igbt的导通与截止电压是多少，请问IGBT的导通电压是多少

1，请问IGBT的导通电压是多少

不同的IGBT导通压降都不一样，例如低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右，快速型导通压降大约2.7~3.7V左右。

请问IGBT的导通电压是多少

2，IGBT的导通和截止的条件是什么

IGBT正向驱动电压应为12v，典型值15v；截至电压-5v，典型值-7.5v ~-9v。这是下臂IGBT管的驱动电路，11管输出0或15V的电压，经过外部电路的推挽式（DQ7和DQ14）可能把电压放大了，自己的理解。小功率可以不用DQ7和DQ14的。

IGBT的导通和截止的条件是什么

3，GBT导通和截止条件

IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，由BJT和MOS(绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT工作特性IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。以上内容参考：百度百科-IGBT

GBT导通和截止条件