同步整流提升多少效率，高手帮忙看看需要3V升5V升9V升12V15V升20V40V1A2A3A4A大功

1，高手帮忙看看需要3V升5V升9V升12V15V升20V40V1A2A3A4A大功

高效率>96% 同步N型 MOSFET 整流

....

什么

高手帮忙看看需要3V升5V升9V升12V15V升20V40V1A2A3A4A大功

2，如何提升电压型自驱动同步整流的效率

　　同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。　　它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

如何提升电压型自驱动同步整流的效率

3，同步整流就是高效率那么简单吗

同步整流技术是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。首先介绍了同步整流的基本原理，然后重点阐述同步整流式DC／DC电源变换器的设计。

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4，同步整流能改善多路输出电压吗

能。同步整流能改善多路输出电压的，同步整流可以有效地提高电源效率，同时也能改善多路输出电压，由于同一电流级别的MOSFET管的成本一般要比二极管高，因此采用这一方案时成本有所升高。同步整流是采用通泰电阻极低的功率mosfet，来取代整流二级管以降低整流损耗的一项新技术。

5，dcdc升压同步整流效率有多高

“那么RL两端电压上升,负载电流也随之增大” 你以为电感放电过程中放电电流还能不断增大吗? 建议你好好看看开关电源的书,你的理解有很多错误的地方. 都是曲线、不是直线,何谈什么斜率.负载电流都是在不断波动的,只不过宏观上认为是恒流罢了.

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6，如何让同步整流器达到高效率标准

您好，我是深圳东科半导体资深技术师，我公司在同步整流芯片研发上技术非常成熟，下面请我为你解答，同步整流的基本电路结构功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。东科DK5V45R15是一款简单高效率的同步整流芯片，广泛应用于电源适配器、充电器等以更高效率取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管或复杂的同步整流。PS7516和PS7616是锂电池升压输出5V1A,2A的同步整流升压经典IC，FP6717，FP6716也是锂电池升压输出5V3A，5V2A中的佼佼者。支持DCM和 QR 模式反激系统。内置15 mΩ 45V功率NMOS管。特有的自供电技术，无需外部供电电源。自检测开通关断，无需外部同步信号。可直接替换肖特基管,对EMC/I有适当改善为什么要应用同步整流技术电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。举例说明，笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18%～40%）PO，占电源总损耗的60%以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。同步整流比之于传统的肖特基整流技术可以这样理解：这两种整流管都可以看成一扇电流通过的门，电流只有通过了这扇门才能供负载使用。传统的整流技术类似于一扇必须要通过有人大力推才能推开的门，故电流通过这扇门时每次都要巨大努力，出了一身汗，损耗自然也就不少了。而同步整流技术有点类似我们通过的较高档场所的感应门了：它看起来是关着的，但你走到它跟前需要通过的时候，它就自己开了，根本不用你自己费大力去推，所以自然就没有什么损耗了。通过上面这个类比，我们可以知道，同步整流技术就是大大减少了开关电源输出端的整流损耗，从而提高转换效率，降低电源本身发热。

7，鑫谷昆仑KL1080宣传其同步整流留有八倍功率余量是真的吗有这

同步整流是利用MOS管导通时的超低压降来替代二极管，从而令整流效率提高，达到提升电源转换效率的目的。但这种整流方式看冲击电流能力较低，因此，需要有一定的余量。而增加功率余量，还有利于减小整流压降，提升电源稳定性和可靠性的效果，因此鑫谷昆仑KL-1080采用这样的设计，很正确啊。

真的吧

8，同步buck整流电路为什么用mosfetd代替普通buck电路的二极管

因为二极管的管压降在通入大电流的时候功耗太大，比如二极管压降为0.7v，输出电流为10A的时候，二极管自身损耗高达7W，基本不用考虑。在低电流应用场合，由于二极管比mosfet便宜，电路更简单，会使用二极管，在大电流输出场合，一般利用MOSFET来降低电路自身损耗，不过在控制上要防止Q1和Q2同时导通造成输入电源短路而烧毁电路，所以一般要确定足够的死区时间来避免这种情况。

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

常规电路Q2位置采用的是续流二极管，二极管导通时有一定的压降，且导通电流的大范围变化情况下导通压降变化却不大，这会产生一定的功耗，尤其在输出电压较低及轻载（输出电流较小）时导致电源变换效率较低。MOSFET导通时，漏源之间存在的是导通电阻Ron，用Ron较小的MOSFET代替续流二极管，能够有效地较低续流管功耗，且其导通压降基本与导通电流成正比，轻载时功耗也低。控制上应注意Q1、Q2两管不能同时导通（将短路输入Vi）。

9，同步整流移动电源有什么好处

可以提高大约10%的效率，非同步整流的可以用1小时，相对采用同步整流技术的可以使用1小时6分钟

同步整流是用MOS来代替二极管做整流，非常好的二极管电流1A通过时压降为0.3V，这时功耗为0.3W。而MOS的内阻是0.05欧，1A电流时功耗为0.05W。如需要5V/1A的移动电源，也就是5W，用二极管的最少需要输入5.3W的功率才能输出5V/1A，这时的效率是5W/5.3W＝94.3%（这里只考虑到整流二极的损耗）。而MOS的则为5W/5.05W＝99%（这里只考虑到整流MOS的损耗）。实际上同步整流的移动电源做得最好的在5V/1A时的效率有95%，而用二极管做整流的做的最好的效率为90%，效率相差有绝对的5%以上。（因为我是从事这类工作的测试过很多做对比的）至于为什么叫同步整流，可以再去打百度。

忽悠人的，所有简单的整流器都是同步的。

你好！移动电源同步整流的好处1楼已经解释的非常专业了，我想补充一点的是，现在的移动电源不但要同步整流，还要用三合一的同步整流，因为分立的同步整流DC-DC芯片太贵了。如有疑问，请追问。

提高整流效率藉以提高整个电源的效率！

10，同步整流管与其他整流管有什么不同

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管：耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

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