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1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。 开启的阈值电压4-5V。 关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

N型MOS般都用SG接电压控制接截止接高于电压始导通D输负载电源D间连接说管DS导通让负载负极接关断负载断；PMOS极性相反S接G仍控制接关断低于电压才导通D输负载端接端接D极MOS控制负载极

mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

3，为什么电力MOSFET在关断时刻还要施加一定幅值的负驱动电压 搜

mosfet栅极也存在结电容，例如输入电容ciss,和crss，反压有利于迅速抽取栅极电荷qg，使器件迅速关断。
MOSFET的栅极存在结电容，负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg，提供释放回路，从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

为什么电力MOSFET在关断时刻还要施加一定幅值的负驱动电压 搜

4，mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。 N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。 假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

5，mosfet的门极阀值电压是多少了

最小的有不足2V的，最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高，Vds低的管子门极阈值电压也低。（无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通，但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。）
期待看到有用的回答！

6，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。扩展资料：PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。参考资料来源：百度百科-mos管

7，晶体管导通和关断时两断的电压为多大

导通时两端约0.2到0.3伏，关断时约等于电源电压
根据电路的设计不同，导通和截止的电压也会有差异，一般锗管在高于0.2V时导通，低于0.2V时截止。硅管高于0.7V时导通，低于0.7V时截止。
导通时 两端电压为电源电压一0,7V, 关断时 两端电压为零.

8，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。
这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

9，MOSFET主要参数什么意思

你所问的是MOSFET的一些基本参数，下面资料有自己看吧。
Mosfet参数含义说明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
你的提问，太不专业了，应该是从一个表上拷的数据吧，很乱。一些典型值，最大值之类的，导通电阻RDS(ON)，最大栅极电压VGS(V)等。最好是把DATASHEET的表拷整齐点下来
由上到下依次是封装类型，适用电路，源漏极击穿电压，导通源漏电阻，漏极电流25摄氏度，漏极电流100摄氏度，栅极电荷（典型值），栅漏极电荷（典型值），热阻，耗散功率，后面三个是关于是否在产，是否含铅，和安装类型
与问题的难度相比，你的悬赏太少了。

10，场效应管k1120详细参数关断电压是多少

2SK1120 N沟道 参数为1000V8A150W
名 称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率配对管D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 90129014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 90159015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 90149018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 85508550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 80502N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ29552N3440 6 NPN 视放 开关 450V 1A 1W 15MHZ 2N66092N3773 12 NPN 音频功放开关 160V 16A 50W2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N55512N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N54012N5685 12 NPN 音频功放开关 60V 50A 300W2N6277 12 NPN 功放 开关 180V 50A 250W9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 90132N6678 12 NPN 音频功放开关 650V 15A 175W 15MHZ9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 90133DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZMPSA42 21E NPN 电话视频放大 300V 0.5A 0.625W MPSA92MPSA92 21E PNP 电话视频放大 300V 0.5A 0.625W MPSA42MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 90123DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W3522V 5V稳压管A634 28E PNP 音频功放开关 40V 2A 10WA708 6 PNP 音频开关 80V 0.7A 0.8WA715C 29 PNP 音频功放开关 35V 2.5A 10W 160MHZA733 21 PNP 通用 50V 0.1A 180MHZA741 4 PNP 开关 20V 0.1A 70／120NSA781 39B PNP 开关 20V 0.2A 80／160NSA928 ECB PNP 通用 20V 1A 0.25WA933 21 PNP 通用 50V 0.1A 140MHZA940 28 PNP 音频功放开关 150V 1.5A 25W 4MHZ C2073A966 21 PNP 音频激励输出 30V 1.5A 0.9W 100MHZ C2236A950 21 PNP 通用 30V 0.8A 0.6WA968 28 PNP 音频功放开关 160V 1.5A 25W 100MHZ C2238A1009 BCE PNP 功放开关 350V 2A 15WA1220P 29 PNP 音频功放开关 120V 1.5A 20W 150MHZA1013 21 PNP 视频放大 160V 1A 0.9W C2383A1015 21 PNP 通用 60V 0.1A 0.4W 8MHZ C18152N6050 12 PNP 音频功放开关 60V 12A 150W2N6051 12 PNP 音频功放开关 80V 12A 150WA1175 PNP 通用 60V 0.10A 0.25W 180MHZA1213 贴片 PNP 超高频　 50V 0.15A 80MHZA719 ECB PNP 通用 30V 0.50A 0.625W 200MHZB12 G－PNP 音频 30V 0.05A 0.05WB1114 ECB PNP 通用　贴片 20V 2A 180MHZB205 锗管 PNP 音频功放开关 80V 20A 80WB1215 BCE PNP 功放开关贴片 120V 3A 20W 130MHZC294 6 NPN 栾生对管 25V 0.05A 200MHZC1044 6 NPN 视放 45V 0.3A 2.2GHZC1216 6 NPN 高速开关 40V 0.2A T，20nSC1344 ECB NPN 通用低噪 30V 0.10 230MHZC1733 6 NPN 栾生对管 30V 0.05A 2GHZC1317 21ECB NPN 通用 30V 0.5A 0.625W 200MHZC546 21ECB NPN 高放 30V 0.03A 0.15W 600MHZC680 11 NPN 音频功放开关 200V 2A 30W 20MHZC665 12 NPN 音频功放开关 125V 5A 50W 15MHZC4581 BCE NPN 电源开关 600V 10A 65W 20MHZC4584 BCE NPN 电源开关 1200V 6A 65W 20MHZC4897 BCE NPN 行管 1500V 20A 150WC4928 BCE NPN 行管 1500V 15A 150W
2SK1120 N沟道 参数为1000V8A150W再看看别人怎么说的。

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