用mos管做推挽电路,MOS管推挽电路图

这是一个三极管推挽电路。将用于连接推挽输出以驱动MOS晶体管，下管高电平导通，此时OUT输出低电平，称为浇注电流，电流比较大，当上管以低电平导通时，OUT输出高电位，称为拉电流，其电流相对较小，接地是为了提高电路稳定性。推挽驱动主要用于增加驱动能力，提高MOS管的开通速度和关断速度，满足MOS管高速开关的应用要求。

如果从电源VCC串联一个电阻。当向栅极施加电压时，在氧化物层和半导体衬底之间形成电场。其中，金属栅极是控制电路的关键，它放置在氧化层上并与半导体衬底分离。低电压的重要原因是您需要低损耗和高效率，这样您可以尽可能多地将电源的工作挤压到负载。推拉两个MOS，损耗会小，全桥存在贯通问题。为了避免这个问题，你想让你的死区变大吗？

那实际上是一个反相器，它驱动MOS晶体管。时间利用率低，效率更低，MOS管的结构由金属栅、氧化物绝缘层和半导体衬底组成。如果仅从绕组来看，两个绕组是串联的，也就是说，同名的端子是相对的，因此在任一绕组上施加电压（即当一个MOS管导通时），则整个绕组（n .此外，应该理解的是，变压器的两个初级绕组n。