1,关于mos管的开启电压问题

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关于mos管的开启电压问题

2,高压MOS管和低压MOS管各用在哪些方面高低压是以400V为分界线吗百度

一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子,以单节4.2V电池的保护板会用到低压线路,现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS,封装一般已贴片为主,用量蛮大。高压MOS 一般以500V 600V 650V(这个电压值的比较常规)700V 800V ,现在超结MOS也称COOLMOS的1000V 1200V 1600V,也已经常规化。 深圳市安诺宸科技有限公司

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3,MOS管封装与参数有着怎样的关系如何选择合适封装的MOS管

一、MOS管封装   不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率,需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素),基本原则就是:在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。   常见的MOS管封装有:   ①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;②表面贴装式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样,简单介绍如下。   1、TO-3P/247   TO247是比较常用的小外形封装,表面贴封装型之一,247是封装标准的序号。   TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的,里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的,所以功能及性能基本一样,最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式,产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点,适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。   2、TO-220/220F   这两种封装样式的MOS管外观差不多,可以互换使用,不过TO-220背部有散热片,其散热效果比TO-220F要好些,价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。   3、TO-251   该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积,主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。   4、TO-92   该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用,主要是为了降低成本。   5、TO-263   是TO-220的一个变种,主要是为了提高生产效率和散热而设计,支持极高的电流和电压,在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。   6、TO-252   是目前主流封装之一,适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。    STD2NK100Z 的参数   技术: Si   安装风格: SMD/SMT   封装 / 箱体: TO-252-3   通道数量: 1 Channel   晶体管极性: N-Channel   Vds-漏源极击穿电压: 1 kV   Id-连续漏极电流: 1.85 A   Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms   Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V   Vgs - 栅极-源极电压: 10 V   Qg-栅极电荷: 16 nC   最小工作温度: - 55 C   最大工作温度: + 150 C   Pd-功率耗散: 70 W   配置: Single   通道模式: Enhancement   商标名: SuperMESH   封装: Cut Tape   封装: MouseReel   封装: Reel   高度: 2.4 mm   长度: 6.6 mm   系列: STD2NK100Z   晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET   宽度: 6.2 mm   商标: STMicroelectronics   正向跨导 - 最小值: 2.4 S   下降时间: 32.5 ns   产品类型: MOSFET   上升时间: 6.5 ns   工厂包装数量: 2500   子类别: MOSFETs   典型关闭延迟时间: 41.5 ns   典型接通延迟时间: 7.2 ns   单位重量: 4 g

MOS管封装与参数有着怎样的关系如何选择合适封装的MOS管


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