mos管的驱动电压是多少伏，电路中mos管的驱动电压是指vgsth吗

1，电路中mos管的驱动电压是指vgsth吗

vgsth 如果是 N-MOS管指大于这个电压mos管才开始导通

电路中mos管的驱动电压是指vgsth吗

2，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

3，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

4，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏

你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。

保护g极的稳压管一般是15——18v，如果确定驱动电压不会超过mos管g极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

5，2SK386管的驱动电压是几伏

0.7V左右。

指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Ugs(th)MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏。这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压，如果要形成比较完整的沟道，电压往往要上升到10V左右才好，否则通体电阻会比较大。2SK386管电气参数如下：

不知道

0.8V左右

200万

0.8V左右再看看别人怎么说的。再看看别人怎么说的。

6，MOS场管Irf540N的驱动电压直流还是交流2到4伏

所有的晶体管（包括双极型管BJT和场效管EFT）偏置电压都是直流电压，其输入和输出信号是一般为交流电压。从这个意义上说，晶体管是将直流功率转换成交流功率。BJT可看成一个流控电流源，EFT可看作一个压控电流源。具体到Irf540N，2～4V是基极导通电压的最大和最小值，是直流电压，低于这个电压管子不导通，类似断路。高于该值时管子导通，最大基极偏压Vgs不能超过20V，实际工作时的Vgs应选在4V到20V之间，注意Vgs越大，输出电流越大。

零电压可以关断.只是为了更可靠,,才有人向控制极加负压钳位.我是在控制极用一个1k电阻接地,并一个104电容到地.就这样用了.但要注意你电路是不是有强电磁回路,否则控制极会感应出电压.

7，关于MOS开关管驱动

Vd<Vg-Vth时，NMOS工作在线性区，也就是不饱和导通区，并不是真正的导通。和你的理解正好相反。高压NMOS的开启在2V左右，所以30V的GS电压已经够了，甚至偏高。因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。关于周期，你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算，看看开启速度能不能满足你的要求。

Vd<Vg-Vth，工作在线性区。看MOS管的Vth为多少，器件手册上都有，你的PWM输出电压最好加个驱动，越高越好，这样管子导通时内阻小，但是电压太高会使管子击穿，设计时注意安全工作区。

mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加损耗，

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