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1，请问什么是PN结的串联电阻啊

制造PN结的半导体材料本身有一定的电阻，大电流时这个电阻会导致pn结的IV曲线偏离理想情况，称这个电阻为PN结的串联电阻
电阻是限流的，没有限流电阻，电流随电压指数级变大，0.8伏就好几个电流，1伏以上电流大到马上烧毁。

请问什么是PN结的串联电阻啊

2，某pn结当正向电流为10ma时室温下的小信号电导与小信号电阻各为

正向偏置时呈低阻导电状态，反向偏置时呈现高阻近似不导电状态。理想条件下认为PN结具有单向导电性——正向偏置导通，反向偏置截止
p=v.av=r.iv=500*0.01=5此电阻上消耗的功率：p=5*0.01=0.05w电导是电阻的倒数。

某pn结当正向电流为10ma时室温下的小信号电导与小信号电阻各为

3，数字万用表能侧PN结阻值吗

PN结结电阻是随结电压的变化而变化的，所以才会出现数字与指针表测试读数不同现象，另外CE极间在管子未导通的时候本来就是近似开路的
所谓正向电阻是指元件上直流电压与电流的比值。 万用表上反映出来的刻度值，都是直流表的测量的参考值。当然，在数字表上就不能使用这个参考结论。

数字万用表能侧PN结阻值吗

4，pn结为什么有强大的电阻

如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。

5，PN结反向击穿是否就相当于一个电阻

PN结反向击穿后随着电流增大，压降基本保持不变，稳压管就用利用这一原理，当然，普通的二极管这段电压不如稳压管平坦。如果电流增大到某个值，电压又会较大幅度的上升，这时很多管子可能已经烧了，讨论就没意义了。
硅管pn结的正向电阻大约3--10kω，反向电阻大于500kω；锗管：pn结的正向电阻大约500--2000ω，反向电阻大于100kω； 这个电阻有光伏特性、温度特性。常用来衡量二极管的功耗、光伏灵敏度、温度信号强度、齐纳击穿额定功耗、反向漏电大小

6，二极管PN结的什么电阻

二极管的PN结内部对电流的阻力与电阻性质是不同的，是内部电场对载流子的作用不是像电阻那样是介质对电子的阻力；PN接正向导电的时候表现出来的电流方程为I=Is（e*U/UT-1)，Is为反向饱和电流，UT=kT/q其中的k是玻尔兹曼常数，T是热力学温度，q是电子的电量。这个不用细算，总之，正向导通时电流会很大，压降会很小，锗管压降一般为0.6～0.7V，所以外围电路中需要加限流电阻；再说反向时内部反向电场加强此时就相当于一个电容，所以基本没有电流流过，也就是所说的截止状态。这是单纯的PN结，当PN结用到晶体管中的时候，可以概括的称它导通时对电流的阻力为自身体电阻。不知道有没有你需要的东西！
是的!严格地说应是在阻挡层!正反向都是!从理论上说其实pn结的电阻在无极静态时是相同的!它只是在加上不同极性电场时的反应不同罢了!问题在于无论我们在测量或在路工作时都做不到真正的无极静态!pn结里阻挡层的厚薄取决于其内部空穴的增减!而空穴的增减又取决于pn结两端电场的极性!正向电场时空穴因回补而减少!pn阻挡层结变薄而电阻就降低!反向电场时空穴就游离释放而增加了阻挡层厚度!pn结电阻就升高!

7，三极管PN结

三极管PN结，指针万用表黑表笔接P极，红表笔接N极，指示通。反之不通。
以NPN管为例，三极管共有两个PN结：b-e间的PN结和b-c间的PN结。在三极管正常工作时（在放大状态下）， b-e间的PN结是PN通（正向），b-c间的PN结是NP通（反向）。
p型半导体与n型半导体相互接触时，其交界区域称为pn结。p区中的自由空穴和n区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 pn 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，p区和n区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于p 区中的空穴向n区扩散后与n区中的电子复合，而n区中的电子向p区扩散后与p 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成pn结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。 pn结具有单向导电性，半导体整流管就是利用pn结的这一特性制成的。pn结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、pn结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了pn结的特性。
pn是通的！

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