制系统的上海别克轿车，PCM还将通过串行数据线命令EBTCM关闭牵引力控制功能，同时，EBTCM点亮仪表板上的TRACTIONOFF指示灯。二、点火线圈、高压线采用3组点火线圈，每组线圈控制两个汽缸（1/4，2/5，3/6）。三个点火线圈分别安装在点火控制模块上，每个线圈组件由两个同时点火的火花塞（废火花分配）供电，每个线圈有一个保险点火电路供电。点火线圈上另有一个单独接到点火控制模块的引脚，其作用是通过在适当的时刻接通和中断初级电路的接地线路来顺序激励点火线圈。点火线圈的次级电阻为5000-7000欧姆，高压点火线电阻为7000欧姆左右，超出范围应更换。三、7X曲轴位置传感器双导线磁电式传感器，位于发动机机体后下部，排气歧管下部。

04款GL8点火线圈上有三个插头一个六针插头一个三针插头一个

4，手机通话为啥有时听不见啊

信号不好！尤其是联通的！或者是你的手机听筒有问题！！就这么回事，如果打电话还是在信号好点的地方！！接电话离耳朵近点，稍微走动一点，音量放大点！！试一试！！

网络或信号的不稳定。

一般来说，我们普通用户只要学会如何使用好手机就可以了，对于其具体的工作原理不必仔细深究；然而在使用手机的过程中，由于各种因素的影响，手机不可避免地要出现故障，如果每次遇到故障哪怕是最微小的，都送到专业维修店去修理，您可能会觉得麻烦。如果您有相当的电器知识的话，您可能想自己学着修理，但要学修理，必须先熟悉手机的工作原理，只有这样才能判断发生的故障原因，并找出相应的解决方法。同时，了解手机的工作原理对于普通人来说也可以作为一种知识的储备。为了能帮助这些喜爱手机的用户快速学会修理，笔者就以摩托罗拉手机为例，来详细介绍一下手机到底是如何工作的。手机之所以能相互通信，笔者认为它是由三部分协调工作的结果，这三部分分别为射频部分、逻辑部分和电源部分，要了解手机的工作原理其实只要了解这三部分是如何工作的就可以了，下面笔者就对这三个部分的工作原理进行分别地介绍。射频部分通常射频部分，又是由接受信号部分和发送信号部分组成。手机在接受信号时，首先利用天线把接收到的935-960MHz的射频信号，经U400、SW363，将发射信号的接收信号分开，使收发互不干扰。从U400的第四脚输入第五脚输出，进入接收前端回路。U400的工作状态受第三脚电位的控制，而第三脚电位又受到来自CPU的TXON、RXON信号的控制。经过天线开关的射频信号首先经过带通滤波器FL451的滤波，再送入高频放大管Q418进行放大，Q418的输出经FL452滤波后送Q420混频管进行混频。而本机振荡信号由RXVCO产生，并以FL453滤波后送Q420的基极进行混频，取其差额，从Q420的集电极输出153MHz的中频信号，经FL420滤波后得到153MHz纯净的中柴油机信号，现经Q421放大后送U201的31脚，153MHz的中频信号与153MHz的载波信号在32D53内解调产生RXI和RXQ模拟基带信号，经U201的46#和48#送U501的14#和15#。在U501内经A/D转换后送数字信号处理器做进一步的处理。153MHz的载波由U201的41#、42#、43#接外围电路所构成的306MHz振荡电路，形成306MHz卉波信号，经二频后形成153MHz载波。对于发送部分，从501的21#、22#、23#、24#输出的TXIN、TXIP、TXQN、TXQP发射频带信号进入U201的61#、62#、63#、64#。U201的6#、7#、10#外接一个216MHz的VCO，产生216MHz的载波信号，该信号经U201内的分频器分频产生108MHz的发射中频信号。四路调制信号在U201内完成108MHz载波调制从第4脚输出到U300的4#。U300完成发射取样信号与TXVCO相温柔频，取其差额得108MHz信号与4#输入的TXIF鉴相，产生鉴相误差电压，从第8脚输出去控制变容二极管CR300的容量来改变TXVCO的振荡频率，从Q300的C极输出890-915MHz的发射信号经Q301前级放大和Q302推动后进入功放Q302，放大后的信号进入天线U400的第1脚，再从U400的4#送天线发射出去。逻辑部分在逻辑部分，接收的RXI、RXQ模拟基带信号在调制解调器U501内部完成D/A转换、解密及自适应均衡后将数字基带信号从U501的6#送入CPU的10#，在CPU内进行信道解码，去掉纠错码源以及取实控制信息以后，恢复的话音数据流经数据线和地址线，传送到语音器U801进行解码。产生的数字话音信号从U801的78#送到PCM解码器U803的8#。数字话音信号在PCM解码器内完成减压以及A/D转换，再通过数字音量定位器，对接收信号、音量进行调整，再由U803的4#，输出模拟音频信号到U900的6#和21#。6#输入的振铃信号，经内部的振铃驱支放大以后，从U900的4#、5#输出去驱动振铃器发间音频信号，从21#输入，经内部的音频放大器以后，从19#、20#输出放大的话音信号去推动听筒发声。当我们用户在讲话时，话音经听筒的声电转换以后送入电源集成电路U0-的9#，经内部的音频放大以后，从10#输出放大的模拟音频信号。该信号在送到PCM编解码器U803的18#在U803内部完成PCM编码。从13#输出PCM信号送到语音编码器801的89#，在U801内进语音数据线和地址线将话音数据液流磅到中央

只是有时出现的话，那就是网络问题。

可能是手机听筒有问题，建议送修。

5，为什么手机可以打电话

因为你买的手机，就是为了打电话！

6，显卡的核心晶体管数目

什么是晶体管及其种类与参数? 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。一、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性分类按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。（二）按结构及制造工艺分类晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。（三）按电流容量分类晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。（四）按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。（五）按封装结构分类晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。（六）按功能和用途分类晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。二、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。（三）频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。（四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。（五）最大反向电压最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。（六）反向电流晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

纳米技术!

才7亿- -Fermi Quadro 6000,这显卡30多亿啊

我想，可能是用多层印制的方式实现。比如你将晶圆切割好后，然后有与晶圆等大小的模板，模板共有几十个，即将原来的芯片电路分解成几十个模板，然后将所有模板逐一进行蚀刻后成为一完整芯片，每个模板组成流水线生产并且可以重复使用。具体是：每个模板里有各自晶体管刻印或空腔且精度达到纳米级，被某种方式处理后，晶圆上盖着的模板的晶体管刻印或空腔会给晶圆位置留下参杂的PN节、电容和导线，其它部分则不受影响。如此将模板一个接一个的重复上述过程，最后形成芯片。比如P4 2.4GC都可能是用同一组模板进行流水线加工，然后当换成PD 506时就是必须重新设计PD 506的模板。注意这个方法不太适用与目前主流28nm的工艺，因为28nm太小了，HKMG工艺在栅极参杂上可能只有不到5nm的狭缝空间，这个分子间存在力的作用5nm时会很明显的！这个适合65nm以上的工艺（可能更大）。不过绝对不可能是用激光一个一个晶体管参杂，因为动辄上亿晶体管的晶圆其产能要想供应全世界人民的需求那是不可能的。而且我想7亿多的核心晶体管数目可能也不行，因为晶体管数目太多，模板流水线加工法掺杂会不够均匀，晶体管性能可能不一致会有问题的，比如死机蓝屏什么的会很频繁。模板流水线加工法，全高精度机械自动或半自动生产线，位移精度达纳米级，产能基本是月不过万片，这是我的猜测。其实现在1TB的机械硬盘磁头的位移精度都是纳米级的，所以我想这个应该不难。

7，晶体三极管的特性

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。一、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性分类按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。（二）按结构及制造工艺分类晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。（三）按电流容量分类晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。（四）按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。（五）按封装结构分类晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。（六）按功能和用途分类晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。二、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。（三）频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。（四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。（五）最大反向电压最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。（六）反向电流晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。三极管详解半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

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极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。一、输入特性曲线在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时，UBE和IB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。输入特性曲线的数学表达式为： IB＝f（UBE）| UBE = 常数 GS0120 由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：（1）UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。这是因为UCE = 0时，集电极与发射极短路，相当于两个二极管并联，这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。（2）UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移，而且当UCE的数值增至较大时（如UCE＞1V），各曲线几乎重合。这是因为UCE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大，基区宽度相应地减小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小，复合减小，因而IB减小。如保持IB为定值，就必须加大UBE ，故使曲线右移。当UCE 较大时（如UCE ＞1V），集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去，以致UCE再增加，IB 也不再明显地减小，这样，就形成了各曲线几乎重合的现象。（3）和二极管一样，三极管也有一个门限电压Vγ，通常硅管约为0.5～0.6V，锗管约为0.1～0.2V。二、输出特性曲线输出特性曲线如图Z0120所示。测试电路如图Z0117。输出特性曲线的数学表达式为：由图还可以看出，输出特性曲线可分为三个区域：（1）截止区：指IB=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用，集电极只有微小的穿透电流IcEO。（2）饱和区：指绿色区域。在此区域内，对应不同IB值的输出特性曲线簇几乎重合在一起。也就是说，UCE较小时，Ic虽然增加，但Ic增加不大，即IB失去了对Ic的控制能力。这种情况，称为三极管的饱和。饱和时，三极管的发射给和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集一射饱和压降，用UCES表示。UCES很小，通常中小功率硅管UCES＜0.5V；三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降，以UCES表示，硅管的UCES在0．8V左右。 OA线称为临界饱和线（绿色区域右边缘线），在此曲线上的每一点应有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管，其集电极电流称为临界集电极电流，以Ics表示；其基极电流称为临界基极电流，以IBS表示。这时Ics与IBS 的关系仍然成立。（3）放大区：在截止区以上，介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内，特性曲线近似于一簇平行等距的水平线，Ic的变化量与IB的变量基本保持线性关系，即ΔIc=βΔIB，且ΔIc >>ΔIB ，就是说在此区域内，三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱，当UCE＞1 V后，即使再增加UCE，Ic 几乎不再增加，此时，若IB 不变，则三极管可以看成是一个恒流源。在放大区，三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状态。

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