1MB的DRAM芯片有多少行，1mbs是多少兆

1，1mbs是多少兆

亲这就是1M！壹兆！

1mbs是多少兆

2，1GB1MB1KB分别为多少Byte

1KB=1024Byte1MB=1024*1024Byte1GB=1024*1024*1024Byte

1gb=1024mb 1mb=1024kb 1kb=1024b 存储介质之间的单位转化都是1024

1GB1MB1KB分别为多少Byte

3，1MB等于多少字节

貌似是1024*1024吧 1MB=1024KB=1024字节一个汉字2个字节

1024X1024 字节。 1MB=1024KB 1KB=1024字节朋友，祝您好运~

理论上一百万1024*1024=1048576

1MB=1024KB,具体计算方法和解释如下：存贮容量的计算　　1）网络上的所有信息都是以“位”（bit）为单位传递的，一个位就代表一个0或1。　　2）每8个位（bit）组成一个字节（byte）。字节是什么概念呢？一个英文字母就占用一个字节，也就是8位，一个汉字占用两个字节。一般位简写为小写字母“b”，字节简写为大写字母“B”。　　3）每一千个字节称为1KB，注意，这里的“千”不是我们通常意义上的1000，而是指1024。即：1KB＝1024B。但如果不要求严格计算的话，也可以忽略地认为1K就是1000。 4）每一千个KB就是1MB（同样这里的K是指1024），即：1MB＝1024KB＝1024×1024B＝1,048,576B这是准确的计算。如果不精确要求的话，也可认为1MB＝1,000KB＝1,000,000B 　　另外需要注意的是，存储产品生产商会直接以1GB=1000MB，1MB=1000KB ，1KB=1000B的计算方式统计产品的容量，这就是为何买回的存储设备容量达不到标称容量的主要原因（如320G的硬盘只有300G左右）　　4）每1024MB就是1GB，即1GB＝1024MB，至于等于多少字节，自己算吧。现在我们搞清楚了，常听人说什么一张软盘是1.44MB、一张CD光盘是650MB、一块硬盘是120GB是什么意思了。打个比方，一篇10万汉字的小说，如果我们把存到磁盘上，需要占用多少空间呢？100,000汉字＝200,000B＝200,000B÷1024≈195.3KB≈195.3KB÷1024≈0.19MB

1TB=1024GB 1GB=1024MB 1MB=1024KB 1KB=1024b[字节] 1英文字母=1字节 1汉语字=2字节

1,048,576

1M=1024KB，1KB=1024B 所以1M=1024*1024B

1MB等于多少字节

4，有关存储器的问题

动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。但动态存储器同静态存储器有不同的工作原理。它是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0。欲深入了解动态RAM的基本原理请点击。动态存储器有多种系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。图示为2164芯片的引脚图。将鼠标指向相应引脚可看到其对引脚功能。它是一个64K 1bit的DRAM芯片，将8片并接起来，可以构成64KB的动态存储器。每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU 首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS 锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。只读存贮器（ROM）有多种类型。由于EPROM和EEPROM存贮容量大，可多次擦除后重新对它进行编程而写入新的内容，使用十分方便。尤其是厂家为用户提供了单独地擦除器、编程器或插在各种微型机上的编程卡，大大方便了用户。因此，这种类型的只读存贮器得到了极其广泛的应用。7. RAM的工作时序为保证存储器准确无误地工作，加到存储器上的地址、数据和控制信号必须遵守几个时间边界条件。图7.1—3示出了RAM读出过程的定时关系。读出操作过程如下：欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端；加入有效的选片信号CS；在线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容出现在I/O端；让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。由于地址缓冲器、译码器及输入/输出电路存在延时，在地址信号加到存储器上之后，必须等待一段时间tAA，数据才能稳定地传输到数据输出端，这段时间称为地址存取时间。如果在RAM的地址输入端已经有稳定地址的条件下，加入选片信号，从选片信号有效到数据稳定输出，这段时间间隔记为tACS。显然在进行存储器读操作时，只有在地址和选片信号加入，且分别等待tAA和tACS以后，被读单元的内容才能稳定地出现在数据输出端，这两个条件必须同时满足。图中tRC为读周期，他表示该芯片连续进行两次读操作必须的时间间隔。写操作的定时波形如图7.1—4所示。写操作过程如下：将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；在选片信号CS端加上有效电平，使RAM选通；将待写入的数据加到数据输入端；在线上加入低电平，进入写工作状态；使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。由于地址改变时，新地址的稳定需要经过一段时间，如果在这段时间内加入写控制信号（即变低），就可能将数据错误地写入其他单元。为防止这种情况出现，在写控制信号有效前，地址必须稳定一段时间tAS，这段时间称为地址建立时间。同时在写信号失效后，地址信号至少还要维持一段写恢复时间tWR。为了保证速度最慢的存储器芯片的写入，写信号有效的时间不得小于写脉冲宽度tWP。此外，对于写入的数据，应在写信号tDW时间内保持稳定，且在写信号失效后继续保持tDH时间。在时序图中还给出了写周期tWC，它反应了连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。对大多数静态半导体存储器来说，读周期和写周期是相等的，一般为十几到几十ns。ddr一个时钟周期内穿2次数据 ddr2一个时钟周期传4次所以相同频率下ddr2的带宽是ddr的2倍

cmos：（complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体）它是一类特殊的芯片，最常见的用途是主板的bios（basic input/output system，基本输入/输出系统）。 raw： (read after write，写后读)这是cpu乱序执行造成的错误，即在必要条件未成立之前，已经先写下结论，导致最终结果出错根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与cpu交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器(ram)。另一种存储器叫只读存储器(rom)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。ram和rom共同分享主存储器的地址空间。ram中存取的数据掉电后就会丢失，而掉电后rom中的数据可保持不变。因为结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。存储器的特性由它的技术参数来描述。

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