1，硅管PNP三极管的3种工作模式的临界条件VceVbe分别等于

VBE大约为0.7V 不同品牌 不同条件 略有偏差 VCES约为0.3V 也是不同品牌 不同条件 略有偏差 这个在基础模电书上就可以查到

硅管PNP三极管的3种工作模式的临界条件VceVbe分别等于

2，三极管的VC指的是UCB间的电压还是UCE 同理VB是

如果只是标明Vc、Vb、Ve的话，那就是说只是三极管C、B、E处的电压，参考点是地。VCE=VC-VE、VBE=VB-VE，这两个值比较重要，可以判断管子的状态很高兴为你解答本题，没问题的话，请及时点击右上角的采纳满意哈~

三极管的VC指的是UCB间的电压还是UCE 同理VB是

3，三极管的VCC一般为多大

VCC一般是指正电源三极管的有CE耐压、CB耐压。一般VCC是指CE工作电压这个电源是根据实际应用电路确定大小。
电源电压
Vcc的电压不高于三极管耐压，即可使用。

三极管的VCC一般为多大

4，三极管饱和时是VbeVce而不是VbVc感觉前面的更好理解就

对NPN硅三极管是这样的。因为饱和时ce电压在0.3V以下，深度饱和电压更小。所以深度饱和对提高开关速度是不利的。
是的，Vbe>Vce，只有共射电路，才是Vb>Vc的
确实是啊，不过这个0.7也是实际中基本忽略的吧。

5，三极管导通CE间的电压是多少

三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
三极管的c-e结相当于一个二极管，当它导通时压降为，锗管0.2~0.3v，硅管0.5~0.8v。
硅三极管饱和导通时只有0.3V
分两种情况：1.饱和导通，VCE=0 相当于开关接通。 2.管子在线性区的放大状态时的导通，有如下关系： 电源电压=(IC*RC)+VCE VCE随着集电极电流IC的变化而变化，其变化幅度在0-电源电压之间。

6，三极管的集电极发射极电压电压值指的是什么电压那么VcVbVe的

三极管的集电极-发射极电压电压值指两极之间的电位差，即Vce＝Vc－Ve。Vc,Vb,Ve的电压值是这三个极对“参考地”的电压值。
三极管的C-E电压，指的是电路中这两个电极间的电压值，参数表里提供的是最大值，超了就损坏的值。VC VB VE的电压值跟三极管的工作状态有关，参数表里只提供额定或者极限电压值，只要不超过这个值管子就不会损坏。
三极管集电极-发射极电压就是指集电极-发射极之间的电压啊Vce=Vc-Ve如果是管的参数的话应该指的是三极管能隔离的最大电压高于这个电压的话三极管会被击穿

7，关于晶体三极管的问题为什么说Vce大于03v晶体三极管为放大模

先要搞明白先来后到的逻辑关系。要说先有鸡还是先有蛋确实很难说。但是先有电阻压降RcIc还是先有晶体管集电极-发射极压降Uce还是比较明确的。集电极电流首先在电阻Rc上产生压降RcIc，剩下的才是晶体管集电极-发射极压降，就是Uce=Ucc-RcIc，所以说是先有RcIc后有Uce。换句话说，Rc也可以认为是电源Ucc的“内阻”，而Uce可以认为是加在晶体管集电极的“净电源”。晶体管电流放大的本质是能量转换，自然需要集电极电源提供能量。集电极没有电源是不能工作的。Uce太小，就是净电源太低了，管子集电极能得到的能量太少了，于是管子放大能力就受到限制。所以说Uce小于0.3V晶体三极管就逐步退出放大模式了。
你好！三极管工作在截止状态时，Vce等于Vcc；而当三极管处于饱和状态后Vce就减小到了0.3v，0.3v 也是三极管的饱和压降，此时Ic处于最大值Vce处于0.3v最小值；而一旦Vce增大此时三极管将退回到放大区，放大区时Ic不再是最大值，因此Vce就会大于0.3v。换句话说只要Vce大于0.3v,晶体三极管就工作在放大区。如果对你有帮助，望采纳。
你这种说法并不确切。原因是：1、通常情况下，当小功率三极管处于深度饱和模式时，Vce是小于0.3V的。2、Vce的值接近于电源值，此时，三极管处于截止状态。3、当Vce处于0.3与Vcc（即电源的值）之间的值时才可以说晶体管处于放大模式。

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