1，点插板二极管一月可以消耗多少电量

电功等于电流乘电压乘时间 W=UIT看下额定电压是多少自己算下，二极管的耗电是极低的

点插板二极管一月可以消耗多少电量

2，一个二极管的年能耗是多少

二极管管压降一般为1v左右 按用的最广的1N4007型二极管（最大电流1A）计算 功率是1W 一小时耗电W=Pt=0.001千瓦时 就是0.001度电 那么一天就是0.024度 再乘以365天就是8.76度 每度电按0.52元计算就是4.5552元
2kw，v三相电机吧，工作电流5a左右，选择5-10a的二极管足矣，大了也浪费。这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

一个二极管的年能耗是多少

3，80个二极管一小时耗电多少

220V的交变电流到户之后，是要通过整流整压器的，LED灯工作电压非常低。省电是肯定的，在不考虑整流整压过程中电流损耗的情况下，LED灯要达到和白炽灯相同的光亮度，只需1/5的电功率，但算上整流损耗之后就没那么少了。但肯定比白炽灯省电。对视力是否有影响不清楚
网上是8毛左右一个,那是大量批发价. 电子商城里零售价: 普通白光.1.8元.普通红.黄.绿.等也是1.8元. 变光二极管1.8元一个.可以讲价. 无线
你说那种发光二极管大约一个灯珠是0.06W，80个加上一点损耗也就五六瓦的样子。20小时大约一度电，远低于40W日光灯

80个二极管一小时耗电多少

4，小功率红外发光二极管的寿命是多少小时

根据不同的品牌,寿命长短也不一样.一般发光二极管的工作电压最好在1.8伏到2.0伏;高亮度发光二极管的工作电压应不超过3.2伏.超过它的工作电压会使发光二极管迅速老化,一般发光二极管正常老化死亡是突然不亮了,而过载老化的现象是逐渐变暗.
那要看你怎么用了,普通发光二极管的最大电流是20mA,如果超过此值,它的寿命会大大降低,如果加限流电阻正常条件下工作,用几年应该是没问题的.
二极管选型一般都是根据电流的大小决定的，二极管的功率是根据实际电路中的电流决定的稳压二极管才存在功率选型的问题，常规0.5w，最小的为贴片元件0.1w都有
看质量，大多都为普通高亮发光二极管的1/2寿命左右，甚至还不到

5，插排二极管每月消耗多少电量

一般二极管电流为20mA，压降为1.7V,损耗功率大约为0.034瓦，根据电度算法：1度电等于1000W/1小时，0.034瓦要用上29412小时才用上一度电，也就是一个发光二极管用一小时才用了0.000034度电，微不足道。
不会的。如果二极管烧断了，回路就没有电了，如果二极管击穿导通，限流电阻就成了负载，很快就会发热烧毁，不会影响插排的。
据我所知，目前民用电表还没有一种能敏感到能记录插座二极管的电耗。如果非要问耗电量，我可以告诉你，你插一年耗不了一度
如果二极管电表能计量的话．我以前算过大约三年用一度电．可以说发光二极管非常低功耗，所以不必考虑它的用电量．
可以说1年不到1W电！二极管的工资电流是30ma计算

6，二极管耗电吗

因有压降，只要有电流，就耗电锗管，压降约0.2V硅管，压降约0.7V用流过的电流乘电压，就是功耗，与电流有关，与管子大小无关0.2,0.7是有条件的，随电流的减少或增大，有变化IN4148是常用的二极管，有0805封装的，可能还有更小的。
电流通过二级管当然会有一定的损耗，且锗管损耗小于硅管。目前阻值最小的二级管也有0.5至2千欧的阻值。二极管的电阻会引起电流，电压的损耗。锗管电压损耗约为0.2V左右，电流损耗约为0.0002A～0.0004A，硅管电压损耗约为0.7V左右，电流损耗约为0.005A～0.007A（公式为：二极管正向压降×电流）因此，锗管损耗约为0.00004W～0.00008W，硅管损耗约为0.0035W～0.0049W。目前最小的二极管是贴片二极管。
只要二极管导通就耗电，耗电的具体功率计算公式是导通压降乘以导通电流。
耗电功率=二极管正向压降×电流。压降一般0.6V,如1N4148电流为5ma时耗电为0.6×0.005=0.003W

7，二极管和mosfet在损耗方面有什么不同

MOSFET全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。

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