单结晶体管的结构中有多少个电极，什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢

1，什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢

单结晶体管现在用的很少了，20年前可是个好东西，主要用于：可控硅触发，和产生震荡信号。

什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢

2，晶闸管外部的电极数目为几个

原理图上为三个，实际封装中有四个引脚：A、K一对和G、K一对。主要为了连线的方便

3个阴极阳极和控制级 a k g

晶闸管外部的电极数目为几个

3，单节管有几个区几个PN节几个电极分别是什么

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。

单级管有5个区,9个pn 节,9个电极.

单节管有几个区几个PN节几个电极分别是什么

4，单结晶体管有几个基极

2个，第一基极跟第二基极又称为双结晶体管看看下面的链接http://baike.baidu.com/view/544916.htm?fr=ala0_1

这样测的目的是防止对电路引起干扰，从而影响电路的工作点，影响测量精度，也就是说电路在受干扰或自激状态下测出的数据不一定会真实，不过一般在发射极电阻不大的情况下，用表棒跨接在be之间量也不会有很大的误差。

5，单结管的结构是怎样的

单结晶体管有一个PN结和三个电极，即一个发射极和二个基极，所以又叫双基极二极管。单结晶体管有一个重要的电气特性——负阻特性，利用这种特性可以组成张弛振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时器等多种脉冲单元电路。单结晶体管的内部结构：在一块高阻率的N型硅片两端，制作两个接触电极，分别叫第一基极b1和第二基极b2，硅片的另一侧在靠近第二基极b2处制作了一个PN结，并在P型硅片上引出电极E，E叫发射极。第一基极b1和第二基极b2之间的纯电阻，称为基区电阻，一般在2 KΩ~ 10 KΩ之间。第一基极b1与发射极E之间的电阻，在正常工作时，将随发射极电流而变化。PN结的作用相当于一个二极管。在阻值比较中，E-b1的阻值较大，E-b2的阻值较小；即E-b1的阻值大于 E-b2的阻值。用万用表测单结晶体管的阻值，第一基极b1和第二基极b2之间的正反电阻均一样，为正常，否则该单结晶体管性能不好。

6，晶闸管的结构

晶闸管（可控硅）元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。

(一)晶体管的结构特性 1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示)。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结(C.B极之间)和发射结(B.E极之间),发射结与集电结之间为基区。根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头(代表集电极电流的方向)不同。PNP型晶体管的发射极箭头朝内，NPN型晶体管的发射极箭头朝外。 2．三极管各个电极的作用及电流分配晶体管三个电极的电极的作用如下：发射极(E极)用来发射电子；基极(B极)用来控制E极发射电子的数量；集电极(C极)用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB.集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC 3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。晶体管的基本工作条件是发射结(B.E极之间)要加上较低的正向电压(即正向偏置电压),集电结(B.C极之间)要加上较高的反向电压(即反向偏置电压)。晶体管各极所加电压的极性见图5-5。晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压，即硅管为0.6~0.7V,锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。 4．晶体管的工作状态晶体管有截止。导通和饱和三种状态。在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各极电流几乎为0。当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压。集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其内阻变小，各电极均有工作电流产生(IE=IB+IC)。适当增大其发射结的正向偏置电压。使基极电流IB增大时，集电极电流IC和发射极电流IE也会随之增大。当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值(硅管等于或略高于0.7V,锗管等于或略高于0.3V0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流IC将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流IB控制。晶体管的导通内阻很小(相当于开关被接通),集电极与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。引用网址： http://www.b2b99.com/hyzs/dz/9426.htm

7，晶体管的结构及性能特点有哪些

晶体管的两个pn结分别称为集电结（c、b极之间）和发射结（b、e极之间），发射结与集电结之间为基区。根据结构不同，晶体管可分为pnp型和npn型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。pnp型晶体管的发射极箭头朝内，npn型晶体管的发射极箭头朝外。 2．三极管各个电极的作用及电流分配晶体管三个电极的电极的作用如下：发射极（e极）用来发射电子；基极（b极）用来控制e极发射电子的数量；集电极（c极）用业收集电子。晶体管的发射极电流ie与基极电流ib、集电极电流ic之间的关系如下：ie=ib+ic 3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。晶体管的基本工作条件是发射结（b、e极之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（b、c极之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。晶体管发射结的正向偏置电压约等于pn结电压，即硅管为0.6~0.7v，锗管为0.2~0.3v。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。 4．晶体管的工作状态晶体管有截止、导通和饱和三种状态。在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各极电流几乎为0。当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其内阻变小，各电极均有工作电流产生（ie=ib+ic）。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流ib增大时，集电极电流ic和发射极电流ie也会随之增大。当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7v，锗管等于或略高于0.3v0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流ic将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流ib控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电极与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。（二）高频晶体管高频晶体管（指特征频率大于30mhz的晶体管）可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。常用的国产高频小功率晶体管有3ag1~3ag4、3ag11~3ag14、3cg3、3cg14、3cg21、3cg9012、3cg9015、3dg6、3dg8、3dg12、3dg130、3dg9011、3dg9013、3dg9014、3dg9043等型号，部分国产高频小功率晶体管的主要参数。常用的进口高频小功率晶体管有2n5551、2n5401、bc148、bc158、bc328、bc548、bc558、9011~9015、s9011~s9015、tec9011~tec9015、2sa1015、2sc1815、2sa562、2sc1959、2sa673、2sc1213等型号。2．高频中、大功率晶体管高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3dg41a~3dg41g、3dg83a~3dg83e、3da87a~3da87e、3da88a~3da88e、3da93a~3da93d、3da151a~3dg151d、3da1~3da5、3da100~3da108、3da14a~3da14d、3da30a~3da30d、3dg152a~3dg152j、3ca1~3ca9等型号。表5-3是各管的主要参数。常用的进口高频中、大功率晶体管有2sa634、2sa636、2sa648a、2sa670、2sb940、2sb734、2sc2068、2sc2258、2sc2371、2sd1266a、2sd966、2sd8829、s8050、s8550、bd135、bd136等型号。（三）超高频晶体管超高频晶体管也称微波晶体管，其频率特性一般高于500mhz，主要用于电视、雷达、导航、通信等领域中处理微波波段（300mhz以上的频率）的信号。 1．国产超高频晶体管常用的国产超高频晶体管有3ag95、3cg15a~3cg15d、3dg56（2g210）、3dg80（2g211、2g910）、3dg18a~3dg18c、2g711a~2g711e、3dg103、3dg112、3dg145~3dg156、3dg122、3dg123、3dg130~3dg132、3dg140~3dg148、3cg102、3cg113、3cg114、3cg122、3cg132、3cg140、3da89、3da819~3da823等型号。2．进口超高频晶体管常用的进口超高频晶体管有2sa130、2sa1855、2sa1886、2sc286~2sc288、2sc464~2sc466、2sd1266、bf769、bf959等型号。（四）中、低频晶体管低频晶体管的特征频率一般低于或等于3mhz，中频晶体管的特征频率一般低于30mhz。 1．中、低频小功率晶体管中低频小功率晶体管主要用于工作频率较低、功率在1w以下的低频放大和功率放大等电路中。常见的国产低频

1．晶体管的结构晶体管内部由两pn结构成，其三个电极分别为集电极（用字母c或c表示），基极（用字母b或b表示）和发射极（用字母e或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个pn结分别称为集电结（c、b极之间）和发射结（b、e极之间），发射结与集电结之间为基区。根据结构不同，晶体管可分为pnp型和npn型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。pnp型晶体管的发射极箭头朝内，npn型晶体管的发射极箭头朝外。 2．三极管各个电极的作用及电流分配晶体管三个电极的电极的作用如下：发射极（e极）用来发射电子；基极（b极）用来控制e极发射电子的数量；集电极（c极）用业收集电子。晶体管的发射极电流ie与基极电流ib、集电极电流ic之间的关系如下：ie=ib+ic 3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。晶体管的基本工作条件是发射结（b、e极之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（b、c极之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。晶体管各极所加电压的极性见图5-5。晶体管发射结的正向偏置电压约等于pn结电压，即硅管为0.6~0.7v，锗管为0.2~0.3v。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。 4．晶体管的工作状态晶体管有截止、导通和饱和三种状态。在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各极电流几乎为0。当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其内阻变小，各电极均有工作电流产生（ie=ib+ic）。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流ib增大时，集电极电流ic和发射极电流ie也会随之增大。当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7v，锗管等于或略高于0.3v0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流ic将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流ib控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电极与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。（二）高频晶体管高频晶体管（指特征频率大于30mhz的晶体管）可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。常用的国产高频小功率晶体管有3ag1~3ag4、3ag11~3ag14、3cg3、3cg14、3cg21、3cg9012、3cg9015、3dg6、3dg8、3dg12、3dg130、3dg9011、3dg9013、3dg9014、3dg9043等型号，部分国产高频小功率晶体管的主要参数见表5-1。常用的进口高频小功率晶体管有2n5551、2n5401、bc148、bc158、bc328、bc548、bc558、9011~9015、s9011~s9015、tec9011~tec9015、2sa1015、2sc1815、2sa562、2sc1959、2sa673、2sc1213等型号。表5-2是各管的主要参数。 2．高频中、大功率晶体管高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。

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