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1，ddr3每次读写几个数据

这个要看你的模式寄存器的设置，有4个地址数据和8个地址数据两种。
单通道3.2g/s ，双通道6.4g/s，建议双通道。

ddr3每次读写几个数据

2，DDR2和DDR3

ddr2,,3说的是内存DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： 1.突发长度（Burst Length，BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。2.寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数－－写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。3.DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。4.DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。5.参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。6.点对点连接（Point-to-Point，P2P） 这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

DDR2和DDR3

3，DDR3 SDRAM 的读写地址格式是什么跪谢

地址的格式是在生成IP核时设置的，一般有两种格式：ROW + BANK + COLUMNBANK + ROW + COLUMN例如采用 BANK + ROW + COLUMN这种形式，则 app_af_addr 的高位至地位依次为 bank、行、列
DDR3 SDRAM 的读写地址格式是什么？跪谢eskqzfgumk诽再看看别人怎么说的。

DDR3 SDRAM 的读写地址格式是什么跪谢

4，Ddr2ddr3ddr4内存的读写速率

为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍），DDR2的I/O频率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。举例：核心频率同样有133～200MHz的颗粒，I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率约为533～800 MT/s不等，也就是常见的DDR2 533、DDR2 800等内存规格。 为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3传输速率介于 800～1600 MT/s之间。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200 MT/s。DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性，Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象，亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内，至多可以处理4 笔数据，效率明显好过于DDR3。 另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。 电压：1.2/1.35V电压带来更低功耗 1、逻辑Bank数量 drr2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而drr3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装(Packages) 由于drr3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而drr2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且drr3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度(BL，Burst Length) 由于drr3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于drr2和早期的drr架构的系统，BL=4也是常用的，drr3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。 4、寻址时序(Timing) 就像drr2从drr转变而来后延迟周期数增加一样，drr3的CL周期也将比drr2有所提高。drr2的CL范围一般在2至5之间，而drr3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。drr2时AL的范围是0至4，而drr3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，drr3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。 DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 DDR4理论极限值是可以计算的：1333MHz * 64bit（单通道，双通道则128bit） / 8（位到字节单位转换） = 10.664GB/s。这只是理论，实际发挥还要看内存控制器，实际上1333单条跑出来的数据在7～9GB/s差不多了。 这个涉及到SDRAM内部时钟频率,下面这样一列你就能看清楚三个频率之间的关系, 也能看到DDR这么多代以来SDRAM实际工作频率的变化是很小的 Internal Rate: SDRAM内部时钟频率MHz DDR1 SDRAM内部时钟频率=100-200MHz DDR2 SDRAM内部时钟频率=100-266.67MHz DDR3 SDRAM内部时钟频率=100-266.67MHz DDR4 SDRAM内部时钟频率=133.33-266.67MHz I/O Bus Clock: 总线时钟频率MHz DDR1总线时钟频率=1 DDR1 SDRAM内部时钟频率=100-200MHz DDR2总线时钟频率=2 DDR2 SDRAM内部时钟频率=200-533.33MHz DDR3总线时钟频率=4 DDR3 SDRAM内部时钟频率=400-1066.67MHz DDR4总线时钟频率=8 DDR4 SDRAM内部时钟频率=1066.67-2133.33MHz Transfer Rate: 传输速率MT/s, 也即内存等效频率, 同时也是大众所熟知的频率, 如DDR4-3200 DDR1传输速率=2 DDR1 SDRAM内部时钟频率=200-400MT/s DDR2传输速率=4 DDR2 SDRAM内部时钟频率=400-1066.67MT/s DDR3传输速率=8 DDR3 SDRAM内部时钟频率=800-2133.33MT/s DDR4传输速率=16 DDR4 SDRAM内部时钟频率=2133.33-4266.67MT/s 等效频率之上则不属于JEDEC规范内的频率, 比如DDR4规范最高就是4266, 不过这里指的是原生4266, 和大众所理解的OC到4266不是一个概念

5，DDR2和DDR3区别大么

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读，DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们已经可以看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组了。 DDR3在DDR2基础上采用了8bit预取设计；点对点的拓朴架构，以及100nm以下的生产工艺等最新工艺 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop突发突变模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数：“写入延迟”，这一参数将根据具体的工作频率而定
2代内存和3代内存 工作频率 3代比2代更高 现在内存很便宜

6，DDR DDR2 DDR3 GDDR3

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3比DDR2拥有更高频率的优势。目前DDR2尚未完全取代DDR内存，在目前的整机环境下，DDR2基本能够满足各类型计算机的应用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些优势，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是： 1．更高的外部数据传输率 2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 3．在保证性能的同时将能耗进一步降低 为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计： 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 DDR3与DDR2几个主要的不同之处：突发长度（Burst Length，BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其它情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。参考电压分成两个 在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。点对点连接（Point-to-Point，P2P） 这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存信道打交道，而且这个内存信道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模块之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模块），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模块），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模块方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本计算机）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。 GDDR3是专门为显卡制定的DDR3内存，G就是graphics的简写 呵呵，都是晚上找来的资料，希望对你有帮助。

7，内存DDR3的参数是多少

一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： 　　DDR3 　　1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 　　二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： 　　1.突发长度（Burst Length，BL） 　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 　　2.寻址时序（Timing） 　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 　　3.DDR3新增的重置（Reset）功能 　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

8，DDR3的内存电压是多少

1.5V,,,,,,,,,,,
一、ddr3在ddr2基础上采用的新型设计： 　　ddr3 　　1．8bit预取设计，而ddr2为4bit预取，这样dram内核的频率只有接口频率的1/8，ddr3-800的核心工作频率只有100mhz。 　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8v降至1.5v，增加异步重置（reset）与zq校准功能。 　　二、ddr3与ddr2几个主要的不同之处 ： 　　1.突发长度（burst length，bl） 　　由于ddr3的预取为8bit，所以突发传输周期（burst length，bl）也固定为8，而对于ddr2和早期的ddr架构系统，bl=4也是常用的，ddr3为此增加了一个4bit burst chop（突发突变）模式，即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输，届时可通过a12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在ddr3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 　　2.寻址时序（timing） 　　就像ddr2从ddr转变而来后延迟周期数增加一样，ddr3的cl周期也将比ddr2有所提高。ddr2的cl范围一般在2～5之间，而ddr3则在5～11之间，且附加延迟（al）的设计也有所变化。ddr2时al的范围是0～4，而ddr3时al有三种选项，分别是0、cl-1和cl-2。另外，ddr3还新增加了一个时序参数——写入延迟（cwd），这一参数将根据具体的工作频率而定。 　　3.ddr3新增的重置（reset）功能 　　重置是ddr3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。dram业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在ddr3上实现了。这一引脚将使ddr3的初始化处理变得简单。当reset命令有效时，ddr3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

9，DDR3与DDR2的区别是什么性能提升了多少

DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3 UB DIMM 2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。 1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
ddr1 纯容量型 DDR2 速度有所提高，但速度还是不如DDR3超频性能差 DDR3 速度和超频都可以 DDR4 制作工艺和容量速度等都有提升，但刚出成本高！
如果你不用大分辨率,256和256以上没有太大区别. ddr3的频率高,是ddr2的2倍左右,读取速度快. 如果你用19寸(1440*900)左右的显示器,建议用ddr3

10，有关DDR3 内存

早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从目前的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。 　　半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。 　　由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有： 更高的外部数据传输率 更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 在保证性能的同时将能耗进一步降低 　　为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括： 8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。 采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下： (1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。 目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

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