N-chmosfet，描述:P沟道MOSFET-，国际整流器IR，动态芯片。rds（on）:MOSFET驱动芯片，这是一款专为高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动而设计的功率驱动器，驱动器芯片集成了三个独立的相对高端和低端输出通道，分别用于三相应用。

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MOSFET驱动芯片主要用于驱动大功率开关电路。由于它集成了大量电压放大器和电流放大器等功能模块，输入电压为0，因此建议使用大厂的集成MOSFET芯片进行低功耗驱动，其可靠性高，生产和加工成本的降低可以抵消集成MOSFET芯片的额外成本。MOSFET FET晶体管极性N沟道电阻器漏极/源极RDS（on）欧姆正向跨导gFS:，

其逻辑输入与相同。左右满足普通逻辑电平的控制信号，型号:BSR，包装:PG-SC型号:包装:SOT，VA=BC，ZC=BC，所有这些都是NPN管。差别不大，请自己戴上并再次验证。然后将放大后的信号直接与三角波进行比较，在UC处分别产生反相的SPWM波，通过死区延时电路、杂波滤波电路和隔离电路发送到IR。


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