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1，计算机中的GAN什么意思

支持一下感觉挺不错的
GaN 属第三代半导体材料，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。

计算机中的GAN什么意思

2，N型半导体 电子迁移率

要看不同的材料的，ge的还si的是不同的，而且要看掺杂浓度的。一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2/v*s 本征锗电子迁移率在3800cm^2/v*s左右。

N型半导体 电子迁移率

3，GaN芯片 热导率是多少

就是 2.2W/(cm?K) GaAs的热导率是 0.5W/(cm?K)，GaN是大概4次好 GaN的热膨胀系数是 a轴为5.59x10-6/K c轴为3.17x10-6/K

GaN芯片 热导率是多少

4，Gangast是什么意思

歹徒成员
一群废物.. 拿来骂人的.. 呵、 自我觉得用中国话来骂人比较爽..
大西洋感到
一群废物。。。
一群废物,歹徒成员
是的

5，求纤型矿GaN的晶格参数

Formula: - Ga N - Comments: Juza, R; Hahn, H Ueber die Kristallstrukturen von Cu~3~ N, Ga N und In N Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie 239 (1938) 282-287Space group: P 63 m cCell volume: 45.2Cell parameters: 3.18; 3.18; 5.166; 90; 90; 120;
我是来看评论的

6，半导体器件课后作业的两道题那位专家能解答一下貌似给出的选项

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KT/q=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*1500=39，常温下为39400k下用比例计算最方便，应为扩散系数与温度正比，X/39=400/293，X=53这个53是精确值，题目的52是常温按照300k来计算的，你可以自己试试看哦第二题一个道理，先计算常温时的迁移率，39/X=0.026（又用到了，只要记住，非常方便），X=1500这回迁移率和温度反比，我们用300k来计算，1500/Y=400/300 ，Y=1125通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~~
你好！解：1) B 2) B 用爱因斯坦关系式，一分钟就搞定！如果对你有帮助，望采纳。

7，氮化镓的材料特性

gan材料的生长是在高温下，通过tmga分解出的ga与nh3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为：ga+nh3=gan+3/2h2生长gan需要一定的生长温度，且需要一定的nh3分压。人们通常采用的方法有常规mocvd(包括apmocvd、lpmocvd)、等离子体增强mocvd（pe—mocvd）和电子回旋共振辅助mbe等。所需的温度和nh3分压依次减少。本工作采用的设备是ap—mocvd，反应器为卧式，并经过特殊设计改装。用国产的高纯tmga及nh3作为源程序材料，用dezn作为p型掺杂源，用（0001）蓝宝石与（111）硅作为衬底采用高频感应加热，以低阻硅作为发热体，用高纯h2作为mo源的携带气体。用高纯n2作为生长区的调节。用hall测量、双晶衍射以及室温pl光谱作为gan的质量表征。要想生长出完美的gan，存在两个关键性问题，一是如何能避免nh3和tmga的强烈寄生反应，使两反应物比较完全地沉积于蓝宝石和si衬底上，二是怎样生长完美的单晶。为了实现第一个目的，设计了多种气流模型和多种形式的反应器，最后终于摸索出独特的反应器结构，通过调节器tmga管道与衬底的距离，在衬底上生长出了gan。同时为了确保gan的质量及重复性，采用硅基座作为加热体，防止了高温下nh3和石墨在高温下的剧烈反应。对于第二个问题，采用常规两步生长法，经过高温处理的蓝宝石材料，在550℃，首先生长250a0左右的gan缓冲层，而后在1050℃生长完美的gan单晶材料。对于 si衬底上生长gan单晶，首先在1150℃生长aln缓冲层，而后生长gan结晶。生长该材料的典型条件如下：nh3：3l/mintmga：20μmol/minv/ⅲ=6500n2：3～4l/minh2：2<1l/min人们普遍采用mg作为掺杂剂生长p型gan，然而将材料生长完毕后要在800℃左右和在n2的气氛下进行高温退火，才能实现p型掺杂。本实验采用 zn作掺杂剂，dez2n/tmga=0.15，生长温度为950℃，将高温生长的gan单晶随炉降温，zn具有p型掺杂的能力，因此在本征浓度较低时，可望实现p型掺杂。但是，mocvd使用的ga源是tmga，也有副反应物产生，对gan膜生长有害，而且，高温下生长，虽然对膜生长有好处，但也容易造成扩散和多相膜的相分离。中村等人改进了mocvd装置，他们首先使用了two—flowmocvd（双束流mocvd）技术，并应用此法作了大量的研究工作，取得成功。双束流mocvd生长示意图如图1所示。反应器中由一个h2+nh3+tmga组成的主气流，它以高速通过石英喷平行于衬底通入，另一路由h2+n2 形成辅气流垂直喷向衬底表面，目的是改变主气流的方向，使反应剂与衬底表面很好接触。用这种方法直接在α—al2o3基板（c面）生长的gan膜，电子载流子浓度为1×1018/cm3，迁移率为200cm2/v·s，这是直接生长gan膜的最好值。
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年报道的MOCVD沉积GaN层的电子浓度数值为4 ×1016/cm3、<1016/cm3；等离子激活MBE的结果为8×103/cm3、<1017/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在1014～1020/cm3范围。另外，通过P型掺杂工艺和Mg的低能电子束辐照或热退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011～1020/cm3范围。 人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的带隙为3.503eV±0.0005eV，在1.6kT为Eg=3.503+（5.08×10－4T2)/(T－996) eV。另外，还有不少人研究GaN的光学特性。

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