ddr走线阻抗一般多少,小第开始从事设计PCB高速板请教大虾DDR走线阻抗等问题
来源:整理 编辑:亚灵电子网 2023-03-04 07:06:18
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1,小第开始从事设计PCB高速板请教大虾DDR走线阻抗等问题
专业解答:汗,你这种问题很值钱的,先不说10分,就是给钱别人不一定愿意回答。简单回答你吧:1:阻抗由驱动芯片决定,你不是主板设计,看你是一些嵌入式小板卡,这种一般要求也低,不需要这么严格。2:DDR布线等长即可,先布DDR,其他的后面再设计。
2,PCB设计中DDR2阻抗匹配问题
亲,阻抗跟串电阻没关系好么?跟板厚,线宽,线距有关系好么?走多大线宽和线距达到该阻抗可以通过软件算出来好么?=======CAS#,RAS#,CS#,WE#,CKE#,BA0-BA2要和地址信号A0-A12一起做等长,同样,要绕等长的还有数据信号D0-D12

3,PCB设计中DDR2阻抗匹配问题
亲,阻抗跟串电阻没关系好么?跟板厚,线宽,线距有关系好么?走多大线宽和线距达到该阻抗可以通过软件算出来好么?=======CAS#,RAS#,CS#,WE#,CKE#,BA0-BA2要和地址信号A0-A12一起做等长,同样,要绕等长的还有数据信号D0-D12再看看别人怎么说的。
4,大家是怎么进行DDR3的PCB布线
观看此视频后,您将获得最重要的信息,这将帮助您模拟自己的PCB布局。 我们将使用Cadence Sigrity,SystemSI,SPEED2000和Allegro。
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5,阻抗怎么算啊
你好,推荐
在计算差分阻抗的时候和上面计算类似,除所需要的通过走线阻抗要求来计算出 线宽的目标除线宽还有线距,在此不列出 选用的图是 在计算差分阻抗注意的是: 1,在满足DDR2 clock 85Ohm~1394 110Ohm差分阻抗的同时又满足其单端阻抗, 因此
这里有PDF格式的详细介绍
http://www.baidu.com/baidu?wd=%D7%E8%BF%B9%BC%C6%CB%E3&q=3
6,在DDR的PCB布线中提到数据线可以分组等长各组之间可以不等长那怎样
一位同事讲:但是有一个比较值,就是CLK的长度要大于address,address要大于data(may be wrong)。 同组间相等。组间的差别不能大于10mm。 有网友表示,DDR数据线用DQS来锁存,因此要保持等长。地址、控制线用时钟来锁存,因此需要和时钟保持一定的等长关系,一般等长就没有什么问题。阻抗方面,一般来说DDR需要60欧姆,DDR2需要50欧姆,走线不要打过孔,避免阻抗不连续。串扰方面,只要拉开线距,一层信号一层地,就不会出问题。也有网友表示他们模拟DDR2的结果:时钟对线长误差小于0.5mm;最大长度小于57mm;时钟线与相对地址线的长度差小于10mm。 李宝龙表示,无论是PCB上使用芯片还是采用DIMM条,DDR和DDRx(包括DDR2,DDR4等)相对与传统的同步SDRAM的读写,主要困难有三点:第一,时序。由于DDR采用双沿触发,和一般的时钟单沿触发的同步电路相比,在时序计算上有很大不同。DDR之所以能实现双边沿触发,其实是在芯片内部做了时钟的倍频,对外看起来,数据地址速率和时钟一样。为了保证能够被判决一组信号较小的相差skew,DDR对数据DQ信号使用分组同步触发DQS信号,所以 DDR上要求时序同步的是DQ和DQS之间,而不是一般数据和时钟之间。另外,一般信号在测试最大和最小飞行时间Tflight时,使用的是信号沿通过测试电平Vmeas与低判决门限Vinl和和高门限Vinh之间来计算,为保证足够的setup time和hold time,控制飞行时间,对信号本身沿速度不作考虑。而DDR由于电平低,只取一个中间电平Vref做测试电平,在计算setup time和hold time时,还要考量信号变化沿速率slew rate,在计算setup time和hold time时要加上额外的slew rate的补偿。这个补偿值,在DDR专门的规范或者芯片资料中都有介绍。第二,匹配。DRR采用SSTL电平,这个特殊buffer要求外接电路提供上拉,值为30~50ohm,电平VTT为高电平一半。这个上拉会提供buffer工作的直流电流,所以电流很大。此外,为了抑制反射,还需要传输线阻抗匹配,串连电阻匹配。这样的结果就是,在DDR的数据信号上,两端各有10~22ohm的串连电阻,靠近DDR端一个上拉;地址信号上,发射端一个串连电阻,靠近DDR端一个上拉。第三,电源完整性。DDR由于电平摆幅小(如SSTL2为2.5V,SSTL1为1.8V),对参考电压稳定度要求很高,特别是Vref和VTT,提供DDR时钟的芯片内部也常常使用模拟锁相环,对参考电源要求很高;由于VTT提供大电流,要求电源阻抗足够低,电源引线电感足够小;此外,DDR同步工作的信号多,速度快,同步开关噪声比较严重,合理的电源分配和良好的去耦电路十分必要。1.CLK等长长度为X,最长的和最短的相差不超过25mils2.DQS长度为Y,和CLK比对,Y要在[X-1000,X+1000mils]这个区间3.DM、DATA长度为Z,和各组的DQS比对,Z要在[Y-25,Y+25mils]区间里面4.A/C信号(control & command信号)长度为K,和CLK比对,K要在[X-1500,X+2000mils]范围内5.阻抗控制:DQ DQS DM CONTROL COMMAND CLK阻抗为55ohm±15%即(47--63ohm)1.走线分组 ARM系统中内存一般为32位或者16位,通常使用一片或者两片内存芯片组成。可以将数据线分成一组,两组或者4组。 一组的分法:DATA0-31,DQS0-3,DQM0-3作为一组; 两组的分法:DATA0-15,DQS0-1,DQM0-1为一组,DATA16-31,DQS2-3,DQM2-3为一组; 四组的分法:DATA0-7,DQS0,DQM0为一组,DATA8-15,DQS1,DQM1为一组,DATA16-23,DQS2,DQM2为一组,DATA23-32,DQS3,DQM3为一组。 具体分几组,可以根据芯片数量和走线密度来确定。布线的时候,同一组的信号线必需要走在同一层。剩下是时钟信号,地址信号和其它的控制信号,这些信号线为一组。这组信号线尽量在同一层布线2.等长匹配 a. DDR的DATA0-31,DQS0-3,DQM0-3全部等长匹配,不管分为一组还是两组或四组。误差控制在25mil。可以比地址线长,但不要短。 b. 时钟信号,地址信号和其它的控制信号全部等长匹配,误差控制在50mil。另外如果是DDR时钟,要按照差分线要求来走线,两条时钟线的长度要控制在2.5mil的误差内,并且尽量减小非耦合的长度。时钟线可以比地址和其它信号线长20-50mil。3.间距 间距的控制要考虑阻抗要求和走线的密度。通常采用的间距原则是1W或者3W。如果有足够的空间来走线,可以将数据线按3W的间距来走,可以减小很多串扰。如果实在不行至少要保证1W的间距。除此之外,数据线与其它信号线的间距至少要有3W的间距,如果能更大则更好。时钟与其它的信号线的间距至少也要保持 3W,并尽可能的大。绕线的间距也可以采用1W和3W原则,应优先用3W原则。
7,DDR2的走线规则
时钟线包括 MEM_CLKOUT#0、MEM_CLKOUT0、MEM_CLKOUT#1、MEM_CLKOUT1,MEM_CLKOUT#2、MEM_CLKOUT2; MEM_CLKOUT#3、MEM_CLKOUT3、MEM_CLKOUT#4、MEM_CLKOUT4、MEM_CLKOUT#5、MEM_CLKOUT5。 DDR2时钟线走线规则 分线对与对之间的间距为20mil min; DDR时钟线对其他线的间距为20mil min; 北桥Breakout出来4mil,差分线对内间距6mil min,长度控制1000mil以内。再出来线宽6.5mil,差分线对 内两根线的间距为5mils,蛇形线间距为20mils; DDR2时钟线走线长度约束规则 差分线对内两根线±10mils; 每个DIMM三对差分线匹配在50mils内,即最大值减最小值不大于50mils;所有线长在2850mils和6500mils间 阻抗控制: 70Ω±10%(差分线)
8,DDR2等长与阻抗哪个更重要
等长重要点!因为过EMC的时候如过信号过强,可以通过端接匹配接匹配电阻!从这个手段来讲,等长重要些!但是另一个角度说,阻抗又重要些,比如你用的DDR速度不是最高速,那么等长公差就可以设置长些!以上,看你侧重哪方面,很多时候都是取个中间平衡,尽量按照规格来做!设计之前需要查看该ddr芯片的手册,清楚哪些信号需要等长或者阻抗设计。然后通过polar等仿真软件计算阻抗线宽和间距,一般是控制90ohm阻抗。都重要,都会造成稳定性问题。LZ是RD么?设计什么的?1、CLK差分信号对间需要等长,CLK信号相位和幅度有问题。CLK和ADDRESS和COMMOND之间尽量等长,长度误差spec在DATASHEET上会有。不等长会导致latch地址和命令的setup time、holdtime超出要求而误抓电平。CLK和DQS有长度误差要求,道理同上。并行多颗粒DDR2设计各组CLK间也要等长。总之等长会影响信号的latch位置,如果长度差过大会导致抓取错误。2、阻抗匹配问题会影响信号品质,阻抗的统一性是很重要的。这个在《高速信号设计》一书中会有详细说明。一般会采取源端匹配方式增加匹配电阻,电阻取值应该根据DDR2控制器输出端阻抗以及layout走线阻抗进行计算。小弟也是工程师,可以一起探讨哦,这个很有意义
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ddr走线阻抗一般多少ddr 阻抗 一般
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